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关键词： 电池保护电路   电压检测   MOSFET   电压/电流   功能   配备   低导通电阻   负载短路  

摘要： AP9214L把锂离子电地保护电路与双N通道共漏极MOSFET共同封装，当它检测到过充电压／电流、过放电压／电流或负载短路的情况时就会快速关断MOSFET。稳定的温度系数特性确保器件的高精度电压检测能力，可在多种电压范围内进行终端应用所需的精准设定。AP9214L在＋25℃的正常模式下，静态电流一般低至3．0μA，加上其MOSFET具有一般为13．5mΩ的超低导通电阻，有助于大幅节省功率。

关键词： 4H-SiC金属氧化物场效应晶体管   场效应迁移率   界面态密度   氮离子注入   反掺杂  

摘要： 氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。

关键词： chemical mechanical planarization(CMP) high-k metal gate(HKMG) defectivity control surface morphology  

摘要： The replacement metal gate（RMG） defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate（HKMG） chemical mechanical polishing（CMP）. In this study, three major defect types, including fall-on particles, micro-scratch and corrosion have been investigated. The research studied the effects of polishing pad,pressure, rotating speed, flow rate and post-CMP cleaning on the three kinds of defect, which finally eliminated the defects and achieved good surface morphology. This study will provide an important reference value for the future research of aluminum metal gate CMP.

关键词： 雪崩   非箝位感性负载开关   失效分析   过压  

摘要： 首先阐述了传统测试条件下功率MOSFET管的数据表中雪崩能量值的缺陷,然后讨论了针对实际应用对应着不同的测试电感值时,功率MOSFET雪崩能量的变化及特性,给出了相应的测试波形。同时,通过不同条件下功率MOSFET管雪崩失效的显微图片,详细地分析了相应的雪崩特性和产生的原因。在小电感条件下,大电流快速关断是功率MOSFET管雪崩最为恶劣的情况。

关键词： 速度   产品   直流稳压器   上市   PWM控制器   MOSFET   股份公司   功率输出  

摘要： 英飞凌科技股份公司推出PMBusSupIRBuck稳压器系列器件。该系列器件是简单易用的全集成高效直流一直流稳压器，配备I2C／PMBus接口。SuplRBuck稳压器集成了PWM控制器、MOSFET和自举二极管，是一种节省主板空间的解决方案，可为低输出电压和高电流应用提供准确的功率输出。得益于具备远程遥测功能的可编程数字接口，客户最多可将设计和测试时间缩短90％，从而大大加快产品投放市场的速度。

关键词： 欧姆定律   电流   电压   电阻  

摘要： 本文对欧姆定律实验进行了简要的说明,然后对在实验中的一些地方进行了探讨。

关键词： H参数   小信号模型   欧姆定律   等效变换   输出电阻  

摘要： 在模拟电子技术教学中,BJT的H参数及小信号模型简化过程是学习的基础,但也是最难以理解的内容,该文详细介绍了小信号模型的简化过程。随着大规模集成电路的发展,多级放大电路各个参数的求解至关重要,运用欧姆定律求解放大电路的输出电阻比较麻烦,提出一种等效变换法来求解放大电路的输出电阻,并通过单极放大电路和多级放大电路的例子,证明等效变换求解放大电路的输出电阻是最有效的方法。

关键词： DC/DC稳压器   Module   双输出   单输出   MoSFET   塑料封装   耐热性能   降压型  

摘要： LTM4650是一款双输出25A或单输出50A降压型微型模块（uModuIe）稳压器。该器件内置的屏蔽的电感器、MoSFET和两个DC／DC稳压器IC全放在一个小型耐热性能增强型塑料封装中。

关键词： 商用工艺   总剂量   辐射   MOSFET  

摘要： 对国内标准商用0.18μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究。其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad(Si)时,端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10-9A级,达到100k rad(Si)以上时,内核1.8 V NMOS晶体管出现场区漏电。通过电路总剂量辐照试验,表明NMOS晶体管是薄弱点。需要开发STI场区总剂量加固技术,以满足抗辐射电路研制要求。

关键词： 版图   Spice模型   MOSFET  

摘要： 针对版图邻近与工艺波动因素对40nm MOSFET器件物理效应变化和性能波动的影响进行分析,提出一种基于BSIM4.5的新型模型,修正原有模型的阈值电压和迁移率机制,有效地实现了版图邻近效应的建模。该模型主要考虑了相邻栅极间距psf和pss,相邻有源区的横向间距sodx1和sodx2,以及纵向间距sody对器件性能的影响。基于国内先进的40nm工艺平台,对器件的V_(thsat),I_(dsat),V_(thlin)和I_(dlin)性能进行监测,得到相邻栅极间距对饱和电流和阈值电压分别有15%和30mV的影响,横纵向有源区间距对饱和电流和阈值电压分别有1.5%和4mV的影响,从而得到拟合度较好的仿真模型。结果表明,建立的模型能够有效降低结构仿真误差,大大提高设计人员的设计效率和准确性。