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关键词： 物理师范生   教学设计   思维导图  

摘要： 从心理学学习论的基础出发,以上海市二期课改教材中的《闭合电路欧姆定律》一课为例,以"思维导图"为工具,力图还原师范生在教学设计时的思维过程和设计意图,目的是深入挖掘师范生在教学设计中问题的具体体现,并对现象做归总.本研究通过对思维导图形式教学设计的内容分析,分别从"教学目标设计""教学过程设计""学习者分析"三个角度展开剖析,发现不重视教学目标,缺少任务分析,不重过程,忽略学生是导致师范生教学能力不高的主要原因.最后针对"学习内容分析"环节提出用思维导图做课堂教学设计的实践建议.

关键词： 半导体制造   功率器件   MOSFET   深沟槽技术  

摘要： 本文介绍了如何应用电荷平衡效应在普通的深沟槽功率MOSFET中,进行结构的改变来进一步降低导通电阻,优化器件性能,并且介绍了此类结构中性能最为优异的屏蔽栅深沟槽的特性与工艺流程。

关键词： 电动势   闭合电路欧姆定律教学设计   优化  

摘要： 电源电动势及闭合电路欧姆定律是高中物理教学中的难点、重点。将该抽象的知识形象化，改善教学细节，设计效果显著的实验，是优化教学设计的关键，也是提高课堂有效性的途径。该教学设计在全国青年教师教学大赛的课堂展示中获得一等奖。

关键词： 加涅教学论   物理教学   教学事件   欧姆定律  

摘要： 分析加涅教学论中的“引起注意”“告知学习目标”“激起回忆原有学习”“呈现刺激材料”“提供学习指导”“引出行为表现”“提供反馈”“测量行为表现”“促进保持和迁移”九个“教学事件”，并结合初中物理中“欧姆定律”的教学进行解读。由此，进一步梳理出加涅教学论中的九个“教学事件”与信息加工理论指出的学习过程，以及与五种学习结果、相应学习条件之间的关系，帮助一线教师拥有更加清晰的教学思路，获得更加有效的教学结果。

关键词： SiC   MOSFET   CoolMOS   IGBT   特性   DAB变换器  

摘要： 碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。

关键词： 直流电能   坡印廷能流   欧姆定律   麦克斯韦方程   电磁近场  

摘要： 提出了不同于传统电动力学的直流电能流输运过程解释,指出坡印廷能流的定义不能简单推广到直流电.通过对含欧姆定律的麦克斯韦方程组进行分析,证明了直流电的能流输运过程受扩散方程支配,与波动方程无关;发现经典坡印廷能流的推导过程存在隐含的物理学限制,导致其不适用于金属导体内电磁纵场的做功过程.研究表明,金属导体直流电能的输运过程及其支配方程均与洛伦茨力有关,与坡印廷矢量无关.研究结论可以推广至低频似稳态,从而为电工学和近场电磁学的研究带来广阔的前景.

关键词： 欧姆定律   教学设计   传感器   DIS线性元件   非线性元件   伏安特性   屏幕广播  

摘要： 本研究分为3部分：1.采用传感器和DIS（数字化信息系统）获取导体的伏安特性曲线,完成采用传统教学手段一课时不可能实现的教学目标! 2.本节课设计了四个探究环节：（1）描绘金属导体伏安特性曲线;（2）线性元件与欧姆定律;（3）描绘小灯泡（二极管）的伏安特性曲线;（4）非线性元件、非线性伏安特性曲线的理解与应用.3.本节课采用小组合作形式,通过多媒体教学网络广播系统共享实验结果.

关键词： 氟化石墨   信息功能材料   国家重点实验室   应用   锗   MOSFET   界面特性   微电子技术  

摘要： 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室新型硅基集成电路（SOI）材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质／沟道界面钝化层。用以调制界面特性。这有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代后。用锗材料替代硅材料将面临的栅介质，沟道界面不稳定的难题。

关键词： Vishay   移相全桥   零电压开关   导通电阻   反向恢复   软开关   可再生能源   半桥   技术制造   太阳能逆变器  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET-SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和Si-Hx70N60EF。VishaySiliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。此次推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vishay现有的标准E系列器件,使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。

关键词： 逆变器   IGBT/MOSFET   Vishay   可替代能源   焊接设备   最小间隙   爬电距离   工作电压   污染程度   供货周期  

摘要： Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5AIGBT和MOSFET驱动器——VOL3120。Vishay Semiconductors这款器件占位小,高度为2.5mm,最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点,器件还具有高隔离电压,VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V,非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转,例如电机驱动、可替代能源、焊接设备和其他高工作电压的应用。VOL3120的高比标准DIP封装的器件低30,节省空间,并实现类似电磁炉面,以及民用太阳能电池和电机驱动中的小尺寸逆变器等扁平外形的应用。