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关键词： 系统分析方法   电热丝   内能积存原理   焦耳定律   欧姆定律  

摘要： 目前,汽车行业发展前景较为良好,但竞争日趋激烈,需从中找到新的开发项目,以更人性化的体验为顾客服务。基于现实情况,根据现代高等物理学理论中的能量转换与守恒定律、电力学理论和电磁学等相关理论知识以及高等数学逻辑分析研究方法,结合国内外常见的现代汽车结构模型和生活实践中的现象,通过绘制相关原理图和进行大量试验,经过全面系统的分析和验证,设计了一款符合现代科学中基于人性化领域的认知性产品,希望借此使更多人理解科技创新的概念,它并不只在于简单的表面模仿,更在于理论与实践相结合所蕴藏的潜在价值。

关键词： 意法半导体   ST   输出电容   导通电阻   逆变器   热耗散   照明系统   junction   系列产品   功率密度  

摘要： 意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）的最新超结（super-junction）功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求,同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。 MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术,取得了比上一代产品更低的导通电阻（RDS（ON））,以及更低的栅电荷量（QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。

关键词： Multi-Gate   MOSFET   (Metal-Oxide-Semiconductor   Field-Effect   Transistor)   FINFET   Silicon   on   Insulator   Negative   Resistance  

摘要： In this paper the physical characteristics of FINFET (fin-field effect transistor) transistor behavior are investigated. For the analysis, semi-classical electron transfer method was used based on drift diffusion approximation by TCAD (Tiber CAD) software. Simulations show that the output resistance of FINFET along very small gate (gate length and fin height of 50 nm) is negative. The negative resistance is used in oscillators.

关键词： 功率管   电子工程师   工作过程   应用特性   问题分析   汇总整理   负温度系数   导通时间   最高允许结温   关断  

摘要： 在作者工作过程中,曾碰到客户咨询许多有关功率MOSFET的问题,有些问题涉及到功率MOSFET的数据表中的各种参数,有些和功率MOSFET的具体的应用特性相关,本文中作者将这些典型的问题汇总整理,希望对广大的电子工程师有所帮助。

关键词： 金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)   变掺杂   电荷耦合   场板   低栅漏电容  

摘要： 电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研究，结果表明：N1区和N2区浓度分别约为2．2×10^16cm^-3和4．5×10^15cm。时，电场分布更加均匀、耐压更高，且比导通电阻仅为1．306mQ·cm^2，即击穿电压和比导通电阻间达到最佳匹配。同时，还针对器件不同槽深进行了静态特性和动态特性的整体仿真优化研究，结果表明：槽深在7～9μm时，器件满足耐压要求且击穿电压随双漂移区掺杂浓度匹配程度变化较为平稳。最后，优化结构与传统槽栅MOSFET相比，其栅漏电容和栅电荷大幅降低，器件优值降低了约87％。

关键词： 国际整流器   IR   锂离子电池   高效散热   导通电阻   导通损耗   栅极驱动   保护电路   销售副总裁   电路板空  

摘要： 国际整流器针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。

关键词： Microchip   栅极驱动器   DC电机   数字信号控制器   PIC单片机   MOSFET   电源模块   睡眠模式  

摘要： 不久前，Microchip发布了带有集成电源模块、LIN收发器和睡眠模式的MCP8025和MCP8026三相无刷直流（BLDC）电机栅极驱动器。这些器件可以驱动各种MicrochipdsPIC数字信号控制器（DSC）和PIC单片机（MCU），通过驱动MOSFET、感应电流、防止短路、输出零交叉、

关键词： IR   国际整流器   高效散热   功率半导体   导通电阻   移动应用   导通损耗   栅极驱动   保护电路   漏极  

摘要： 全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FETMOSFET。 全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。

关键词： N沟道MOSFET   Vishay   软开关   导通电阻   恢复电荷   可再生能源   节约能源   零电压开关   反向  

摘要： 2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay SiliconixSiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。

关键词： 电子材料   安森美半导体   保护控制器   锂离子电池   电路技术   MOSFET   高度集成   集成控制器  

摘要： 安森美半导体推出高度集成的锂离子电池保护控制器 7月23日，安森美半导体推出新的锂离子电池保护控制器（LC05111CMT），用于智能手机和平板电脑。高度集成的LC05111CMT利用模拟电路技术、MOSFET技术、先进封装装置和技术，在单个电路中集成控制器及驱动器功能。