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关键词： 功率MOSFET   N通道   内电阻   TI   SOT-23   负载开关   功率晶体管   德州仪器  

摘要： 德州仪器（TI）近日推出新型60VN通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60V负载开关低90％，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1．53ram×0．77mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80％。

关键词： 安森美半导体   集成模块   汽车功率   无刷直流电机   MOSFET   汽车应用   电池保护   三相桥  

摘要： 安森美半导体，进一步扩展汽车功率集成模块（PIM）产品阵容，推出STK984—190-E。该模块经优化以驱动三相无刷直流电机（BLDC）用于现代汽车应用，包含6个40V、30AMOSFET配置为一个三相桥，及一个额外的40V、30A高边反向电池保护MOSFET。

关键词： 碳化硅   输出特性   漏电流   双脉冲测试   Buck电路  

摘要： 搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC MOSFET的主要优缺点。分析结果表明,SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力;在同样的工作条件下,SiC MOSFET损耗更小,适合在高频率、大功率场合下使用;SiC MOSFET的跨导低,导通电阻大,所以门极驱动电压需要比较大的摆幅(-5/+20 V);由于开关速度很快,SiC MOSFET对线路杂散参数更加敏感。

关键词： SiC   MOSFET   Spice模型   温控模型  

摘要： 在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数,在LTspice电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性。与现有的模型相比,仿真结果与实测数据的吻合度得到了进一步的提高。

关键词： MOSFET   功率封装   不对称   同步降压转换器   汽车应用   小尺寸   N沟道   器件  

摘要： 日前，Vishay宣布推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12VMOSFET——SQJ202EP和20VMOSFET——SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EPN沟道TrenchFET器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm×6mmPowerPAKSO-8L双片不对称封装里。

关键词： MOSFET   功率半导体   销售   高压   半导体市场   半导体元件   IGBT   产品  

摘要： IC Insights指出，历经2015年大幅衰退后，2016年全球功率半导体市场可望重新回稳，销售金额比2015年成长1％，达124亿美元。值得注意的是，在各类功率半导体元件中，未来成长力道最强劲的产品将是高压MOSFET（超过200V）与IGBT模组，两类产品在2015-2020年期间的复合年成长率（CAGR）预估分别为4．7％与4．0％。

关键词： Signature   MOSFET   混合设计   工作状态   驱动能力   设计师   输出级   输入级  

摘要： BHK Signature Preamplifier前级是著名设计师Bascom ***设计的机型，采用胆／石混合设计，以ECC82／12AU7为为输入级，MOSFET作为输出级，设定为高偏流的纯A类工作状态，并具备低内阻输出，对后级的驱动能力强劲。

关键词： HVAC   鼓风机电机   线性模式   PWM模式   MOSFET   能效   CO2排放  

摘要： 本报告介绍了一种采用PWM模式的高能效HVAC鼓风机电机控制解决方案。本文针对市场信息、CO2排放、功耗调查及BOM比较做了详细论述。

关键词： 高效率   碳化硅器件   电流三角波模式(TCM)   零电压开通  

摘要： 半桥功率因数校正PFC(power factor correction)拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻,其具有较小的开关损耗,可以降低开关损耗,尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍然较大,严重制约变换器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET优良的开关特性,采用电感电流三角波模式(TCM)的控制方式,使器件工作在零电压开通状态下,进一步降低开关损耗。针对这种控制方式,详细叙述了各个关键参数的计算,并设计搭建了一台1 100 W的全碳化硅半桥功率因数校正变换器,其达到了较高的效率,峰值效率达到了99.2%。

关键词： Ge   Ge-on-insulator   Si-based   epitaxy   light emitting diode   photodetector   MOSFET  

摘要： Si-based germanium is considered to be a promising platform for the integration of electronic and pho- tonic devices due to its high carrier mobility, good optical properties, and compatibility with Si CMOS technology. However, some great challenges have to be confronted, such as： （1） the nature of indirect band gap of Ge; （2） the epitaxy of dislocation-free Ge layers on Si substrate; and （3） the immature technology for Ge devices. The aim of this paper is to give a review of the recent progress made in the field of epitaxy and optical properties of Ge heterostructures on Si substrate, as well as some key technologies on Ge devices. High crystal quality Ge epilayers, as well as Ge/SiGe multiple quantum wells with high Ge content, were successfully grown on Si substrate with a low-temperature Ge buffer layer. A local Ge condensation technique was proposed to prepare germanium-on- insulator （GOI） materials with high tensile strain for enhanced Ge direct band photoluminescence. The advances in formation of Ge n＋p shallow junctions and the modulation of Schottky barrier height of metal/Ge contacts were a significant progress in Ge technology. Finally, the progress of Si-based Ge light emitters, photodetectors, and MOSFETs was briefly introduced. These results show that Si-based Ge heterostructure materials are promising for use in the next-generation of integrated circuits and optoelectronic circuits.