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关键词： 场效应晶体管   栅电荷   测试   可靠性  

摘要： 栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大。其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生产和使用验收中列为必测参数。随着对MOSFET器件可靠性要求的不断提高,栅电荷的测试重要性凸显。针对目前国内外栅电荷测试现状及存在的问题做了详尽阐述,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导。

关键词： 功率MOSFET   超高功率   封装技术   功率晶体管   能效   意法半导体   高功率密度   高热效率  

摘要： 意法半导体整合先进的功率晶体结构和尺寸紧凑且高热效率的PowerFLAT8×8HV封装技术，推出具有超高功率密度的功率晶体管解决方案。新系列功率晶体管产品包括集成快速恢复二极管、击穿电压650V的各种超结功率MOSFETMDmesh DM2 N-通道功率MOSFET。该系列产品具有诸多优势，包括低栅电荷量、

关键词： 高端MOS管   变压器驱动   自举驱动  

摘要： 高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。

关键词： 场效应管   输出级   工作电流  

摘要： ＂MOSFET＂是英文Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是＂金属氧化物半导体场效应管＂。它是由金属、氧化物（Si O2或Si N）及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET（Power MOSFET）是指它能输出较大的工作电流（几安到几十安）,用于功率输出级的器件。

关键词： 功率半导体   测试装置   热可靠性   HEV   MOSFET   混合动力车   纯电动汽车   Power  

摘要： 美国明导国际（Mentor Graphics）面向纯电动汽车（EV）及混合动力车（HEV）用IGBT及MOSFET等功率半导体，推出了用于热分析及热可靠性评测的测试装置“MicReD Power Tester600A”。

关键词： 阈值电压漂移   MOSFET   γ射线照射   敏感性   商业   吸收剂量   偏置电压   晶体管  

摘要： This article is about the absorbed-dose-dependent threshold voltage shift of the MOSFET *** of the MOSFETs has been tested in different gate *** of the transistors for 662 ke V gamma ray is studied in 1–5 Gy dose *** was found that for transistors irradiated in biased mode,significant changes in the threshold voltage occurred,and the sensitivity to gamma rays increased with the bias voltage.

关键词： 晶体管   碳化硅   开关特性   驱动电路  

摘要： 与硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件的掺杂浓度更高,禁带更宽,在高电压下导通阻抗更小,因此应用于大功率场合可以提高开关频率,减小变换器体积重量。根据SiC MOSFET的开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,采用双脉冲电路对其开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同阻值驱动电阻对SiC MOSFET模块开关时间和开关损耗的影响。

关键词： IMEC   硅质   横式   块材   线制   研究中心   基板   逻辑装置   性能水平   静电控制  

摘要： 2015年6月16日,在VLSI研讨会上,纳米电子研究中心IMEC,展示了环绕式极匣的n与pMOSFET,这些MOSFET皆由垂直堆叠、直径仅8纳米的水平硅质纳米线制成。

关键词： 柴油机   燃油喷射   控制单元   MOSFET  

摘要： 某型单缸柴油机在试验过程中,喷油器控制单元发生故障。采用理论分析和试验验证相结合的方法,对故障原因进行分析。结果表明:驱动电路的瞬态参数设计与MOSFET的工作要求不匹配是导致故障的根本原因。据此提出了改进设计方案并验证了其有效性。

关键词： MOSFET器件   体二极管   零电压切换   反向恢复   阻断电压   高可靠性   过应力   软开关  

摘要： 650VEF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换（ZVS）／软开关拓扑中提高可靠性，