课程文献中心 更多>>

关键词： 占位面积   印刷电路板   元件数量   充电电路   桥节   空间限制   低导通电阻   直流无刷   堵转电流   高温工作  

摘要： Diodes公司(Diodes Incorporated)推出一对MOSFETH桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积,简化电机驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用电机驱动应用的要求30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相风扇应用。DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把双N通道和双P通道MOSFET集成到占位面积仅为5mm×6mm的单一SO-8封装,成为完整的H桥。替代尺寸相当于四个SOT23封装或两个SO-8封装的器件。

关键词： 电池容量   Diodes   低导通电阻   芯片级封装   消费性产品   媒体播放器   电池寿命   充电电路   终端市场   平板电脑  

摘要： Diodes公司（Diodes Incorporated）推出双向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗,纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器,以及对其尺寸丶重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。DMN2023UCB4的RSS（on）少於26 mΩ,旨在以最低的导通电阻來减低功耗。此外,其双N通道共汲极配置特别适合一般使用低侧电池开关的充电电路,从而满足单电芯及双电芯锂电池的要求。

关键词： InGaAs   MOSFET   电容电压特性   量子效应  

摘要： 通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。

关键词： BJT   MOSFET   Ion-Sensitive Gated Lateral Bipolar Junction Transistor   Low Gate Voltage Operated Multi-emitter-dot H  

摘要： A low gate voltage operated multi-emitter-dot gated lateral bipolar junction transistor （BJT） ion sensor is proposed. The proposed device is composed of an arrayed gated lateral BJT, which is driven in the metal-oxidesemiconductor field-effect transistor （MOSFET）-BJT hybrid operation mode. Further, it has multiple emitter dots linked to each other in parallel to improve ionic sensitivity. Using hydrogen ionic solutions as reference solutions, we conduct experiments in which we compare the sensitivity and threshold voltage of the multi-emitter-dot gated lateral BJT with that of the single-emitter-dot gated lateral BJT. The multi-emitter-dot gated lateral BJT not only shows increased sensitivity but, more importantly, the proposed device can be operated under very low gate voltage, whereas the conventional ion-sensitive field-effect transistors cannot. This special characteristic is significant for low power devices and for function devices in which the provision of a gate voltage is difficult.

关键词： 电路分析   节点电压法   电路方程   教学内容体系  

摘要： 文章针对学生在学习与运用节点电压法中存在的问题,提出一种多尺度、多维度、循序渐进的教学内容体系,从理论基础、基本思想、通用公式、特殊情况、典型例题等方面,从理解节点电压法本质的层面,引导学生融会贯通教学内容,培养学生灵活应用节点电压法分析电路的能力,以提高教学效率与质量。

关键词： 界面态   碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容   可  

摘要： 通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。

关键词： 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)   逆变器   高开关频率   寄生电感  

摘要： 高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化。随着应用中开关频率的进一步提高,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)的体二极管正在成为瓶颈。SiC-MOSFET体二极管相对于SiC肖特基二极管,仍然偏大。介绍了一种新型的分离输出拓扑结构,在开关状态下,屏蔽体二极管的导通,降低反向恢复电流,从而降低SiC-MOSFET的开通损耗,同时抑制桥臂直通的风险。使用安捷伦功率器件分析仪B1505A对M34x功率模块进行了性能和效率测试,用VincotechISE软件对典型光伏逆变器的效率进行仿真分析。

关键词： 开关电源   转换效率   效率标准   Gen   Vishay   开关损耗   导通损耗   消费类产品   低导通电阻   反激式  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等,可帮助客户达到更高的性能/效率标准,例如某些高性能消费类产品、照明应用,以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的80 PLUS转换效率标准。

关键词： SiC   Mosfet管   隔离驱动电路   驱动电源模块   QA01C  

摘要： 本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。

关键词： 恒流源   仿真   测量   设计  

摘要： 介绍了一种基于功率MOSFET的实验室用恒流电源的设计方法。该设计采用仿真软件和硬件实测相结合的方式进行。首先,说明了运用ORCAD软件仿真大致确定恒流源系统参数和负反馈闭环控制PI参数的过程。其次,介绍了针对系统仿真中由于电力电子器件的非线性而造成仿真不收敛问题提供的详细对策。最后,介绍了对实验室硬件测试所发现问题的分析及给出的改进方案。实测表明:该恒流源制作简单、实用性较好、性价比较高。该实验室用压控恒流源设计方法具有一定的推广意义。