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关键词： 功率MOSFET   汽车电源   ST   环保   意法半导体   噪声抑制   高集成度   EMI  

摘要： 意法半导体（ST）的EMIF02-01OABRY是一款拥有高集成度的汽车BroadR-Reach接口EMI噪声抑制解决方案。

关键词： 首款   ST   意法半导体   击穿电压   drain   breakdown   稳健性   技术优点   开关式   宽输入电压  

摘要： 意法半导体的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管,并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET,实现更环保。

关键词： DN   EiceDRIVER   TM   英飞凌   同步整流   开关装置   开关电源   系统可靠性   功率密度   隔离式   通态  

摘要： 2015年11月27日,英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出适用于开关电源的PFC、LLC和同步整流级的全新2EDN7524 Eice DRIVERTM驱动器芯片。这一芯片家族是英飞凌提供的专用MOSFET驱动器。是连接控制IC与MOSFET（比如CoolM OS C7）以及Ga N开关装置的重要环节,2EDN MOSFET驱动器芯片可实现更高的系统效率、卓越的功率密度以及一致的系统可靠性。

关键词： 仿真系统   噪声测试   科技   低频   MOSFET   测量仪器   系统集成化   IC设计  

摘要： 北京博达微科技有限公司（PDA）日前宣布出展中国天津第22届IC设计年会（ICCAD），展台号为#B73，并展出最新推出的新一代噪声特性测量仪器NC300，NC300基于优秀的架构设计，系统集成化高，不依赖任何其他仪器，安装便捷，即插即用，多类型器件支持：MOSFET、MOSSOI、BJT、Diode、Resistor，以及SRAM Cell等客户定制电路。

关键词： 4H-SiC   金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor   field-effect   transistor,MOSFET)   特征导通电阻   静态特性  

摘要： 4H-SiC金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点,在军用和民用领域具有广阔的应用前景。针对漏源击穿电压1 200 V的设计目标,利用解析模型和数值仿真相结合的优化方法,通过分析元胞结构参数对器件电学特性的影响,确定4H-Si C MOSFET元胞的纵向与横向结构参数。仿真结果表明,优化设计的器件其特征导通电阻为4.75 m?·cm2,击穿电压为1 517 V,满足设计指标。

关键词： 功率MOSFET   纳秒级前后沿   驱动时序   电路寄生参数  

摘要： 为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉冲波形影响等几方面来详细分析提高高压纳秒脉冲源输出脉冲特性的方法和途径。实验结果表明,该脉冲源可以产生脉冲上升沿约为5 ns、下降沿约为8 ns,幅值300 V左右的准方波脉冲,性能指标满足钝感火工品的电安全性试验的要求。

关键词： Wolfspeed   逆变系统   阻断电压   表面贴装   碳化硅材料   驱动电路   辅助电源   芯片尺寸   首款   不间断电源设备  

摘要： Cree下属的科技公司Wolfspeed近期宣布,他们已经成功研发出行业内首款1700V碳化硅MOSFET,新产品采用优化后的表面贴装封装技术,能够应用于商用高压功率逆变系统中的辅助电源系统。据该公司称,阻断电压较高为1.75kV时,设计者们能将较低速率的硅材料MOSFET替换为新型碳化硅MOSFET,可提供更高效率,简化驱动电路。

关键词： 感应叠加   直线型变压器驱动源   高压脉冲发生装置   双方波脉冲   雪崩同步触发  

摘要： 为了获得脉冲间距较小并且可随时调节的高压方波脉冲,利用MOSFET响应快、重复频率高的特点研制出了感应叠加型固态高压双脉冲发生装置,该装置主要由8个感应叠加模块组成,每个感应叠加模块由18个并联的功率MOSFET构成。每个功率MOSFET具有专用的驱动电路,该驱动电路由雪崩晶体管产生的触发脉冲进行同步触发。通过测试,所搭建的8个模块感应叠加装置具有输出高压大电流双方波脉冲的能力,在10Ω负载条件下输出的高压大电流双脉冲的峰值电压达3.6 k V、峰值电流达360 A。输出脉冲底部不平坦度<10%。通过优化调节雪崩触发脉冲的时间一致性,获得的输出高压脉冲的上升沿和下降沿时间分别为20 ns及30 ns。通过调整雪崩触发脉冲源输出的双触发脉冲的脉宽和脉冲间隔,可调节输出高压双脉冲的脉宽及脉冲间隔。

关键词： N沟道MOSFET   P沟道   应用   功率   开关电源   晶体管   整流器   栅极  

摘要： MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

关键词： 说课   电工教学   电工基础   欧姆定律  

摘要： 说课就是口头表述具体课题的教学设想及其理论依据，也就是利用简单易懂的口语形式说明自己对教材的分析处理，确立教学目标，阐述教学设计，表明教法和教学手段的一种教学活动形式。本文就说课在《电工基础》教学中“欧姆定律”一节的应用，阐述了如何在电工教学中推广说课，主要在说课相关教材、教法和目的方法，以及说课教学中相关注意事项作了具体的探讨和分析。