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关键词： 屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET   亚阈值电流   阈值电压   微剂量效应   氧化物陷阱电荷  

摘要： 以屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET为研究对象,研究了重离子诱发的单粒子微剂量效应的现象及物理机理。对不同偏置电压下的30 V SGT MOSFET进行重离子辐照试验,分析了重离子轰击后器件转移特性曲线的变化趋势,揭示单粒子微剂量效应的退化规律。研究发现重离子入射会引起器件的亚阈值电流增大,导致阈值电压负向漂移,且负栅压下器件的亚阈值电压负向漂移更严重。试验结果结合TCAD仿真进一步揭示在栅氧化层侧墙处Si/SiO_(2)界面的带正电的氧化物陷阱电荷是导致器件阈值电压和亚阈值电压等参数退化的主要原因。研究结果可为SGT MOSFET单粒子微剂量效应评估和建模提供指导。

关键词： PBL教学模式   初中物理   单元复习   欧姆定律  

摘要： 将PBL教学模式应用于初中物理单元复习教学,从学习目标的构思出发,设计与目标相匹配的教学流程,并开发多维评价量表。该模式以真实问题情境为出发点,寻找问题解决方向,完善问题解决方案,通过讨论、交流、反思以及结合新情境推进深度学习,以提高学生的学习积极性和学习效率。

关键词： 知识的理解   欧姆定律   中考物理   计算题   考试试卷   问题求解能力   解题思路   基本定律  

摘要： 作为初中物理电学的一种基本定律,欧姆定律计算方法掌握关系电学基本概念及原理等知识的理解情况,同时有利于实际问题求解能力提升.当前中考物理考试试卷中,关于欧姆定律考查的计算题是必考题型,是需要学生必须要攻克的一类题型.但是由于相关题型求解中涉及到众多基本概念、原理与性质,并且题型灵活多变,为了可以快速求解问题,必须要掌握一些有效的类型题解题思路.

关键词： U-MOSFET   超结   4H-SiC   异质结   击穿电压   反向恢复  

摘要： 利用TCAD仿真研究了一种具有异质结体二极管与N包围型P柱超结的4H-SiC UMOSFET(SJH-MOSFET)。通过在SJH-MOSFET中引入异质结和具有电荷平衡的超结结构,能够有效地优化器件的击穿电压、比导通电阻、反向恢复特性。研究结果表明,薄轻掺杂的电流扩展层(CSL)和N型包围使得耗尽区变窄,并为电流的流动提供了两个扩散路径,其中CSL使得电子快速地水平扩散,而N型包围允许电子可以垂直地流动,改进后结构的耐压提升了13.6%,栅槽底部高电场降低了10.5%,比导通电阻降低了10.5%,开启时间降低了38.4%,关断时间降低了44.7%;体区嵌入P+多晶硅与漂移区接触形成异质结体二极管,由于异质结特殊的能带结构,使得体二极管在导通时,P+多晶硅里空穴较少地流入到漂移区,使反向恢复电荷降低了42.96%,反向恢复时间降低了4.17%。

关键词： SiC MOSFET   结温估计   热阻网络   电机控制   Simulink建模  

摘要： 目前,电动汽车高压平台已成为趋势,电机控制器功率器件由IGBT向SiC MOSFET转换,而针对SiC MOSFET结温的相关研究,很多学者曾提供了具体的理论公式,但是复杂的理论计算公式并不能很好地运用在实际开发过程中。文章基于以上现状,选择合适的SiC MOSFET热阻网络模型,将三阶RC网络通过基尔霍夫第一定律转化为时域的离散方程,进而建立Simulink模型,通过仿真及台架测试,测试结果显示能够满足预期目标。

关键词： 空间辐射   重离子   单粒子瞬态效应   混合模型仿真   电路响应  

摘要： 利用Sentaurus TCAD仿真软件,建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明,轰击位置在漏极且入射角呈120°时,器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离子轰击,研究了不同模拟方式下电路响应对SET波形的影响,指出了采用双指数电流源在SPICE电路中模拟的不准确性。采用MIX模型探究了器件结构及电路环境对SET波形的影响。结果表明,LET能量、栅极长度、轨电压和负载电容都会对SET波形脉宽及平台电流大小产生显著影响,说明了建立SET模拟波形时须综合考虑这些因素。

关键词： 储能变流器   功率单元   叠层母排   杂散电感  

摘要： 随着可再生能源的快速发展,储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元,其中包含10 kV高压交流模块和750V低压直流模块,重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法,并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构,将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH,有效减小功率单元的关断过电压。通过热数值计算,确立了强迫风冷的散热方案,并设计了符合要求的散热器,使器件在运行过程中的最高温度不超过50℃。最后,搭建了功率单元样机并进行对拖实验,验证了叠层母排结构优化设计和功率单元散热设计方案的有效性。

关键词： 电源开关   半导体器件   分立器件   通孔   可靠性标准   产品阵容   稳健性   充电桩  

摘要： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

关键词： Heterojunction   On-state resistance   Silicon carbide(4H-SiC)trench   metal-oxide-semiconductor field   effect transistors(MOSFETs)   Switching loss  

摘要： A silicon (Si)/silicon carbide (4H-SiC) heterojunction double-trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) (HDT-MOS) with the gate-controlled tunneling effect is proposed for the first time based on simulations. In this structure, the channel regions are made of Si to take advantage of its high channel mobility and carrier density. The voltage-withstanding region is made of 4H-SiC so that HDT-MOS has a high breakdown voltage (BV) similar to pure 4H-SiC double-trench MOSFETs (DT-MOSs). The gate-controlled tunneling effect indicates that the gate voltage (V_(G)) has a remarkable influence on the tunneling current of the heterojunction. The accumulation layer formed with positive VG can reduce the width of the Si/SiC heterointerface barrier, similar to the heavily doped region in an Ohmic contact. This narrower barrier is easier for electrons to tunnel through, resulting in a lower heterointerface resistance. Thus, with similar BV (approximately 1770 V), the specific on-state resistance (R_(ON-SP)) of HDT-MOS is reduced by 0.77 mΩ·cm^(2) compared with that of DT-MOS. The gate-to-drain charge (Q_(GD)) and switching loss of HDT-MOS are 52.14% and 22.59% lower than those of DT-MOS, respectively, due to the lower gate platform voltage (V_(GP)) and the corresponding smaller variation (ΔV_(GP)). The figure of merit (Q_(GD)×R_(ON-SP)) of HDT-MOS decreases by 61.25%. Moreover, the heterointerface charges can reduce RON-SP of HDT-MOS due to trap-assisted tunneling while the heterointerface traps show the opposite effect. Therefore, the HDT-MOS structure can significantly reduce the working loss of SiC MOSFET, leading to a lower temperature rise when the devices are applied in the system.

关键词： 纵向认知诊断模型   欧姆定律   形成性评价  

摘要： 利用纵向认知诊断模型,对两所中学前后两次物理欧姆定律教学测试结果进行对比研究.采用定性与定量方法,从横纵两个维度比较整体和个体的知识掌握状态及能力变化.研究表明:利用认知诊断结果实施补救教学的效果好于常用的错题讲解法.认知诊断模型能诊断教学症结,是指导个性化教学、开展形成性评价的重要手段.