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关键词： 开关稳压器   安森美半导体   MOSFET   固定频率   电流模式   开关电源   高可靠性   周期模式  

摘要： 安森美半导体推出三款新的电流模式固定频率开关稳压器。NCP1129、NCP1126及NCP1124开关稳压器用于紧凑及高可靠性的离线AC—DC开关电源，包含额定雪崩能量650V MOSFET、提升轻载和待机能效的频率反走及跳周期模式，符合美国“能源之星（ENERGY STAR）”外部电源（EPS）2．0标准。

关键词： 主板   音频   MOSFET   供电设计   处理器   电路部分   转换效率   芯片组  

摘要： 精英Z97 MACHINE主板定位于极致玩家，以玩家所需的特色技术加上优质的主板用料进行打造。该主板基于Z97芯片组，支持Haswell及Haswell Refresh处理器。处理器供电电路部分使用了六相供电设计，基本满足处理器的超频需要，双向高速MOSFET搭配低温电感和日系固态电容，提供了90％的转换效率。在扩展槽上，两根PCI-E X16支持AMD CrossFire互联。

关键词： 电感拓扑   小讯号MOSFET   DC/DC变换器   功率损耗  

摘要： 现代电子设备的多功能化，需要为其不同的功能单元提供不同的直流（DC）电压。这种情况下，一般址使用内部电路通过升瓜或降压的方式变换电压，为电子设备中负责不同功能的单元供电。由于供电单元较多，故降低电源在变换过程中的功率损耗是十分重要的设计任务。采用以电感为基础的电压变换拓扑。搭配以小讯号金属氧化物半导体场效应晶体管（M0SFET）开关元件，是DC／DC变换中降低功率损耗的有效方法。

关键词： 功率MOSFET   DirectFET封装   表面贴装封装   大电流密度   整体系统   工业设计   超精密   低成本  

摘要： IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装，其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式（ME）DirectFET封装，可提供大电流密度，有效缩减整体系统尺寸并降低成本，适用于空间受限的大功率工业设计。

关键词： 高中物理   初中物理   高中物理教师   欧姆定律  

摘要： 与艺体成果全省知名一样,四川省冕宁县泸沽中学的另一特色是高初中并存.笔者得以同时上高、初中物理课,目睹了高、初中物理在教材,教法,学生知识掌握情况上的大幅落差.现将主要情况总结如下,以期认识差异,找出原因,进而寻求解决问题的方法.一、原因——初、高物理有台阶1.思维台阶——初中重形象高中重抽象初、高中学生在心理及认知能力上存在着较大的差异.初中学生的思维正处于由具体形象思维转向抽象逻辑思维的发展阶段.

关键词： GeOI MOSFET   high-k gate dielectric   short-channel effect   drain-induced barrier lowering effect  

摘要： The influences of the main structure and physical parameters of the dual-gate GeOl MOSFET on the device performance are investigated by using a TCAD 2D device simulator. A reasonable value range of germanium （Ge） channel thickness, doping concentration, gate oxide thickness and permittivity is determined by analyzing the on-state current, off-state current, short channel effect （SCE） and drain-induced barrier lowering （DIBL） effect of the GeOI MOSFET. When the channel thickness and its doping concentration are 10-18 nm and （5-9）×1017 cm-3, and the equivalent oxide thickness and permittivity of the gate dielectric are 0.8-1 nm and 15-30, respectively, excellent device performances of the small-scaled GeOI MOSFET can be achieved： on-state current of larger than 1475 μA/μm, off-state current of smaller than 0.1μA/μm, SCE-induced threshold-voltage drift of lower than 60 mV and DIBL-induced threshold-voltage drift of lower than 140 mV.

关键词： MOS管   导通电阻   开尔文连接   自动测试设备   待测器件   晶圆测试   管芯  

摘要： 导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET晶圆测试中的一个难点。要实现毫欧级导通电阻的测试,必须用开尔文测试法;但实际的MOSFET晶圆表面只有两个电极(G、S),另外一个电极(D)在圆片的背面,通常只能将开尔文的短接点接在承载圆片的吸盘边缘,无法做到真正的开尔文连接,由于吸盘接触电阻无法补偿而且变化没有规律,导致导通电阻无法精确测量。介绍了一种借用临近管芯实现真正开尔文测试的方法,可以实现MOSFET晶圆毫欧级导通电阻准确稳定的测量。

关键词： 欧姆定律   有效性   反思   电路设计   滑动变阻器  

摘要： "教然后而知困"。教学反思是一种有益的思维活动和再学习活动;也是回顾教学——分析成败——查找原因——寻求对策——以利后行的过程。

关键词： 线性电路   叠加定理   诺顿定理   戴维宁定理   分析方法  

摘要： 对线性电路分析方法的研究不仅在学习电路分析这门专业基础课程中具有举足轻重的作用,而且能使我们更好地适应不断变革的科学技术要求,帮助我们更好地理解理论知识,深刻地掌握并应用到实践中去。该文首先对线性电路的相关概念做了简要的介绍,接着对线性电路的分析方法做了详细的阐述,在阐述分析方法时以叠加定理、诺顿定理与戴维宁定理的研究做为重点并围绕其展开;最后例举了关于线性电路方面一题多解的例子,说明分析线性电路的方法有很多。通过该文对线性电路分析方法的研究,有利于我们更透彻地掌握相关方面的理论知识,而且可以通过研究使我们更深入地理解学科的相关领域,并更好地指导我们在实践中应用它们。

关键词： 无刷电机   ARM   MOSFET   模糊自适应PID控制  

摘要： 基于ARM芯片STM32F103VET6和功率MOSFET管,设计了一种适用于低电压、较大电流无刷电机的控制器。详细介绍了控制板和功率板的硬件结构以及保护电路的设计。采用模糊自适应PID算法实现速度闭环与电流闭环控制。实验结果表明,控制器响应速度快、运行稳定及可靠性高,能够满足使用要求。