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关键词： MOSFET   交流驱动   低电压大电流   高开关频率  

摘要： 根据美科斯叉车集团公司开发新产品的要求,结合电动叉车低电压大电流的控制特点,以功率MOSFET为核心,设计了一种高开关频率下的自举推挽电路和门极快速放电回路。实验结果表明,控制系统波形质量好、推挽电路阻抗小、驱动能力强,减小了门极驱动损耗,增强了MOSFET抗干扰能力,具有良好的调速性能和较宽的调速范围。

关键词： 通信系统   工业电源   MOSFET   DC/DC转换器   内阻   AC/DC   同步整流   逆变器  

摘要： A0N6250是一款150VMOSFET，为众多追求极致效率的设备提供了解决方案。AoN6250适用于通信及工业电源DC／DC转换器原边开关、AC／DC及DC／DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块（POL）。

关键词： 电动汽车   DC—DC变换器   ZVS移相全桥   车用MOSFET   快恢复体二极管  

摘要： 电动汽车需要高功率密度、高效率、高可靠性的高压到低压DC-DC变换器来给车内的低压电子负载提供电源。ZVS移相全桥拓扑利用电路寄生元件实现器件零电压开关,具有开关损耗低、工作频率高、功率器件开关应力小、变换器可靠性高等优点。当出现导通延迟现象时,普通功率MOSFET在移相全桥变换器中由于体二极管反向恢复特性差不能及时清除内部载流子,会导致器件在开关过程中出错,进而影响系统的可靠性。英飞凌新型过AEC-Q101认证高压功率COOLMOS CFDA带有极快速的体二极管,并具有极低的导通电阻。实验表明在移相全桥变换中使用CFDA能够减小潜在体二极管反向恢复问题,提高系统效率以及可靠性,尤其适用于车用HV-LV的DC-DC变换器。

关键词： 功率场效应晶体管   结温   热阻  

摘要： 阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。

关键词： P沟道MOSFET   RDS   Vishay   on   导通电阻   移动电子设备   电源效率   欠压锁定   占位面积  

摘要： Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconixSi7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω,可提高移动电子设备的效率。

关键词： 电源电动势   内阻   欧姆定律   斜率   截距  

摘要： 本文介绍几种测量电源电动势和内阻常见的不同方法,通过对它们进行多角度分析和比较,分解教学难点,以达到教学目标.

关键词： 二合一   MOSFET   大功率场效应管   维修   原理   三星   驱动输出   电源芯片  

摘要： （1）ICE3BR0 665J简介 ICE3BR0665J是PWM控制芯片／MOSFET大功率场效应管的复合电源芯片，包括振荡器、取样稳压、驱动级等控制电路和MOSFET开关管，为单极性控制驱动输出，设有过流、过压、欠压保护功能。ICE3BR0665J引脚功能和对地电压见表2所示。

关键词： 驱动IC   紧凑   栅极驱动器   车用   MOSFET   驱动系统   光电耦合器   IGBT  

摘要： AUIR08152S缓冲栅级驱动器允许使用任何标准的小电流栅极驱动器、光电耦合器或CMOS隔离器来驱动开关应用中的大尺寸IGBT或MOSFET，有效地将低功率或功率不足的栅极驱动提升为大电流驱动系统。AUIR08152S采用紧凑的S08封装，这一高度集成的缓冲器IC可替代10个分立式元件，以实现更简单、小巧、坚固的系统设计。

关键词： Ge   SiGe异质结构   肖特基势垒  

摘要： 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。