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关键词： 横向双扩散金属氧化物半导体器件   超结   击穿电压   比导通电阻  

摘要： 为了突破传统横向双扩散金属-氧化物-半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)击穿电压与比导通电阻的极限关系,本文在缓冲层横向双扩散超结功率器件(super junction LDMOS-SJ LDMOS)结构基础上,提出了具有缓冲层分区新型SJ-LDMOS结构.新结构利用电场调制效应将分区缓冲层产生的电场峰引入超结(super junction)表面而优化了SJ-LDMOS的表面电场分布,缓解了横向LDMOS器件由于受纵向电场影响使横向电场分布不均匀、横向单位耐压量低的问题.利用仿真分析软件ISE分析表明,优化条件下,当缓冲层分区为3时,提出的缓冲层分区SJ-LDMOS表面电场最优,击穿电压达到饱和时较一般LDMOS结构提高了50%左右,较缓冲层SJ-LDMOS结构提高了32%左右,横向单位耐压量达到18.48 V/μm.击穿电压为382 V的缓冲层分区SJ-LDMOS,比导通电阻为25.6 mΩ·cm2,突破了一般LDMOS击穿电压为254 V时比导通电阻为71.8 mΩ·cm2的极限关系.

关键词： 滑动变阻器   初中物理   教学   秩序   课堂   欧姆定律   伏安法   实验  

摘要： 滑动变阻器是初中物理的重要电学元件,在探究电路中电流大小与哪些因素有关以及得出欧姆定律的实验中,在伏安法测电阻实验中均有重要运用.

关键词： SiC   MOSFET   SiC   JFET   SiC   BJT  

摘要： 本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围(1A^7A)的动态特性,并在T=125℃、ID=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单。因此在高频、高效功率转换领域中,SiC MOSFET是最好的选择。

关键词： 意法半导体   导通电阻   逆变器   照明系统   junction   ST   系列产品   功率密度   电荷量   击穿电压  

摘要： 意法半导体最新超结(super-junction)功率MOSFET能满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求,同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术,取得了比上一代产品更低的导通电阻(RDS(ON)),以及更低的栅电荷量(QGD)

关键词： 压敏电阻   速查表   压敏电压   保护器件   欧姆定律   非线性关系   限制电压   电阻值  

摘要： 压敏电阻（VARISTOR）是一种以氧化锌为核心而制成的电冲击保护器件。该器件与普通电阻不同，普通电阻遵守欧姆定律，而压敏电阻的电压与电流则呈特殊的非线性关系，不遵守欧姆定律。当加在压敏电阻两端的电压低于某个阈电压（即压敏电压）时，其电阻值极大，为兆欧级（接近无穷大），器件内部几乎无电流流过；当加在它两端的电压超过压敏电压后，它将被迅速击穿导通，并由高阻状态变为低阻状态，其电阻值为欧姆级，甚至毫欧姆级，流过其内部的电流也急剧增大；当其两端电压低于压敏电压时，该器件又能恢复为高阻状态；当两端电压超过其最大限制电压时，压敏电阻将击穿损坏，无法白行恢复。

关键词： 4H型碳化硅   金属氧化物半导体场效应晶体管   终端保护   界面态  

摘要： 设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)   寄生参数   等效电路   开关损耗  

摘要： 为了精确地描述功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的开关特性,建立了一种基于MOSFET的寄生参数(Miller电容和寄生电感)的数学模型。该模型中采用拟合法分别构建Miller电容的数学表达式和转移特性的数学表达式,并详细推导了开关过程中电压和电流的数学表达式。针对关断后出现的电压、电流振荡建立的物理等效电路进行了分析。越精确的电压和电流数学表达式越能准确地反映功率MOSFET的开关损耗。仿真实验验证了本文数学分析模型和物理等效电路的正确性和有效性。

关键词： 光伏逆变器   SiC   MOSFET   全桥逆变器  

摘要： 户用型光伏逆变器的发展趋势是高频化、高效率、高功率密度,近年来,SiC MOSFET在电机驱动、光伏逆变器等场合得到了广泛研究。本文将SiC MOSFET应用于1.6kW两级式光伏逆变器中,提高逆变器的开关频率,对前后两级独立进行了效率分析。在前级Boost中,比较了20～100kHz开关频率下,SiC MOSFET和Si MOSFET对Boost效率的影响;在后级逆变器中,比较了100kHz SiC MOSFET逆变器与20kHz Si MOSFET H6逆变器的效率。搭建了1.6kW两级式光伏逆变器实验模型,采用SiC MOSFET,并在逆变器实验模型上对分析结果进行了实验验证。

关键词： IGBT   市场前景   功率半导体器件   绝缘栅双极晶体管   电力电子技术   MOSFET   电压控制   功率变换器  

摘要： IGBT,英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor,中文全名绝缘栅双极晶体管,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,作为电力电子技术的核心技术,是电机控制和功率变换器的首选器件。IGBT综合了BJT、MOSFET两种器件的优点,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、安全工作区宽和导通电阻小、电流密度大等特性。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

关键词： 功率场效应管   失效分析   表面电场   碰撞电离率   可靠性  

摘要： 对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。