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关键词： 导通电阻   电子   封装   栅极驱动   设计创新   中国市场   产品   新版本   沟道   器件  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm×3.3mm封装的-20VP沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8mΩ,是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK1212封装的首款器件。《今日电子》杂志的编辑从2013年在中国市场上推出的数百款产品中,根据设计创新、在技术和应用上的显著改进,以及价格和性能上的重大成绩进行评估。Vishay的Si7655DN MOSFET因其在MOSFET领域取得的成功而获奖。

关键词： 新型功率半导体器件   MOSFET   IGBT   宽禁带半导体  

摘要： 新型功率半导体器件既具有广阔的市场需求,又与风电、光伏、有轨交通等新兴产业密不可分,具有节能、节材、环保等效益,对促进可持续发展有重要意义。宽禁带半导体是功率器件实现飞跃的突破口,将引领功率器件发展的新时代。

关键词： 步进电机   电机驱动   驱动芯片   预驱动   集成电路芯片   运动控制   分立   半桥   封装   驱动线圈  

摘要： 全球领先的步进电机及运动控制供应商TRINAMIC宣布,推出一系列分立MOSFET集成电路芯片,这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱动和预驱动芯片而设计的互补型产品。该全桥/半桥MOSFET封装是驱动线圈电流峰值在2.5 A至5.5 A,电压30 V至60 V之间的步进电机的理想选择。

关键词： MOSFET驱动器   半导体公司   半桥   麦   保护功能   停滞时间   Inc   自适应  

摘要： 麦瑞半导体公司（Micrel Inc．）近期推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605，该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。

关键词： 动态电路   初中物理   解题   电路故障分析   滑动变阻器   教学过程   欧姆定律   动态变化  

摘要： 电路动态分析题是初中物理电学部分教学过程中的重点和难点，在历年中考试题中出现的几率较高．此外电路故障分析也常以电路动态分析能力作为基础，要求教师及学生有较高的分析能力．电路的动态分析，是欧姆定律的具体应用，电路发生动态变化的原因是由于电路中由于开关的通断、滑动变阻器触头位置的变化，引起电路的电阻发生改变，从而引起电路中各物理量的变化，动态电路的常见类型如下：

关键词： MOSFET   飞兆半导体   开关速度   P沟道  

摘要： 飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrenchMOSFET，任尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。

关键词： 双栅金属-氧化物-半导体场效应管   亚阈值特性   摆幅   短沟道效应  

摘要： 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。

关键词： MOSFET   意法半导体   计算机电源   封装技术   充电器   逆变器   太阳能  

摘要： 意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品，让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。

关键词： 步进电机控制器   大电流   电源设计   德州仪器   导通电阻   通道器件   输入电压   高效率   封装   散热性能  

摘要： <正>德州仪器(TI)宣布推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET,其支持40 V至100 V输入电压,进一步壮大了TI普及型NexFET产品阵营。高效率NexFET包括40 V、60 V、80 V以及100 V N通道器件,可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。

关键词： 二极管   热插拔   电阻器   MOSFET  

摘要： 利用凌力尔特的产品系列LTC4225、LTC4227和LTC4228,通过控制外部N沟道MOSFET,为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。这些器件提供快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能,同时,还具有严格的5%电路断路器门限准确度和快速响应电流限制,可保护电源免受过流故障影响。