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关键词： MOSFET   Statistical Modeling of Gate Capacitance Variations Induced by Random Dopants in Nanometer MOSFETs Reserving Correlations  

摘要： We consider intrinsic gate capacitance variations due to random dopants in the nanometer metal oxide semi- conductor field effect transistor （MOSFET） channel. The variations of total gate capacitance and gate transcapacitances are investigated and the strong correlations between the trans-capacitance variations are discovered. A simple statistical model is proposed for accurately capturing total gate capacitance variability based on the correlations. The model fits very well with the Monte Carlo simulations and the average errors are -0.033% for n-type metal-oxide semiconductor and -0.012% for p-type metal-oxide semiconductor, respectively. Our simulation studies also indicate that, owing to these correlations, the total gate capacitance variability will not dominate in gate capacitance variations.

关键词： 能量函数   不平衡功率   叠加定理   敏感点  

摘要： 通过计算绝对动能增量指标可以实现切机敏感点定位。提出根据估算短路故障期间发电机不平衡功率找出切机敏感点的方法。将短路期间的电压分成两部分,一部分是故障前系统潮流,另一部分是故障点等效电动势产生的电压分量。两分量叠加计算出发电机机端电压,再计算出发电机故障期间不平衡功率。根据不平衡功率大小定位切机敏感点。10机39节点系统仿真验证了所换方法的有效性。

关键词： Kelvin   Vishay   表面贴装   低热阻   漏极   栅极驱动   导通电阻   栅极电荷   源极   开关速度  

摘要： Vishay推出采用小尺寸PowerPAK 8×8封装的600V E系列功率MOSFET—SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。

关键词： Al2O3/GaSb   p型场效应晶体管   饱和电流   泊松方程与连续性方程   开关电流比  

摘要： 利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaS b衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是III-V族p沟道器件良好的候选材料.

关键词： 功率MOSFETs   意法半导体   开关性能   消费电子产品   开关式电源   节能效果   笔记本电脑   电信设备  

摘要： 意法半导体MDmesh？M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载备件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。

关键词： 双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管   沟道侧壁绝缘柱   表面势   电荷分享   漏感应势垒降低效应   短  

摘要： 采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。

关键词： 器件技术   Cree   SiC   首款   低导通电阻   直流母线电压   热管理系统   产品组合   终端系统   市场领导  

摘要： SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸。

关键词： Castle   散热性能   首款   功率密度   电源转换   Dual   Cool   Fairchild   占位面积  

摘要： Fairchild推出了其行业领先的中压MOSFET产品采用了8×8Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品,在尺寸缩减了一半的同时,提供了更高功率密度和更佳效率,且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。Castle Creations,Inc首席执行官Patrick Castillo说:"

关键词： MOSFET   封装   中压   高功率密度   Dual   电源转换   散热性能   工程师  

摘要： 这款新型Dual Cool88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品，在尺寸缩减了一半的同时，提供了更高功率密度和更佳效率，且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。

关键词： 真随机数发生器   热噪声   二级校正   有限状态机   动态平衡  

摘要： 提出了一种新颖的真随机数发生器(TRNG)结构。该真随机数发生器基于MOS管沟道热噪声对沟道电流的影响.针对工艺、电源电压扰动和温度变化等因素引入的误差,采用粗粒度和细粒度二级校正,并通过有限状态机实现系统的动态平衡.为了验证该结构的有效性,采用chatered-0.18μm-1.8V工艺,设计并实现了总功耗为1.3mW,面积为0.019 2mm2,输出速率可达125 Mb/s的真随机数发生器.产生的随机数序列通过NIST-SP 800-22测试.