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关键词： 功率MOSFET   金属氧化物半导体场效应晶体管   封装   电子元器件   表面贴装元器件   电子产品   微型化   大体积  

摘要： 越来越多的电子产品正在朝着微型化的方向迅速发展，这对电子元器件的封装提出了更高的要求，不仅要求不断缩小元器件体积，还要实现原有或更好的性能，用表面贴装元器件取代原来的插件元器件，是实现电子产品微型化的关键。本文所介绍的用SOT89-3封装的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）替代现有的大体积插件封装大功率MOSFET产品，不仅可以保证产品的性能，还可以实现电子产品的高效率装配和微型化发展。

关键词： Mosfet   产品   电源转换效率   市场容量   DC-DC   新能源汽车   半导体行业   SiC  

摘要： 一款专为SiC Mosfet设计的DC－DC模块电源 金升阳的SiCMosfet具有耐高版、低功耗、高速开关的特质，极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率，拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。

关键词： 等效电路模型   SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(metal   oxide   semiconductor  

摘要： 以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能,与Si材料半导体器件相比,在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升,能够明显减少电力电子变换器的体积、重量、成本。其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)更成为关注的焦点,因此,建立精确的MOSFET器件模型非常关键。调研大量Si MOSFET、SiC MOSFET器件模型,根据CREE公司提供的C2M0080120D库文件,提出一种新型SiC MOSFET器件等效电路模型。在电路仿真软件PSpice中详细介绍SiC MOSFET等效电路模型建模的过程,并将仿真结果和厂家提供的Datasheet参数进行对比。模型仿真结果与数据手册都可以很好匹配,从而验证了模型的准确性。

关键词： 直流无刷电机   电机驱动   集成模式   BLDC   MOSFET   微控制器   运算放大器   输入电压  

摘要： 德国elmos公司日前宣布推出一款适用于直流无刷电机（BLDC）控制的单芯片方案E523.52。该芯片的最大输入电压为72V,集成了一个16b i t的微控制器,为电机控制特别设计的硬件外设、多路电源发生器、MOSFET预驱动模块以及运算放大器。在使用N沟道M O S F E T的情况下,E523.52最大可驱动1000W左右的直流无刷电机。

关键词： CVT   自激法   励磁回路   基尔霍夫电流定律   试验电压  

摘要： 采用传统的自激法测量电容式电压互感器的电容量和介质损耗时,通常不考虑励磁单元变压器励磁回路分流作用对流过试验绕组电流的影响,因此算出的试验电压偏低,影响测量结果的精度。对此提出了试验电压计算新方法,即在定量分析电桥平衡时流过变压器一次绕组电流的基础上,建立励磁单元变压器T型等值电路模型,应用基尔霍夫电流定律求得校正后的试验绕组电流,证实了该电流值比未考虑励磁绕组分流作用影响的计算值小。现场试验结果表明流过试验绕组最大电流比采用改进算法前计算的值小20.69%,即试验电压值增加了约20%。该方法提高了试验电压计算结果的准确性,有利于发现CVT绝缘缺陷。

关键词： MOSFET   高压   技术   开关电源   新器件   开关损耗   导通损耗   转换效率  

摘要： 2015年1月22日－日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能／效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX／银盒PC开关电源所要求的严格的80PLUS转换效率标准。

关键词： gallium nitride   MOSFET   recess gate   dry etching  

摘要： GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） on AIGaN/GaN heterostructure with a recess gate were fabricated and characterized. The device showed good pinch-off characteristics and a maximum field-effect mobility of 145.2 cm2.V-1.s-1. The effects of etching gas of CI2 and SiCI4 were investigated in the gate recess process. SiCI4-etched devices showed higher channel mobility and lower threshold voltage. Atomic force microscope measurement was done to investigate the etching profile with different etching protection mask. Compared with photoresist, SiO2- masked sample showed lower surface roughness and better profile with stepper sidewall and weaker trenching effect resulting in higher channel mobility in the MOSFET.

关键词： 长电科技   范荣   焊接工艺   整体成本   长电位   芯片级封装   芯片制造   封装形式   中芯国际   电子产品  

摘要： 2015年5月22日,深圳长电科技有限公司召开2015年度锂电MOSFET系列新品发布会,宣布推出DFN2×3、CSP系列新品。深圳长电科技总经理杨国江、副总经理范荣定出席了本次发布会,业界相关企业和人士参加了发布会。新推出的DFN2×3封装产品具有相比DFN3×3封装产品,具有尺寸更小、有利缩减PCB宽度的优势,另外还具有贴片工艺简单、整体成本低、不易破裂、焊接工艺成熟和管脚排列简单,PCB设计布线简洁等五大优势,该产品拥有CJCD2003、CJCD2004、CJCD2005、CJCD2006、CJCD2007等多种型号。CPS产品虽然存在易碎。

关键词： 安森美半导体   N沟道MOSFET   产品阵容   导通电阻   击穿电压   门极   导通损耗   数据网络   令人   额定工作  

摘要： 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）,针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。 这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS（on）值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。

关键词： 变换器   MOSFET   工作模态   软开关   损耗特性  

摘要： 首先确定了软开关应用于变换器的拓扑结构,并对软开关的工作模态进行了分析,利用三角形法研究了软开关的损耗特性,对比分析了软开关减少开关损耗的效果。MOSFET作为DC-DC变换器的开关器件,仿真结果与试验结果均实现了其软开关的效果,验证了理论分析的有效性。