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关键词： 电动势   电压   电流   电阻   功率  

摘要： 闭合电路欧姆定律是高中电路部分的核心内容，这一定律涉及的物理量较多，相关题目的类型又比较多，从教学实际看，不少同学对该定律理解不到位，运用时感到困难。本文将2个变量间的关系用图像呈现出来．以便于学生能更直观地理解定律，达到熟练运用该定律的目的。

关键词： 中职   物理课堂   教学手段   信息化   欧姆定律  

摘要： 在教育部大力提倡创新教育的大环境下,信息化教学已经成为课堂教学的新模式。中职物理的学习是学习专业课的基础,针对中职学生综合理解力和抽象思维能力较弱的情况,提出了运用多种信息化手段并借助在线学习平台整合教学资源,用微课视频辅助自主学习、用闯关游戏检测预习效果、用仿真实验突破教学重难点、用在线测试巩固理论知识实现过程评价,用话题讨论与在线投票增强生生互动实现多元评价,让学生在便捷和有趣的信息化教学环境中学会自主学习、合作学习及高效学习。

关键词： MOSFET   电池充电器   SiC   电动车   交付   整体系统   电源产品   工业电源  

摘要： 作为碳化硅（SiC）电源产品的领导者,Cree旗下的Wolfspeed公司推出了一款1000V MOSFET,可以降低整体系统成本,同时提高系统效率和减小系统尺寸。新的MOSFET专门针对快速充电和工业电源进行了优化,

关键词： 纳米级金属氧化物场效应晶体管   亚阈值区   漏极电流   栅极电流   频率依赖性  

摘要： 基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性。

关键词： 交通管制   电阻箱   值相等   学习过程   安培表   等效电阻   滑动变阻器   并联电路   总电阻   闭合回路  

摘要： 电学是生活息息相关的一门学科,在高考中电学同样占有重要地位.而＂欧姆定律＂作为电学的＂交通管制＂,是考生应当掌握的基本内容.本文结合笔者多年的一线教学经验,就2016年高考中出现的与＂欧姆定律＂有关的选择题进行解读.一、直流电中的欧姆定律例1（2016新课标2理综,17）电阻值相等的四个电阻、电容器C及电池E（内阻可忽略）连接成如图1所示电路.开关S断开且电流稳定时,

关键词： 欧姆定律   适用范围   微观机理   导电材料   能量转化  

摘要： 对人教版教材表述提出疑问，回顾欧姆定律的发现过程，从导电材料和能量转化的角度陈述了欧姆定律的适用范围，指出线性非线性不能作为欧姆定律是否适用的标准，并对教材的知识表述提出建议。

关键词： 现场重建   叠加定理   横向连续性定理   年代学原理   考古学  

摘要： 本文在概述现场重建已有理论的基础上,根据现场重建的客观、综合等特点,认为考古学在分析地层、文物的时间和出现次序等任务上与犯罪现场重建与分析的目标、原理具有共性,从而提出了将考古学中的斯德鲁叠加定理、斯德鲁横向连续性定理和年代学原理跨界引入现场重建理论体系的方案,并用案例对这些理论在现场重建中的应用加以阐释,为现场重建找到了更多的理论基础。

关键词： MOSFET   寿命模型   封装失效   参数漂移失效  

摘要： MOSFET是实现电力电子装置功能的核心器件,但其寿命短是制约电力电子系统可靠性的关键因素。由老化造成的MOSFET失效分为封装失效和参数漂移失效,前者由MOSFET制造工艺及材料导致的缺陷在工作环境中恶化而产生,后者为器件在使用过程中其内部微观退化机制在宏观参数的体现。对目前已有的MOSFET寿命相关的研究成果进行总结,分析了MOSFET的各类失效模式,并建立了各类失效模式下MOSFET寿命模型;并进一步总结了各类失效模式下寿命模型的失效判据及其各类寿命预测模型实验验证方法。

关键词： 短路测试   短路电流   短路能力  

摘要： 器件的短路能力对整流器及其故障保护具有极其重要的意义。当器件故障运行时,为避免器件损坏,须在最短的时间内将故障予以切除,而此时器件的最大短路运行时间为系统保护装置提供了有力的时间支持。主要研究了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si C MOSFET)在短路条件下的运行能力,以Cree公司的1 200 V/19 A Si C MOSFET为模型,设计了硬件电路,测试其不同电压等级下的短路电流;并在直流电压等级为600 V的条件下,测试了不同栅极电压、不同温度工况下的短路电流。研究结果表明器件的短路峰值电流随着栅极电压的升高而增大,而其短路运行时间却大幅降低;温度对短路运行时间的影响则相对不甚明显;同时还给出了器件在不同工况下的最大短路运行时间Tsc(max)。

关键词： SiC   MOSFET   IGBT   静态性能   寄生参数   结温   状态监测  

摘要： 碳化硅SiC(silicon carbide)MOSFET作为新型的电力电子器件,具有不同于Si IGBT的电热特性,且其静态特性在宽温度范围内变化特性并不明确。以Si C MOSFET为研究对象,从器件的工作原理入手,结合Si IGBT对比,分析了其静态特性及寄生参数受温度的影响,并在-55℃至165℃准确测量了包括阈值电压、导通电阻、泄漏电流、输出特性及寄生参数在内的多个参数,实验结果符合理论分析。根据实验结果分析了各项性能参数的温度敏感性,结果表明:Si C MOSFET静态性能及参数与温度具有极强的相关性;与Si IGBT相比,温度依赖性更为明显,并且能够为器件结温测量及Si C MOSFET电力电子系统状态监测提供理论依据与实验基础。