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关键词： RACING   灯光   音效   150芯片组   MOSFET   Hi-Fi   音频设计   主板  

摘要： 映泰RAC1NGB150GT3作为映泰三十周年纪念版主板之一，其主要特色就是拥有赛车元素的外观、Hi-Fi音频设计、M2插槽和灯光。先从外观来说，B150GT3虽然不大，但是做工却很扎实。即使是一块不能超频B150芯片组的主板，它仍然采用了七相供电的方式来保证稳定性。其MOSFET产自台湾大中，上桥型号为SM4377，下桥型号为SM4364A。这块主板与同价位主板相比有一个优势就是配备了M．2接口。

关键词： 形式化验证   模拟与混合信号电路   混杂系统   基尔霍夫电流定律   计算树逻辑  

摘要： 针对模拟与混合信号(AMS)电路形式化建模逼真度低和描述不规范的问题,提出一种基于基尔霍夫电流定律节点分析的形式化建模方法。通过扩展计算树逻辑公式,在保留电路更多物理特性的前提下综合描述和验证AMS电路的离散事件和动态行为,保证性质验证的精确性和可信性。以环形振荡器为例,给出该方法的实现过程,并通过Coho工具对振荡器电路进行验证。实验结果表明该方法正确、有效。

关键词： 欧姆定律   几何画板   实例   课件   动态   制作   利用   电学知识  

摘要： 欧姆定律是初中电学中的基本定律,也是进一步学习电学知识和分析电路的基础,常规教法是通过安排具体的学习任务,引导学生学习科学探究的方法,使用电学实验器材,体验科学探究过程,最终得出电流与电压、电阻的关系.这样做师生无法集体互动、难以直观展示、

关键词： SiC   MOSFET   栅极电容   参数提取   恒流源电路  

摘要： SiC MOSFET与Si MOSFET由于和IGBT具有很好的兼容性发展尤其迅速,但又因缺乏栅极电容CGS和COX参数提取的有效手段,影响了其性能评价、模型仿真以及应用水平的提高。该文在分析Si C MOSFET典型的电阻负载电路基础上,针对其导通过程中栅极电流变化会带来栅极电容CGS和COX计算上的困难,提出增加恒流源电路维持Si C MOSFET导通过程栅极驱动电流恒定,从而只需简单计算便可提取栅极电容CGS和COX参数的实验方法。针对某一型号具体器件进行了参数提取实验,所得到的结果与datasheet的结果较吻合,验证了该方法的有效性;另外,不同负载、环境温度对采用文中方法得到的栅极电容CGS和COX结果影响较小,而不同直流电压对栅极电容CGS结果影响较大,较高直流电压下参数提取的结果较稳定。

关键词： 结点电压方程   关联矩阵   受控电源   无伴电压源   无伴电流源   电路拓扑信息  

摘要： 结点电压法是适合计算机辅助分析的一种电路分析方法。由于该方法仅通过结点支路关联矩阵即可确定电路的拓扑结构,不需要确定树和回路矩阵,使通用程序的编写相对容易。但是结点电压法对电路中含有受控源和无伴电压源时需要另行处理,针对这种特殊情况提出了含受控源电路的改进结点电压方程的矩阵形式。分别给出了正弦稳态下含受控源以及含无伴独立电源电路的结点电压方程推导过程,进而得到统一的以结点电压和无伴电压源中电流为电路变量的混合变量矩阵方程。最后从编程的角度给出了电路信息的规范输入方法。通过算例验证了所得方程适用于含有耦合电感、受控电源、无伴独立电源电路的稳态分析,具有通用性。

关键词： AlGaN/GaN异质结构   常关型   MOSFET   选择区域外延   阈值电压稳定性  

摘要： 高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。

关键词： 航空静止变流器   SiC   MOSFET   级联逆变器   损耗分析   驱动电路  

摘要： 航空静止变流器实现机载直流电到交流电的转换,对功率密度、效率、环境适应性、可靠性和电气性能等有较高的要求。碳化硅(SiC)半导体器件的开关速度快、高温特性好,在航空静止变流器中有很好的应用前景,但目前关于宽禁带器件在航空静止变流器中应用的研究比较少。首先结合现有的典型航空静止变流器电路拓扑分析了SiC MOSFET应用的关键问题;然后针对航空静止变流器逆变级的两级级联半桥逆变器,对比分析了应用SiC MOSFET与Si MOSFET的损耗大小,分析结果表明在现采用的开关频率下,即使现有SiC MOSFET导通损耗较大,但总损耗仍较小;且开关频率越高,SiC MOSFET的效率优势越明显,最后为适应高开关频率SiC MOSFET逆变器的需要设计了一种适应高开关频率和宽占空比变化信号的SiC MOSFET驱动电路,搭建了1台500 VA、115 V/400 Hz两级级联半桥逆变器实验样机,并验证了应用SiC MOSFET的航空静止变流器逆变级的可行性。

关键词： 电动汽车   SiC   MOSFET   PSpice模型  

摘要： 为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅(SiC)MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真,针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST(voltage-controlled current source type)PSpice仿真模型。首先,为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核,以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性;然后,为了获得SiC MOSFET准确的动态特性,建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CGD)子电路模型,所提SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时,能够满足模型准确性的要求;最后,建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验,并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了所提SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性,从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。

关键词： MOSFET   电容模型   边缘饱和   中反型  

摘要： 提出了处于中反型的MOSFET修正边缘饱和电压公式.在分析了MOSFET精确电容模型之后,根据MOSFET饱和时其栅电容两端的电势差和电荷分布,推导了精确的边缘饱和电压关系式.对比了MOSFET边缘饱和电压的仿真值及修正后的精确边缘饱和电压的计算值,利用台积电TSMC18RF工艺参数,验证了精确边缘饱和电压公式计算值的准确性.分析了传统边缘饱和电压公式应用的局限.

关键词： 共源极电感   开关损耗   碳化硅(SiC)MOSFET  

摘要： 共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。