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关键词： 驱动器   逆变器   工作电压   焊接设备   太阳能   电机驱动   产品组合   爬电距离   新能源   电气间隙  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离。

关键词： IGBT   MOSFET   dVce/dt   dIc/dt   Trr   开关损失  

摘要： IGBT的门是绝缘结构,和MOSFET一样通过门电压可以控制ON、OFF。开关太快的话,逆恢复电流增大,损失增加;太慢的话,开关上需要时间,损失增加,因此,研讨最佳开关时间,让开关速度(dIc/dt)和电流、开关时间的关系明确化。结果是开关速度定为和负荷电流与逆恢复时间Trr1的比相同的话,很明确得出On时的最小开关损失。

关键词： 闭合电路欧姆定律   对比   突破方法   表达式   电路问题   高中物理   公式变形   教材  

摘要： 闭合电路欧姆定律是高中物理中处理电路问题所用的重要的定律,其表达式有多种,如：I=E/R＋r、E=U外＋U内、U=E-Ir等等.国内几种版本的教材中通常是先突破表达式E=U外＋U内,然后再通过公式变形等手段推导得出其它表达式.下面笔者对比几种版本教材中的突破方法,并提出自己的突破方法,不当之处,请大家批评指正.

关键词： device modeling   energy quantization   inversion charge density   Poisson–Schrdinger equation   trigate MOSFET  

摘要： Quantum effects are predominant in tri-gate MOSFETs, so a model should be developed. For the first time, this paper presents the analytical model for quantization effects of thin film silicon tri-gate MOSFETs by using variational approach. An analytical expression of the inversion charge distribution function（ICDF） or wave function for the tri-gate MOSFETs has been obtained. This obtained ICDF is used to calculate the important device parameters, such as the inversion charge centroid and inversion charge density. The results are validated against with the simulation data.

关键词： 电子负载   恒流   MOSFET   动态负载   STC单片机  

摘要： 为了方便电工电子学等基础电类实验室对电源的测试,设计了一种实验教学中使用的简易直流恒流电子负载。系统采用STC12C5616AD单片机作为控制部分,采用运放与MOSFET构成恒流电路,通过D/A转换控制恒流电路的放电电流,利用MOSFET的耗散消耗能量。单片机可设定系统的多种工作模式,利用四线测量技术减小系统误差。经测试,系统能够稳定工作在恒流模式下,负载电流从10~3 000 mA可调,分辨率为5 mA,并能够检测实际工作电压和电流,具有动态负载功能。测试结果表明,该电子负载恒流效果良好,测量误差在1%以内,满足实验室使用需求,具有很强的实用推广价值。

关键词： P沟道MOSFET   功率MOSFET   低导通电阻  

摘要： Vishay推出具有业内较低导通电阻的新款P沟道MOSFETSi7157DP，扩充其T怕nchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Q和0．0020Ω。

关键词： P沟道MOSFET   RDS(on)   功率MOSFET   低导通电阻   电子设备   Inc  

摘要： 日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω，可提高移动电子设备的效率。

关键词： 氢气   表面态   电荷泵技术   H2  

摘要： 金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的界面态影响器件的正常性能发挥。本文采用在合金制程中通入氢气的方法,并通过电荷泵(Charge Pumping)技术手段测量定性,反映氢气在金属合金(Metal Alloy)制程中对界面态的改善作用。实验结果表明界面态密度的降低不仅与合金制程中通氢气的时间有关,而且与氢气的流量也有关。为工艺改进和提升器件成品率,可靠性提供重要参考信息。

关键词： D类音频放大器   数字音频   芯片组   国际整流器公司   IR   MOSFET   脉冲宽度调制   驱动器IC  

摘要： 国际整流器公司（简称IR）推出全新D类音频芯片组，内含IRS20965数字音频驱动器IC，可提供受保护的脉冲宽度调制（PWM）开关和完整的音频MOSFET，为高性能D类音频放大器产品优化。

关键词： Electrical   Characterization   MOSFET   Indium   Deep   Traps   Kink   Effect   Impact   Ionization  

摘要： Several methods of characterization of trap levels like I-V, C-V and transient spectroscopy (DLTS) were used to determine the accurate values of the activation energies of traps present in N+P junctions obtained after retrograde profile implantation of indium and boron on silicon. Four main traps located at Ev + 0.15 eV, Ev + 0.21 eV, Ev + 0.28 eV and Ev + 0.46 eV are reported. Shallow levels are also calculated from I-V characteristics. Concurrently, indium channel doped NMOSFETs are investigated showing the kink phenomenon. In order to discuss the relationship between the kink effect and the active indium trap level situated at 0.16 eV, the transient effects are studied by varying the integration time and the temperature. The effects of substrate polarization are also carried out showing the reduction of the kink with the bulk positive polarization.