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关键词： 导体电阻   图象   电源电动势   画线   欧姆定律   电源内阻   非线性   元件  

摘要： 1问题的提出为了直观反应某元件的电压和电流的关系,经常画出（UI或I-U图象）。对于电阻的U-I或I-U图象,若是过原点的倾斜直线,则其电阻不变,称为线性元件。若不过原点或是曲线,则电阻随电压变化,为非线性元件。若电阻变化的导体接到一个恒定的电源上（电源电动势和内阻不变）,就无法直接用闭合回路的欧姆定律来求。若导体电阻不变,而接到一个电动势恒定、电源内阻变化的电源上,依然无法直接用闭合回路的欧姆定律来求。

关键词： MOSFET   并联   电力通信电源   静态均流   动态均流   移相全桥   零电压开关  

摘要： 为满足高功率密度、高效率电源的要求,分析了MOSFET并联的静态均流与动态均流理论,采用移相全桥零电压开关(ZVS)技术,设计了基于MOSFET并联技术的电力通信电源。试验及实践表明,设计运行可靠、市场竞争力强。

关键词： 欧姆定律   教学策略   物理知识  

摘要： 欧姆定律是初中物理电学体系的中心线索,贯穿于整个电学体系的章节.学生对欧姆定律的理解与应用是他们学习电学的前提和基础.在欧姆定律的教学过程中,还涉及重要的物理研究思想.通过欧姆定律的教学,可以培养学生缜密的物理思维,帮助学生科学全面地认识物理电学知识.从表象上来看,欧姆定律只是一个简单的物理知识,其定义也仅仅涉及电流、电压、电阻的数学关系.

关键词： 欧姆定律   牛顿第二定律   数学表达式  

摘要： 本文以欧姆定律为例,说明应用伽利略创立的经典物理研究方法,探究总结物理定律的数学表达式时,不用复杂的数学推导,处理多变量组合问题的一种简易方法.

关键词： MOSFET   碳化硅   驱动电路   模型  

摘要： Si C是一种新型的功率器件,来近几年广泛的运用于高温高频开关工作,相关的研究工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数,并通过能够适应宽范围温度的仿真模型进行模拟,对MOSFET单管的应用进行研究,分析了MOSFET对驱动电路的要求。最后根据MOSFET的工作原理进行应用分析,列举若干MOSFET管的常见应用。

关键词： 氮化镓   二氧化硅   场效应管   等离子增强化学气相沉积   陷阱   正向偏压  

摘要： 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。

关键词： 芯片级   Vishay   电池工作时间   电池使用时间   导通电阻   平板电脑   供货周期   负载开关   塑料封装   高速开关  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm。

关键词： 氟化石墨   应用   国家重点实验室   锗   MOSFET   信息功能材料   界面特性   中国科学院  

摘要： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质／沟道界面钝化层，调制界面特性，有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代，锗材料替代硅材料所面临的栅介质／沟道界面不稳定的难题。

关键词： 安森美半导体   N沟道MOSFET   导通电阻   产品阵容   导通损耗   击穿电压   门极   数据网络   令人   额定工作  

摘要： 安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164p F的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。

关键词： 集成电路   微电子   MOSFET   制造工艺  

摘要： 本文针对传统MOSFET制作流程复杂,花费巨大的缺点,提出了一种改进的MOSFET制作方案,在保留MOSFET基本特性基础上,可以大幅度减少工艺流程。并利用此方法成功制作出了MOSFET器件并检测到了良好的电学特性。