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关键词： 高功率微波   MOSFET   静电放电器件   半导体   数值模拟  

摘要： 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下GGMOS型的静电放电(ESD)防护器件效应进行了数值模拟研究。对ESD器件在HPM作用下的响应特性及器件内部的物理图像进行了数值模拟。数值模拟的结果表明,外部注入HPM信号的幅值和频率是影响ESD器件的因素,在加载30ns脉宽的HPM脉冲作用下,器件内部达到的最高温度与信号幅值成正指数关系。在给ESD注入相同幅值的HPM信号时,频率越大,器件达到失效温度所需要的时间越长。

关键词： 理想电源   支路电流法   结点分析法   回路分析法  

摘要： 以一个含有理想电源的复杂电路为例,讨论了支路电流法、结点分析法和回路分析法在分析含有理想电源复杂电路的解题方法及技巧。

关键词： 教材分析   科学探究   适当类比   体会与反思  

摘要： 初中物理欧姆一课的课堂教学过程中一方面要科学合理设计好新课引入、自主探究、理解定律、公式运用等重要环节,另一方面在探究电流与电阻关系时一定要引导学生学会选择合适规格的变阻器以及调节变阻器的正确方法。

关键词： MOSFET   电源设计   导通电阻   创新   场效应晶体管   高频电力   开关模式电源   电子应用  

摘要： 全球SiC领先者CREE推出了业界首款900VMOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiCMOSFETC3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   隔离驱动   边沿触发  

摘要： 半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。

关键词： 复杂电路   支路电流法   叠加定理   戴维宁定理  

摘要： 复杂电流的求解在直流电路中很重要,复杂电路的分析方法有很多,分别是支路电流法、叠加定理和戴维宁定理,而这几种方法的共性都是已知电路结构的组成,元件的特性和各个独立电源的电压或电流,求解支路中的参数如电压、电流等。所以这几种方法如果学生掌握不透就会导致选择上的困难。本文结合例题将这几种分析方法的适用场合进行了归纳和比较,以便学生更好地掌握复杂电路的求解方法。

关键词： 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管   单粒子效应   抗辐射加固  

摘要： 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升。结果表明:对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15 V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力。

关键词： 锂离子电池组   集成电路   保护功能   单芯片   高精度   消费性电子产品   电池保护电路   MOSFET  

摘要： Diodes公司推出的AP9234L集成电路提供丰富的保护功能，旨在为单芯锂离子电池组及锂聚合物可充电电池组提供高精度的单芯片解决方案。新产品主要针对智能手机、相机以及同类型消费性电子产品的电池保护电路模块生产商。AP9234L把高精度电池保护电路与双N通道共漏极MOSFET集成起来，后者具有超低的Rss（ON）规格.

关键词： 非正弦电流   有效值   竞赛题   一题多解  

摘要： 通过对两个不同形式的电路问题进行分析，得出相同形式的非正弦周期变化的电流和电压的瞬时值表达式，并对这种波动直流电用多种方法推导出有效值计算公式．

关键词： MOSFET   相关向量   劣化模型   剩余寿命   失效阈值   预测  

摘要： 为了预测电子系统的重要器件——功率MOSFET剩余使用寿命,基于NASA实验数据,提出了一种MOSFET剩余寿命预测方法。首先利用相关向量机对劣化数据进行回归拟合,得到相关向量,并使用相关向量与回归拟合结果结合获取代表性向量。然后,基于退化模型,利用最小二乘法实现参数辨识确定劣化模型的参数。最后,将劣化模型外推到失效阈值,得到功率器件可能失效的时间,从而获得MOSFET的剩余使用寿命。实验结果表明,该方法简单有效。