课程文献中心 更多>>

关键词： 取值范围   极值法   测量电路   欧姆定律   电源电压   电流表  

摘要： 分析当s接1时，R，与R串联，电流表测量电路中的电流，I=0．2A．根据欧姆定律。

关键词： 欧姆定律   表达式   物理规律   理解  

摘要： 欧姆定律是电磁学中的重要规律,欧姆定律是在大量实验的基础归纳得出的,表达式为I=U/R,只适用于线性元件.而U=IR、R=U/I是不是欧姆定律的变化后的形式？为什么对于非线性元件也适用？本文对I=U/R、U=IR、R=U/I进行分析比较,藉此回答以上两问题.

关键词： P沟道MOSFET   中压   应用   空间   开关性能   开关速度   品质因数   开关损耗  

摘要： FDMC86XXXP系列P沟道PowerTrenchMOSFET在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261I’150V和FDMC86139P100VP沟道MOSFET。与同类器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数（FOM）。此外，其导通损耗减小_，46％，开关损耗减小了38％。因此，设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。

关键词： 欧姆定律   外电路   电阻增大   串并联电路   电动势   滑动变阻器   路端电压   电压表   总电流   变化情况  

摘要： 在解电路题时,通常见到由开关的通断、电阻的变化(如滑线变阻器阻值的变化)引起电路的变化。分析时要紧紧抓住"部分→整体→部分"的思路,先由局部的电阻变化,由欧姆定律、串并联电路的规律来分析整体的电阻、电流、电压的变化,然后再回到局部讨论相关物理量的变化。既要把全电路分解(隔离)为各个部分加以分析,又要把各部分电路结合成一个整体加以考虑,一般要从总电流和各支路电流的关系、电动势和内外电路各部分电压的关系、电源的总功率和内外电路各部分消耗功率的关系三个方面来研究。

关键词： 功率MOSFET   认证   技术   汽车应用   导通电阻   Inc   AEC   N沟道  

摘要： Vishay ***．宣布，发布首颗通过AEC—Q101认证的采用ThunderFET。技术的TrenchFET功率MOSFET为提高效率和节省汽车应用里的空间．Vishay Siliconix 100VN沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK SO—8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。

关键词： 碳化硅   肖特基二极管   MOSFET   开关特性  

摘要： 与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。

关键词： MOSFET驱动器   半桥   保护功能   停滞时间   自适应   击穿  

摘要： Micrel推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605，该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。

关键词： P沟道MOSFET   RDS(on)   功率MOSFET   低导通电阻   电子设备   Inc  

摘要： 日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET＊P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在一IOV和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016n和0．0020Q，可提高移动电子设备的效率。

关键词： 驱动IC   车用   栅极驱动器   MOSFET   光电耦合器   IGBT   CMOS   驱动系统  

摘要： IR推出高度紧凑的AUIR08152S车用栅级驱动IC。 IR AUIR08152S缓冲栅级驱动器允许使用任何标准的小电流栅极驱动器、光电耦合器或CMOS隔离器来驱动开关应用中的大尺寸IGBT或MOSFET，有效地将低功率或功率不足的栅极驱动提升为大电流驱动系统。

关键词： IGBT   MOSFET   静电   导热硅脂  

摘要： 电力电子器件是电力电子电路的基础，掌握各种常用电力电子器件的特性和正确使用方法是我们学好电力电子技术的基础。新型电力电子器件又以IGBT的发展和应用最为广泛。本文主要探讨IGBT的特性及其使用注意事项，提出了在选型、使用和保管过程中应该注意的问题。