课程文献中心 更多>>

关键词： MOSFET   AOS   功率半导体   雪崩   N沟道   供应商   Vgs   芯片  

摘要： 功率半导体及芯片供应商AOS万国半导体推出业界第一个单N沟道45VMOSFET：AON6152，在10V Vgs时Rdson可达到超低1．15mohm。

关键词： 功率晶体管   金属氧化物半导体场效应晶体管   N通道   MOSFET   导通电阻   负载开关   小信号   连接盘  

摘要： CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）保持典型的54mΩ导通电阻（Rdson），其设计与优化的目的是取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列（LGA）封装的焊盘间距为0．5mm，易于安装。

关键词： 《小石潭记》   遗传基因   欧姆定律   唯物辩证   充电器   默写   周期   元素  

摘要： 明天明天你是否会想起，默写的《小石潭记》。明天你是否还惦记，抽背的元素周期。老师们都已记不清，教几遍遗传基因。我也是去配充电器，才想起欧姆定律。谁挂过很多碳的有机，谁骂过三角定理。谁倒在唯物辩证主义，谁抄过地理笔记。

关键词： 衬底电流   纳米级MOSFET   偏置依赖性  

摘要： 衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将模型的仿真结果与实验结果相比较,验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究,结果表明,衬底电流具有显著的沟道长度与偏置依赖性。

关键词： 欧姆定律   电表   电路  

摘要： 电压表、电流表以及测电阻的欧姆表，都可以用欧姆定律解密其内部结构，而这些表的改装也可以根据欧姆定律来设计电路。

关键词： triple material symmetrical gate stack(TMGS) DG MOSFET   gate stack   short channel effect   drain induced barrier lowering   threshold voltage  

摘要： In the present work, a two-dimensional（2D） analytical framework of triple material symmetrical gate stack（TMGS）DG-MOSFET is presented in order to subdue the short channel effects. A lightly doped channel along with triple material gate having different work functions and symmetrical gate stack structure, showcases substantial betterment in quashing short channel effects to a good extent. The device functioning amends in terms of improved exemption to threshold voltage roll-off, thereby suppressing the short channel effects. The encroachments of respective device arguments on the threshold voltage of the proposed structure are examined in detail. The significant outcomes are compared with the numerical simulation data obtained by using 2D ATLAS;device simulator to affirm and formalize the proposed device structure.

关键词： SiC   MOSFET   高频开关   吸收电路   谐振   小信号模型  

摘要： 在高频开关工况下,SiC器件分布参数(电感、电容)间耦合振荡带来的过电压易造成元器件的击穿损坏、引发的电磁噪声会干扰变流器其他部件的正常运行。文章对SiC MOSFET的开关过电压进行了机理分析,特别是杂散电感对其开关特性的影响,对其吸收回路进行了研究,利用开关系统大信号模型等效出脉冲开关系统小信号模型,并依此分析了吸收电容对关断过电压的影响,提出了SiC MOSFET高频吸收电路的选型方案。仿真和实验结果验证了分析结论的正确性及所提方案的有效性和可行性。

关键词： 二次电源   MOSFET   抗辐射加固   总剂量辐照   试验研究  

摘要： 针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应,进行了二次电源用3款MOSFET(IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405)的抗辐射总剂量设计,通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3款MOSFET的辐照设计余量(RDM)均不小于3。开展总剂量辐照试验验证,对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据,验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。

关键词： 散热性能   CoolMOS   基准   MOSFET   股份公司   SMPS   市场需求   易用性  

摘要： 英飞凌科技股份公司推出800V CoolMOS^TM P7系列。该800V MOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用，可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。

关键词： 教学设计   闭合电路欧姆定律   探究式教学  

摘要： 通过探究式教学设计,创设问题情境—学生讨论—猜想—设计实验—探索实验—分析实验现象—建构闭合欧姆定律—理论证明—结论应用,落实了教学重点、难点,提高了课堂效率,培养了学生科学探究能力。