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关键词： 碳化硅MOSFET   驱动电压   非理想突变   阈值迟滞   开关特性   解析模型  

摘要： 由于SiC/SiO_(2)界面固有的高界面态密度,阈值迟滞现象一直影响碳化硅MOSFET的可靠性。为量化评估阈值迟滞对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先考虑了驱动电压的上升与下降时间,建立了驱动电压非理想突变的开关暂态模型;其次,按照IEC标准得到开关延时与开关损耗的解析表达式;然后,进行了不同驱动负压下的动态特性实验并提取了开关延时与开关损耗;最后,通过实验结果与解析模型的结合,解耦并量化了驱动负压与阈值迟滞对开关特性的影响,得到了阈值迟滞影响下驱动负压与阈值电压的关系。结果表明,驱动负压与阈值迟滞均会引起开通延时降低,但阈值迟滞对其影响远大于驱动负压。驱动负压对开通损耗无影响,但阈值迟滞会导致开通损耗的降低。

关键词： 电子开关   功率MOSFET   CAN通信   大电流  

摘要： 汽车的功率开关器件普遍采用传统电磁继电器,针对传统电磁继电器开关速度慢、存在机械寿命等问题,结合指标需求,设计了基于CAN通信的智能汽车电子开关。智能电子开关主要分为硬件和软件设计,以英飞凌XC2234L微控制器、功率MOSFET和CAN通信完成作为其硬件控制核心,最终完成对硬件电路的模块化设计;采用英飞凌开发工具完成底层驱动代码,完成软件的模块化设计。该无运动零部件的电子式智能开关具备通信以及报警功能,可通过CAN与上位机通信,实时监测工作电流、电压以及工作温度。测试结果表明,该继电器满足设计指标,在最大负载电流100 A持续通电过程中,上位机显示功率MOSFET温度小于85℃,且不会自动关断。

关键词： SiC MOSFET   结温监测   电压漂移   低自热标定方法  

摘要： 本文提出了一种应用在大电流通态压降法测量SiC MOSFET模块结温中的低自热标定方法。针对标定过程中的模块电压漂移现象,采用SiC MOSFET模块热-电耦合模型对其温升过程进行仿真并找出导致电压漂移的诱因。为了降低标定短脉冲下的通态压降不稳定和自发热导致的SiC MOSFET模块电压漂移现象,根据热-电耦合模型的仿真结果设计了一种低自热标定方法,并设计实验进行验证。相比于传统的单脉冲标定方法,本文所提出的低自热标定方法自发热最大下降34%,模块自发热导致的结温监测误差由最初的26.9℃降低为7.6℃。

关键词： 核心素养   单元教学   闭合电路的欧姆定律  

摘要： 对如何利用"单元教学"提升核心素养,以"闭合电路的欧姆定律"为例,通过深研教学目标、精进教学设计、构建真实情境的驱动问题、配合丰富的学生实验,让学生在单元活动中,通过解决真实情境的实际问题逐一落实单元教学目标,从而构建单元知识体系,落实核心素养的培养.

关键词： 直线运动   欧姆定律   电路图   相遇问题  

摘要： 物理实验是初中物理的重要内容,在中考中也占有相当大的比重,是整个物理能力的综合体现.不仅需要学生分析实验的物理过程与物理原理;而且还要求从物理公式来分析实验结果,分析实验误差等等,同时也要求有一定的实验设计能力.

关键词： SGT-MOSFET   电场解析模型   雪崩载流子   场氧厚度  

摘要： 屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT-MOSFET)在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET(VUMOSFET)不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模,研究了不同结构的耐压原理以及结构参数与电场强度分布的相关性;建立了与器件各个结构参数相关的电场解析模型,为器件结构设计提供了理论依据;并引入雪崩载流子对小电流下的电场解析模型进行了修正,使得解析结果和仿真结果吻合较好;通过修正后的电场解析模型提取了最优电场下的场氧厚度,使得相应产品的静、动态特性得到明显改善,从而极大地提升了器件的性能.

关键词： 欧姆定律   教学活动   认识偏差  

摘要： 针对学生对欧姆定律的两种形式可能出现的偏差,从物理学史角度,探究欧姆定律诞生的历程,欧姆在此过程中进行的艰难探索,找出欧姆定律两种表述形式的来由,说明科学研究有时并不是一帆风顺,培养学生正确的科学态度.

关键词： 三菱电机   电力系统   节能化   输变电   大型工业设备   电气系统   碳中和   MOSFET  

摘要： 三菱电机集团近日(2023年6月1日)宣布,其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构,并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW,适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日开始发售。该新结构芯片有望帮助实现铁路牵引等电气系统的小型化和节能化,促进直流输变电的普及,从而为实现碳中和做出贡献。

关键词： MOSFET   半桥LLC谐振变换器   驱动串扰   负压驱动  

摘要： 针对船用开关电源低电压、大电流输出、高效率、电气隔离等需求,采用半桥LLC谐振变换电路方案作为最后级输出进行研究。分析电路中所用MOS管的工作原理和开断过程,简单介绍半桥LLC谐振变换器的工作原理,并给出该变换器的典型驱动方案;发现串扰现象后,给出3种带负压驱动的驱动方案,并分析3种驱动方案的特点,研制出样机并进行试验验证。为开关电源中MOS管的驱动设计提供参考。

关键词： 超薄柔性芯片   弯曲应力效应   MOSFET   压阻系数   器件建模  

摘要： 全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化,且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合,可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型,从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。