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关键词： SPICE模型   BSIM3v3模型   热载流子注入(HCI)   可靠性   参数  

摘要： 研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究对象,在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改,实现了该可靠性模型。实验表明,该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化,进而评估标准工艺器件的寿命。

关键词： 功率场效应管   失效分析   可靠性   终端结构   击穿电压   芯片面积  

摘要： 对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。

关键词： MOSFET管   工作原理   特性   开关电源   电机驱动   工作电压   工作电流   功率管  

摘要： 在开关电源、逆变、电机驱动等电路中，随处可见到MOSFET管的身影，如图1所示。由于这些MOSFET管多作为功率管使用，其工作电压高，工作电流大。属于电路的易损元件。为便于检测与代换，有必要对MOSFET管的工作原理与特性进行全面了解。

关键词： 高压脉冲   MOSFET   脉冲产生器   驱动电路  

摘要： 通过研究功率MOSFET器件的开关特性和脉冲产生技术,设计了互补推挽和集成芯片两种MOSFET栅驱动脉冲电路,其较好的驱动能力,极大的提升了MOSFET的开关速度,分别实现了上升(下降)时间小于5 ns和2.5 ns、输出幅度300~500 V、脉冲宽度5 ns^0.2ms可调的高速、高压的脉冲产生与放大。据此研制成功的脉冲产生器具有稳定性好、带负载能力强、输出脉宽调节范围大、体积小等特点。该脉冲产生器已成功应用于像增强器高速摄影的电子快门装置,并在其他需要高速、高压脉冲领域有一定应用前景。

关键词： Multisim   10   叠加   教学  

摘要： 将Multisim10仿真软件应用于电路基础教学过程中,与传统教学模式相比,提高教学效率,使学生加深对课堂内容的理解,增强学生的实验能力和电路分析能力。

关键词： 调速控制器   MOSFET功率管   散热性能  

摘要： 以80 V/400 A交流调速控制器为例,选择2种类型的MOSFET功率管,根据其型号和并联数量确定2种调速控制器的布局和整体结构,并利用ANSYS对MOSFET功率管进行发热仿真分析。结果表明,选择少量内阻小的MOSFET功率管并联,发热量大,但可优化控制器结构;多只内阻大的MOSFET功率管并联,发热量小,但其结构稍微复杂。MOSFET功率管的型号决定了控制器的整体布局和散热性能。

关键词： MOSFET   CNTFET   temperature   oxide thickness   threshold voltage   channel length  

摘要： A comparison of the CNTFET device with the MOSFET device in the nanometer regime is reported. The characteristics of both devices are observed as varying the oxide thickness. Thereafter, we have analyzed the effect of the chiral vector and the temperature on the threshold voltage of the CNTFET device. After simulation on the HSPICE tool, we observed that the high threshold voltage can be achieved at a low chiral vector pair. It is also observed that the effect of temperature on the threshold voltage of the CNTFET is negligibly small. After that, we have analyzed the channel length variation and their impact on the threshold voltage of the CNTFET as well as MOSFET devices. We found an anomalous effect from our simulation result that the threshold voltage increases with decreasing the channel length in CNTFET devices; this is contrary to the well known short channel effect. It is observed that at below the 10 nm channel length, the threshold voltage is increased rapidly in the case of the CNTFET device, whereas in the case of the MOSFET device, the threshold voltage decreases drastically.

关键词： 成立条件   欧姆定律   模型   焦耳定律   引导学生   物理老师   物理知识   初中生  

摘要： 初中生在学习了电功和焦耳定律之后，物理老师就应该引导学生，尝试运用所学的物理知识，构建欧姆定律成立条件的理论模型。

关键词： 电导率   欧姆定律   经验公式   甜度仪  

摘要： 用电导率探头测不同浓度的糖溶液的电导率.得到电导率-糖的体积百分含量的经验公式.应用欧姆定律,控制变量,以苹果汁的电导率为桥梁,根据经验公式反推其中的糖含量,得到苹果汁中糖的体积百分含量-电流为自变量函数关系,判断苹果甜度,制作简易甜度仪.

关键词： 教材分析   物理学科   并联电路   高中物理   焦耳定律   串联电路   实验手段   实验科学   能力层面   教师活动  

摘要： 教材分析《闭合电路的欧姆定律》是普通高中物理课程人教版选修3-1第二章第7节的内容。本节课是在学习了电源、电动势、串联电路和并联电路、部分电路欧姆定律和焦耳定律基础上进行的,可说是部分电路欧姆定律的延伸,是分析各种电路(感应电动势的电路、交流电的电路)的基础,是电学的基本规律之一,也是本章的教学重点。而且,本节教材展示了物理学科的特点——实验科学,体现了用实验手段研究物理问题的思想方法。二。