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关键词： AC-DC电路   圆片测试   成品测试   闭环测试   测试参数   自动测试设备   管芯  

摘要： 对于AC-DC电路测试,圆片测试(CP)一般采用开环测试的方法,测试项目较少,从而使CP的测试时间大大减少,提高了测试效率以及测试产能。CP测试的目的是测试基准电压以及输出波形等参数,并对相应参数进行工艺上的修调,使得这些参数达到中心值,保证芯片基本功能的准确;但CP测试并不是应用环境下的芯片状态,所以当AC-DC电路进行成品测试(FT)的时候,通过模拟芯片的应用环境来测试芯片在应用端的参数,从而确保芯片在工作环境中能正常应用,达到检测芯片的目的。主要介绍了AC-DC电路在闭环应用环境下各项参数的测试方法,确保电路功能的稳定性以及可靠性。

关键词： dual-material-gate MOSFET   lightly doped drain   short channel effect   threshold voltage  

摘要： An analytical model for the channel potential and the threshold voltage of the short channel dual-material-gate lightly doped drain （DMG-LDD） metal-oxide-semiconductor field-effect transistor （MOSFET） is presented using the parabolic approximation method. The proposed model takes into account the effects of the LDD region length, the LDD region doping, the lengths of the gate materials and their respective work functions, along with all the major geometrical parameters of the MOSFET. The impact of the LDD region length, the LDD region doping, and the channel length on the channel potential is studied in detail. Furthermore, the threshold voltage of the device is calculated using the minimum middle channel potential, and the result obtained is compared with the DMG MOSFET threshold voltage to show the improvement in the threshold voltage roll-off. It is shown that the DMG-LDD MOSFET structure alleviates the problem of short channel effects （SCEs） and the drain induced barrier lowering （DIBL） more efficiently. The proposed model is verified by comparing the theoretical results with the simulated data obtained by using the commercially available ATLASTM 2D device simulator.

关键词： 栅极驱动器   Microchip   数字信号控制器   PIC单片机   MOSFET   dsPIC   电源模块   休眠模式  

摘要： Microchip推出两款集成了电源模块、LIN收发器和休眠模式的三相无刷直流（BLDC）电机栅极驱动器MCP8025和MCP8026（MCP8025／6）。 这两款器件能够为广泛的Microchip dsPIC数字信号控制器（DSC）和PIC单片机（MCU）供电；通过驱动MOSFET，检测电流，防止短路，输出过零，控制死区和消隐时间，监测过压，欠压、过温和其他温度警告等故障状态，从而对控制算法进行补充。

关键词： 功率MOSFET   低导通电阻   SO-8封装   导热性能   汽车应用   电机控制   车身控制   功率密度  

摘要： IR推出两款40V车用COOLiRFET功率MOSFET产品，AUlRFN8459和AUlRFN8458，为需要小体积、大电流的汽车应用，比如泵电机控制、车身控制等提供基准导通电阻（Rds（on））。 AUIRFN8459实现了基准性能，即每通道5．9mΩ的超低导通电阻，可承载50A大电流。与SO-8封装相比，新型5mm×6mm双PQFN COOLiRFET器件提供到电路板的低导热路径和更高的导热性能，具有更高的效率和功率密度，以及更低的整体系统成本。

关键词： 同步整流器   Schottky二极管   移动设备   整流输出电压   MOSFET   Dialog   功率密度   温度限值  

摘要： iW671使用一个更加高效的MOSFET替代传统电源中的次级侧Schottky二极管，并与Dialog的iW1786或iW1787初级侧控制器配合使用，所达效率超过88％。同时，强劲有力的小型适配器可满足更高的功率密度需求，而且不会超过温度限值。 传统电源使用Schottky二极管整流输出电压（将AC电压转变为DC电压）。通过使用同步整流器替代Schottky二极管，MOSFET在转换时所降电压低于Schottky二极管的正向电压，从而减少功率损耗。

关键词： 液晶彩电   逆变器   背光板   厦华   过电流保护   维修   MOSFET   电压保护功能  

摘要： 厦华LC-19/22HC56液晶彩电的逆变器采用BIT3713和两对复合MOSFET开关管组合方案,为4只背光灯提供交流高频高压。还具有过电流保护、过电压保护功能,保护电路启动时,迫使逆变器停止工作。一、逆变器板工作原理1.逆变器电路厦华LC-19/22HC56 液晶彩电的背光板原理图如图1所示。主要由背光控制电路、驱动输出与高压形成电路、保护检测电路组成。

关键词： 游戏主板   七彩虹   定制   供电系统   MOSFET   SO-8封装   钽电容   产品线  

摘要： 经过多年耕耘，七彩虹iGame已经成长为一个倍受玩家关注的品牌。现在，为了带给玩家更加全面的游戏体验，七彩虹开始扩大iGame产品线，在今年下半年推出了专为玩家设计的iGame游戏主板。如果说从第一观感来看，那么这款iGame Z97烈焰战神X主板最引人瞩目的就是它那庞大的供电系统。这款主板采用了多达16相、名为“I．P．P至纯”的供电系统，其供电电路由SO-8封装的AOS低内阻MOSFET、黑化固态电容、全封闭电感，以及贴片钽电容组成。

关键词： 欧姆定律   初中物理   备课   物理教学   物理教材   北师大版   教学内容   抽象性  

摘要： 1 问题提出与分析 在初中物理教学中,欧姆定律长期以来都是一个重点、难点.其内涵的抽象性、关系的复杂性等常使教学上的困难异常巨大.有鉴于此,我们进行了系统的梳理. 现行人教版、北师大版等初中物理教材都将“欧姆定律”单列一章,先介绍电流、电路、电压、电阻、变阻器等相关概念与仪器,而后在“欧姆定律”一章内则主要安排了如下教学内容：（1）探究电流、电压与电阻的关系;（2）欧姆定律;（3）电阻的测量;（4）欧姆定律的应用等小节.这种章内与章外的安排作为一种“分散难点、螺旋上升”的考量,是适当且必要的.

关键词： HCPL0601   光电隔离   功率MOSFET   驱动电路  

摘要： 本文首先介绍了光耦HCPL0601的工作特性及其应用。并提出了一种应用HCPL0601实现光电隔离的功率MOSFET驱动电路的设计方案。该驱动电路同时适用于驱动上、下管的导通与关断。实验结果表明,该驱动电路可以得到有效的驱动信号。

关键词： 4H-SiC   MOSFET   trench   field plate  

摘要： Field plate(FP)-terminated 4H-SiC trench gate MOSFETs are demonstrated in this work.N+/P?/N?/N+multiple epitaxial layers were grown on 3-inch N+type 4H-SiC substrate by chemical vapor deposition(CVD),and then the 4H-SiC trench gate MOSFETs were fabricated based on the standard trench transistor ***-voltage measurements in forward and reverse bias have been performed on different devices with and without FP *** is found that more than 60%of the devices protected with FP termination are able to block 850 *** measurements also show that the devices have the small leakage currents 0.15 nA at 600 V and 2.5 nA at 800 V,*** experimental results also were compared with the simulated results,which show good agreement with each other in the *** limited performance of the devices is mainly because of the damage induced on the trench sidewalls from the etching process and the quality of the SiO2 ***,the 4H-SiC trench gate MOSFETs are expected to be optimized by reducing the etching damage and growing high-quality SiO2 dielectric films.