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关键词： 考点聚焦   电功率   中考   热学知识   欧姆定律   力学   真题   同学  

摘要： 电功率知识是中考热点，有关电功率的考查多与欧姆定律、力学和热学知识相结合进行，题型多样，难度适中。下面结合近年来的中考真题，解读电功率中考考点，以便让同学们更好地复习电功率的相关知识。

关键词： 4H型碳化硅   金属氧化物半导体场效应晶体管   终端保护   界面态  

摘要： 设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。

关键词： 预抑制   电压基准源   电源电压抑制比   温度稳定性  

摘要： 提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35μm 5V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64μm×136μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53V;电源电压在3.4~5.5V范围内,线性调整率为97.8μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2dB,在100 Hz处为-123.3dB,在1kHz处为103.3dB;环境温度在-45℃~125℃范围内,平均温度系数为8.7×10^(-6)/℃。

关键词： 漏极持续电流   三维集成   自加热效应   导通偏置条件  

摘要： 二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。

关键词： 活动重叠   知识欧姆定律   知识势函数   知识流函数   知识返工概率函数  

摘要： 针对并行产品开发中上下游活动间存在重叠且重叠时间量化困难的问题,从知识的角度提出运用函数度量上下游活动的知识势和知识阻,基于知识难度系数构建知识势函数,并运用学习曲线理论构建知识阻函数,进而结合二者和知识欧姆定律以获得知识流函数;根据知识返工概率函数,计算下游活动重叠期的知识返工时间,进而构建上下游活动重叠时间的数学模型。最后通过实例验证了该方法的有效性与可行性。

关键词： trench-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)   simulation program with integrated circuit emphasis(SPICE) model   drift region resistance model   dynamic model  

摘要： A novel simulation program with an integrated circuit emphasis（SPICE） model developed for trench-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（M OSFET）devices is proposed. The drift region resistance was modeled according to the physical characteristics and the specific structure of the trench-gate MOSFET device. For the accurate simulation of dynamic characteristics, three important capacitances, gate-to-drain capacitance Cgd, gate-to-source capacitance Cgsand drain-to-source capacitance Cds, were modeled, respectively, in the proposed model. Furthermore,the self-heating effect, temperature effect and breakdown characteristic were taken into account; the self-heating model and breakdown model were built in the proposed model; and the temperature parameters of the model were revised. The proposed model is verified by experimental results, and the errors between measured data and simulation results of the novel model are less than 5%. Therefore, the model can give an accurate description for both the static and dynamic characteristics of the trench-gate MOSFET device.

关键词： 固态断路器   MOSFET   过电压  

摘要： 文章针对低压交流场合,提出了一种基于功率MOSFET的单相限流式固态断路器和相应的过电压抑制电路,分析了过电压抑制电路的工作原理,给出了过电压抑制电路的参数选择的理论依据。

关键词： 闭合电路   欧姆定律   实验设计  

摘要： 物理作为一门以实验为基础的学科,巧妙地设计实验,可以使得教学过程更具有趣味性,更容易吸引学生的注意力,调动学生学习物理的兴趣.文章以高中《物理·选修3-1》中2.3节'欧姆定律'为例,通过呈现直观的实验现象、原理解释以及理论推导来深化学生对于知识的理解与掌握.

关键词： 抗辐射加固   金属氧化物半导体场效应管驱动器   高压集成电路(IC)   双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺  

摘要： 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。

关键词： 非纯电阻电路   焦耳定律   欧姆定律  

摘要： 电流有三大效应,磁效应、化学效应和热效应。焦耳定律是定量说明电能转化为热能的重要定律。其内容为:电流通过导体产生的热量与电流的平方、导体电阻及通电时问成正比。公式表现为Q=I^2Rt,此定律是焦耳于1841年发现,后来得以广泛使用。现将它在初中物理电学中的理解和应用作简单分析。