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关键词： 热载流子注入   空穴   恢复   LDD   射频功率放大器  

摘要： 本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应。在3.3V N型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5.5V和0.65V电压,发现在电应力条件下的漏端电流Id随着施加应力的时间增加而增大。导致这个现象的主要机制是漏端附近氧化层中产生了带正电荷的缺陷。另外还发现,在栅极施加反方向电压,漏端电流Id并不能发生恢复。但是125℃烘烤8小时后,漏端电流Id会发生恢复,表明空穴在加热时得到足够的能量而从缺陷陷阱中跃迁出来。此外,本文在通过研究工艺改进来提升HCI的性能中,发现在合适的氮化硅退火温度和轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)掺杂浓度能有效的降低NMOSFET空穴注入。

关键词： As Channel MOSFETs with High Current Ratio I   MOSFET   Ga   Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD   off  

摘要： We demonstrate high-performance In0.23 Ga0.77 As channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （ MOS- FETs） with high on-current to off-current （Ion/Ioff） ratio grown on semi-insulating GaAs wafers by metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD）. The 2μm channel-length devices exhibit a peak extrinsic transeonductance of 150 mS/mm and a drain current up to 500 mA/mm. The maximum effective mobility is 1680 cm2/Vs extracted by the split C-V method. Furthermore, the Ion/Ioff ratio is significantly improved from approximately 4.5 × 10^3 up to approximately 4.32 × 10^4 by controlling the etch thickness of In0.49Ga0.51P, The high drain current and high Ion/Ioff ratio of the In0.23Ga0.77As channel MOSFETs are achieved due to the high effective mobility and the low gate leakage current density.

关键词： 金属氧化物半导体场效应管   MOSFET   全固态   丁类桥式放大器  

摘要： 本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。

关键词： MOSFET驱动器   特大功率   高频电源   国内外   填补   电子   最大输出功率   高频感应加热  

摘要： 据悉，落木源电子近日推出一款高频、特大功率MOSFET驱动器KA106，其最高工作频率高达300kHz，最大输出电流40A，最大输出功率可达12W以上，填补了国内外的空白，适用于多MOSFET并联应用，在高频感应加热及大功率高频电源等领域有广泛前景。

关键词： TI   低电阻   同类竞争   导通电阻   电流条件   热插拔   电源转换效率   电信应用   负载开关   批量采购  

摘要： 德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD13383F4在采用0.6mm×1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84%的极低电阻。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET

关键词： 电子工程师   工作过程   冲击电流   应用特性   移动硬盘   汇总整理   反向恢复   寄生电容   浪涌电流   输出电压纹波  

摘要： 在作者工作过程中,曾碰到客户咨询许多有关功率MOSFET的问题,有些问题涉及到功率MOSFET的数据表中的各种参数,有些和功率MOSFET的具体的应用特性相关,本文中作者就将这些典型的问题汇总整理,希望对广大的电子工程师有所帮助。问题1：VGS大于VGS（th）,MOSFET导通,MOSFET刚进入米勒平台,是否就算达到了饱和？如果是这样,此时停止向G极供电,假定忽略栅极氧化层的漏电，这时V DS会一直维持比较高压降吗？

关键词： MOS控制   晶闸管   结构   应用   原理   MOSFET   载流密度   通态压降  

摘要： MOS控制的晶闸管（Mos Controlled Thyristor，MGT）是将MOSFET与晶阐管组合而成的复合型器件。MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。文中中介了MCT的结构、原理和应用。

关键词： 栅极驱动   Diodes   电机驱动电路   开关时间   控制板   开关损耗   转换效率   电压驱动   延迟时间  

摘要： 2015年1月8日,Diodes公司推出一对额定值1 A的40 V紧凑型栅极驱动器—ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩减MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。

关键词： 意法半导体   ST   技术优势   工作结温   纯电动汽车   功率半导体   节能应用   逆变器   通态   智能电网  

摘要： 意法半导体(STMicroelectronics)推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势,包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一,并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列,具有小于290mΩ的通态电阻(RDS(ON))及高达200。C的最大工作结温等诸多特性优势;

关键词： 高频发射换能器   脉宽调制   MOSFET   过压欠压保护   LC滤波   RC吸收  

摘要： 介绍了D类功放应用于高频发射换能器的实用性和可行性,主要从信号产生、驱动、全桥逆变、保护、滤波等方面阐述了设计思路,并据此生产了多套功放模块,可驱动发射换能器稳定可靠工作。