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关键词： 模块电源   EMI   吸收电路   功耗分析   关断过程   辐射骚扰   反激   栅极电荷   尖峰电压   栅极驱动  

摘要： MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源中。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗,反而会引起更严重的EMI问题,导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET损耗的同时兼顾模块电源的EMI性能。

关键词： SOI   IG   A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance   MOSFET  

摘要： A novel silicon-on-insulator （SOI） power metM-oxide-semiconductor field effect transistor with an interface-gate （IG SOI） structure is proposed, in which the trench polysificon gate extends into the buried oxide layer （BOX） at the source side and an IG is formed. Firstly, the IG offers an extra accumulation channel for the carriers. Secondly, the subsidiary depletion effect of the IG results in a higher impurity doping for the drift region. A low specific on-resistance is therefore obtained under the condition of a slightly enhanced breakdown voltage for the IG SOI. The influences of structure parameters on the device performances are investigated. Compared with the conventional trench gate SOI and lateral planar gate SOI, the specific on-resistances of the IG SOI are reduced by 36.66% and 25.32% with the breakdown voltages enhanced by 2.28% and 10.83% at the same SOI layer of 3 μm, BOX of 1 μm, and half-cell pitch of 5.5 μm, respectively.

关键词： SiC   JFET   BJT   MOSFET   电力电子器件  

摘要： 宽禁带半导体材料由于其具有更大的击穿电场而成为下一代电力电子器件的焦点,其中以Si C材料和器件的发展尤为突出。本文从开关损耗的角度对四种Si C电力电子器件——JBS(结型势垒肖特基二极管)、JFET(结型场效应晶体管)、BJT(双极型晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的发展及其应用作了概述。

关键词： MOSFET   轻掺杂漏(LDD)   反相器  

摘要： 设计了一种0.35um沟长的LDD PMOS器件,并用Medici软件进行数值仿真,找到一种简单有效的描述器件伏安特性的数值算法,给出相应的数学表达式,并利用这些表达式计算亚微米CMOS反相器的电压传输特性,计算结果与理论分析符合较好。

关键词： 功率半导体   市场分析   MOSFET   IGBT  

摘要： 功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁,是国民经济的重要基础,在国民经济各领域和国防工业中无所不在。作为现代产业发展的基础,功率半导体器件将在各领域得到更广泛的应用,中国功率半导体市场将持续保持较好的增长态势,市场规模将持续扩大。

关键词： 电源电动势   内阻   欧姆定律  

摘要： 在高中物理教学中,物理实验是物理教学的重要内容,也是当前高考物理必考的内容,其中《测电源电动势和内阻》实验,更是重中之重。在此,对＂测定源电动势和内阻＂实验问题作些分析探讨。

关键词： 单相桥式逆变器   MOSFET   SG3525   PWM   IR2110  

摘要： 作为应用最为广泛的单相桥式逆变器,为了提高产品的集成度及可靠性,提出用集成PWM控制器SG3525产生的PWM信号作为桥式驱动集成电路芯片IR2110的输入信号,并由IR2110驱动大功率场效应管MOSFET以逆变出交流电的方案。最后利用Matlab/Simulink强大的仿真功能建立其仿真模型,通过对电路参数的选择优化完成样机的制作。实验证明使用SG3525设计的单相桥式逆变器具有性能优良、功能齐全以及通用性较强的特点,因此该系统有较好的实用价值。

关键词： SiC金属氧化物半导体场效应晶体管   双脉冲测试电路   寄生参数   开关特性  

摘要： 为了研究高开关速度下寄生参数对SiC MOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiC MOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。

关键词： MOSFET   碳化硅器件   不间断电源   演示   Rohm公司   太阳能系统   驱动装置   研究所  

摘要： Rohm公司近日与Fraunhofer研究所携手，采用Rohm的碳化硅MOSFET和栅驱动装置为瑞士弗里堡的太阳能系统研究中心开发了一款10kW三级不间断电源逆变反相器，目的主要是展示碳化硅器件在应用层面的性能表现。

关键词： 三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管   表面势   阈值电压   亚阈值区电流   亚阈值摆幅  

摘要： 在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。