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关键词： MOSFET   沟道   亚微米   SiC   南京电子器件研究所   自对准技术   加工工艺   导通电流  

摘要： 南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

关键词： 高功率微波   沟道宽度   快回电压   热积累   轻掺杂漏极  

摘要： 关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下对于器件电击穿和热积累的影响。研究结果表明,随着器件宽度的增加,标志着二次击穿开始发生的"快回"电压Vt1会明显降低,因此在HPM注入下,较大宽度的器件将有更多的时间处于击穿区域;同时,高功率微波引起热集聚效应在大沟道宽度器件中将更加显著,其内部的峰值温度大于沟道宽度较小的器件。提出了一种新型的轻掺杂漏极结构,能够改善器件内部沿宽度方向上的热扩散条件,减小器件内部的峰值温度,并可提高器件的Vt1,进而提高器件在HPM下的稳定性。

关键词： 太阳能逆变器   太阳能市场   光伏系统   Sanix   SiC   MOSFET   散热设计   开关损耗   功率型   工  

摘要： 科锐宣布C2M系列1200V/80mSiC MOSFET被日本Sanix公司采用,应用在其新型9.9 kW三相太阳能逆变器的设计之中,以用于日本快速增长的太阳能市场商业光伏系统建设。Sanix公司总经理Hiroshi Soga表示:"通过与科锐的合作并采用其SiC技术,Sanix公司能够在竞争激烈的日本太阳能市场争取更多的市场份额,科锐SiC MOSFET是Sanix公司实现高效率与散热设计目标的关键。

关键词： IGBT   特性   MOSFET   双极型晶体管   大功率器件   代换   大电流密度   Gate  

摘要： ***的特性绝缘双栅极晶体管（lusulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看做是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极（如图1所示）,分别称为栅极G（控制极或门极）、集电极C（漏极）和发射极E（源极）。

关键词： 新器件   MOSFET   低导通电阻   高压   低开关损耗   栅极电荷   开关电源   高功率  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。

关键词： MOSFET驱动器   半导体公司   全桥   麦   保护功能   停滞时间   电源效率   电动工具  

摘要： 麦瑞半导体公司（Micrel, Inc.）日前推出一款85 V全桥MOSFET驱动器MIC4606，该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。这款元件是麦瑞半导体最初于2013年推出的85 V MOSFET 驱动器系列的成员。麦瑞半导体高性能线性和电源解决方案部门营销副总裁Brian Hedayati表示：“无处不在的电动工具市场悄无声息地经历了技术上的改进，通过添加控制算法来提高用户生产效率和安全性，并延长产品使用寿命。麦瑞半导体的85 V全桥MOSFET驱动器提供先进的电路设计，其自适应停滞时间可带来较高的电源效率，而击穿保护可增强可靠性。M I C4606是业内最坚固、最节能的全桥MOSFET驱动器之一，旨在满足步进电机、直流有刷和无刷电机以及直流/交流逆变器等众多应用的需求。”

关键词： MOSFET驱动器   半导体公司   电池供电   技术改进   工具   全桥   不间断电源   麦  

摘要： 2014年9月25日一高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司（Micrel，Inc．）（Nasdaq：MCRL）今天推出一款85V全桥MOSFET驱动器MIC4606，该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。这款元件是麦瑞半导体最初于2013年推出的极其成功的85VMOSFET驱动器系列的成员，专注于满足多种应用不断增长的电力需求。85VMIC4606系列是麦瑞半导体为满足电池供电的工具、不间断电源、无线电控制的玩具和不断增长的无人机市场的需求而实施的策略的一部分。

关键词： Vishay   低导通电阻   开关电源   栅极电荷   SMPS   首款   开关损耗   消费类产品   开关速度   反激  

摘要： 2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。

关键词： 基尔霍夫电流定律   电工学   集成运放  

摘要： 从基尔霍夫电流定律(KCL)出发,分析了反相比例、同相比例、加法、减法等四种由集成运放组成的运算电路,该方法具有简单可行、可操作性强等优点,可以提高课堂教学效果和学生的学习兴趣,调动学生的主观能动性,学生评价较好。

关键词： 意法半导体   汽车应用   晶体管   ST   MOSFET   开关噪声   电压脉冲   电压范围  

摘要： 意法半导体最先进的 STripFETTM F7系列低压功率 MOSFET 产品新添三款100 V 汽车级产品。 STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和 STP315N10F7优化了body-drain diode （体-漏极二极管）性能，在工作电压范围内最大限度降低峰值电压脉冲和开关噪声，实现更稳健、更可靠和更高效的设计。