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关键词： 展开机构   控制器   DSP   电机控制   MOSFET  

摘要： 为了使中型大展弦比折叠翼无人机机翼稳定、可靠、可控展开,该文采用主控、从控架构方法,提出了一种可拓展展开机构控制器详细设计方法。通过折叠翼无人机飞行展开试验验证,证明该控制器产品配合展开机构电机及作动器能够稳定、可靠、可控的将折叠翼无人机在空中展开。该方法较扭簧或弹簧式展开机构更适用于中、大型高价值折叠翼无人机。

关键词： 生成性学习   生成性思维   核心素养   科学思维  

摘要： 基于生成性学习理论,采用科学预设、促进生成的教学模式,既关注教又关注学。以“闭合电路的欧姆定律”教学设计为例,通过“情境激疑、鼓励探究、延展思维、促进迁移”等教学流程,培养学生生成性思维,继而助力学生科学思维能力的提升。

关键词： 浮栅   肖特基势垒MOSFET   辅助栅  

摘要： 为改善低肖特基势垒MOSFET器件的性能表现,提出一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET。该器件采用鳍型主控栅,体硅两侧各设置一个浮栅作为辅助栅,通过最外围控制栅向浮栅冲入电荷。通过与传统低肖特基势垒场效应晶体管的输出特性曲线对比,分析所提出器件结构的性能优势;分析浮栅电荷量、氧化层厚度对器件的影响,并依此进行结构优化。经仿真分析表明,器件在工作时两侧的浮栅有助于实现更高的正向导通电流和更低的反向泄漏电流,大大降低器件的静态功耗。

关键词： 简单电路   欧姆定律   单元教学   单元重构   课程标准  

摘要： 初中物理课程具有基础性、综合性、全面性的特点,这要求单元教学必须针对教学内容和教学方略进行深度重组匹配以实现在单元层面统领课时教学.梳理总结出单元重构实施的基本流程,以新课标的目标理念为导向,基于教学实践探讨单元重构的方法策略,并以“简单电路和欧姆定律”为例,为单元教学的突破和新课标理念的落实提供借鉴.

关键词： SiC功率MOSFET   建模   反向恢复   集总电荷模型   双脉冲测试   开关损耗  

摘要： 本文提出一种实用的SiC功率MOSFET建模方法。所建立的模型可在图形化仿真软件中实现,用于电力电子电路损耗分析。首先,基于器件规格书数据建立器件的静态模型;然后,对SiC功率MOSFET的物理结构、物理特性进行分析,依据分析结果对规格书数据进行扩展,建立模型的各个动态部分,从而构成完整的模型;最后,建立多种商用SiC功率MOSFET模型,并对模型进行仿真和实验验证,验证结果显示模型具有令人满意的精度和适用范围。本文建模方法所用数据仅源自产品规格书,无须通过测量获取规格书之外的其他数据。

关键词： 惠普忆阻电路   惠普忆阻器   增量线性   叠加定理   PSpice仿真  

摘要： 基于惠普(HP)忆阻器的元件特性,该文分析了惠普忆阻器的数学关系式,惠普忆阻元件的内部状态变量与忆阻阻值之间存在增量线性关系,在外加电压下惠普忆阻器阻值的变化可叠加,得出了惠普忆阻电路具有线性叠加性的结论。通过PSpice电路仿真验证上述结论的有效性和正确性,为叠加定理在含惠普忆阻器及线性元件的线性电路中的使用提供了理论分析支撑。

关键词： β-Ga_(2)O_(3)   MOSFET   multi-finger   self-heating effect  

摘要： The self-heating effect severely limits device performance and *** some studies have revealed the heat distribution ofβ-Ga_(2)O_(3) MOSFETs under biases,those devices all have small areas and have difficulty reflecting practical *** work demonstrated a multi-fingerβ-Ga_(2)O_(3) MOSFET with a maximum drain current of 0.5 *** characteris-tics were measured,and the heat dissipation of the device was investigated through infrared *** relationship between device temperature and time/bias is analyzed.

关键词： 储能变流器   功率单元   叠层母排   杂散电感   散热设计  

摘要： 随着储能变流器向大容量、模块化发展,碳化硅(SiC)器件由于其低损耗、耐高温的特性,逐渐成为研究热点。然而SiC器件过高的开关速度使其对电路中杂散电感更加敏感,并且高温运行环境也会对器件长期安全可靠的运行带来影响。因此针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元,重点研究了其低感设计和散热设计方法,并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构,将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH,有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究,确立了散热方案,使器件在运行过程中的最高温度不超过50℃。最后,搭建了功率单元样机并进行对拖实验,验证了叠层母排结构优化设计和功率单元散热设计方案的有效性。

关键词： 电阻器   电流表   高阻抗   万用表   比例函数   欧姆定律   低阻值   拓扑结构  

摘要： 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用检流电阻器的基础知识电路中的电流检测技术多种多样。其中最简单和最常见的方法之一是使用专用的检流电阻器。如下图所示,这种电阻器有两种用法。其一是图左侧的分流配置,其中大部分电流流经检流电阻器,而已知比例的电流流经电流表。该比例是已知电流表电阻和已知分流电阻的比例函数,因此可以计算出电路中的总电流。其二是图右侧的串联感测拓扑结构,其中所有电流都流经阻值较低的检流电阻器,再用高阻抗万用表测量其两端的电压。这样,电路中的总电流就可以运用欧姆定律轻松计算出来。

关键词： 功率器件   SiC   温度特性   结温评估   温敏电参数(TSEP)  

摘要： 与Si器件相比,SiC器件具有更加优异的电气性能,新特性给其结温评估带来了新挑战,许多适用于Si器件的结温评估方法可能不再适用于SiC器件。首先对SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度特性进行了分析,阐述了本征载流子浓度、载流子迁移率等参数受温度的影响机理,分析了器件阻断特性、输出特性、转移特性等参量,以便找到能够表征结温特性的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法,并重点阐述了温敏电参数(TSEP)法在SiC MOSFET结温评估领域的应用前景,从线性度、灵敏度等6个方面对比分析了各方法的优缺点,并指出阈值电压和体二极管压降作为TSEP具有显著优势;最后分析了TSEP法在目前工程应用中面临的挑战,并对未来的研究工作进行了展望。