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关键词： D-S效应   等离子波   MOSFET   太赫兹源  

摘要： 基于Dyakonov-Shur效应（D-S效应）利用MOSFET可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V的等离子信号。通过调节偏置电压（1-20 V）可以使输出信号在0.96-4.30 THz范围内调频。此外,MOSFET在5 V的偏置电压和5 A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20 V,电压增益最大可达到86 d B,最大输出功率为200 W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。

关键词： SiC   MOSFET   高温栅偏   高温反偏   可靠性  

摘要： 高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明:所研制的1 200 V SiC MOSFET器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压>1 200 V,阈值电压偏移量<15%,导通电阻偏移量<15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC MOSFET器件的设计、工艺及其研制的可行性。

关键词： 控制变量法   欧姆定律   初中物理   定值电阻  

摘要： 控制变量法在物理教育中具有重要作用.比如,研究物理密度与质量、体积之间的关系;研究匀速直线运动时间、位移、速度之间的关系;研究液体的压强与液体种类、深度等因素的关系;研究欧姆定律;研究电磁铁磁性强弱与线圈匝数、电流大小之间的关系;研究液体蒸发快慢与液体种类、液体表面空气流速之间的联系;

关键词： 物理语言   表征问题   教学要素  

摘要： 物理语言表征问题的基本形式为文字叙述、数学公式表达、图形图像表示．探析了物理语言表征问题教学的4个构成要素（提出问题、表征问题、解决问题、评价反思）及其教学模式，阐释了教学要素的特点，分析了教学要素的操作要点．

关键词： SiC   MOSFET   Si   IGBT   导通压降   开关时间   结温监测  

摘要： 为了研究结温对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电路,并针对SiC MOSFET和Si IGBT随结温变化的不同表现,提出了不同的结温监测方法。通过测试发现,SiC MOSFET和Si IGBT的导通压降和漏电流随结温升高而增大;Si IGBT的开通损耗和关断损耗均随结温升高而增大,而SiC MOSFET的开通损耗随结温升高先增大后减小,关断损耗随结温升高而增大;Si IGBT的开关时间随结温变化而单调变化,而SiC MOSFET的开关时间随结温变化没有明显的变化规律。

关键词： 集成模块   汽车功率   MOSFET   电池保护   直接键合   三相桥   散热性   电路板  

摘要： STK984-190-E包含6个40V、30AMOSFET配置为一个三相桥，及一个额外的40V、30A高边反向电池保护MOSFET。这些MOSFET被贴装到一个直接键合铜（DBC）基板，产生一个紧凑的模块，具有极佳散热性，仅占具有同等效能的分立方案所用电路板空间的一半。

关键词： 负反馈   反馈系数   叠加定理  

摘要： 负反馈可以在诸多方面改善放大电路的性能,反馈系数的计算是分析负反馈放大电路的关键步骤。本文提出了基于叠加定理的负反馈系数计算方法。利用叠加定理得出反馈网络输出量的表达式,进而得出计算反馈量的等效电路,最后确定反馈系数。教学实践表明该方法易于理解,便于接受。

关键词： 碳化硅   谐振全桥变换器   零电压开关   高功率密度   高效率  

摘要： 对谐振全桥变换器而言,利用SiC MOSFET能提高开关频率,达到增大功率密度、降低系统成本、提高效率及简化拓扑电路的目的。文章研究了一种基于第三代SiC MOSFET的零电压(ZVS)LLC谐振全桥DC/DC变换器,利用Cree公司1 000 V/65 mΩ高压SiC MOSFET设计出高频、高功率密度20 k W ZVS LLC谐振隔离全桥变换器并进行了样机研制。实验结果表明,该变换器的开关频率范围扩大到180 k Hz至400 k Hz,最高效率可达到98.4%。该方案能广泛应用于高压直流电源、感应加热、电动汽车充电等三相隔离新能源领域。

关键词： N沟道MOSFET   Fairchild   SuperFET   可靠性要求   III   安森美半导体   高功率密度   太阳能产品  

摘要： Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，近日推出了其SuperFET III系列，用于650VN沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车（EV）充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。

关键词： MOSFET AG009DGQ3   AEC-Q101   ROHM   AG  

摘要： 近年来,随着汽车的事故防止对策和自动驾驶技术的普及,汽车的电子化飞速发展。与此同时,汽车中搭载的应用的附加功能增加,MOSFET的搭载数量也日益增加。因此,对汽车应用的小型化、轻量化需求高涨,要求封装本身体积更小。以往SOP8(5mm×6mm)为主流封装,而ROHM利用多年积累的封装技术优势,成功开发出符合AEC-Q101标准的MOSFET的最小级别封装。实现产品的高可靠性与小型化,满足了客户需求。