课程文献中心 更多>>

关键词： 初中物理   物理作业   变式设计  

摘要： 依托变式设计理念形成的作业与常规作业存在明显的区别，其更注重学生多方面能力的考查，对促进学生的全面发展具有重要意义，同时能够帮助教师发现自身在教学中存在的不足，从而为学生提供更全面的教学支持。对此，文章以作业变式设计的概念为出发点，分析初中物理作业变式设计的优势，并结合苏科版“欧姆定律”给出初中物理作业变式设计的具体策略，以期为初中物理教学工作提供理论层面的参考。

关键词： BSIMSOI   PDSOI   亚阈值漏电   高温模型  

摘要： 针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator, BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题，开展了绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)器件高温模型研究。提出了一种应用于部分耗尽型绝缘体上硅(Partially Depleted Silicon-On-Insulator, PDSOI)器件高温漏电的建模方法，通过引入亚阈值漏电参数的温度关系模型，对现有BSIMSOI模型进行优化，获得了适用于250℃的PDSOI MOSFET高温模型。然后利用0.18μm PDSOI MOSFET进行高温模型的参数提取与验证，模型仿真数据与测试数据拟合良好，尤其是漏电流误差减小到5%以内，大大提高了器件模型高温下的仿真精度。

关键词： 正弦式交变电流   等效法   微元法   实验教学  

摘要： 本文将一款自制正弦式交变电流有效值演示仪引入课堂,其能够让学生直观地看到正弦式交变电流的有效值大小,理解■成立的原因及适用条件。该装置结构简单、操作容易、效果明显,有利于培养学生判断推理、质疑创新的科学思维,锻炼其实验探究的能力,具有创新性和实用性。

摘要： 欧姆定律反映了电流、电压、电阻这三个重要的物理量之间的关系,是电学中最基本的定律,是分析、解决电路问题的“金钥匙”.下面宋老师整理了做题时的易错点,望能为你指点迷津.易错点1:不理解I-U图象的物理意义例1图1为某种灯泡的电流I与电压U的关系图象.若有六个这种灯泡串联接在电压为6 V的电源两端,则通过灯泡的电流为_____A.若把一个这种灯泡与一个定值电阻并联接在电压为6V的电源两端,总电流为1.5 A,则该定值电阻的阻值为_____Ω.

关键词： 交错并联   Boost变换器   电压尖峰抑制  

摘要： 大功率变换器的发展趋势是高频率、高效率和高功率密度。与传统的Si MOSFET相比,SiC MOSFET因具有开关速度快、开关损耗低、工作温度高等优点,得到了广泛的应用。然而,SiC MOSFET在高速关断过程中容易产生电压尖峰和振荡,严重威胁到功率变换器的可靠运行。针对这一问题,本文对SiC MOSFET关断过程进行详细分析后,分别针对影响关断电压尖峰的两种因素,提出了相应的抑制方法。为验证所提方法的有效性,搭建了试验平台。通过试验结果可知,所提出的方法可以有效抑制关断过程中产生的电压尖峰,而不会显著增加开关损耗。

关键词： Machine learning   Radiation effects   Surrogate model   TCAD model calibration  

摘要： Machine learning-based surrogate models have significant advantages in terms of computing efficiency. In this paper, we present a pilot study on fast calibration using machine learning techniques. Technology computer-aided design(TCAD) is a powerful simulation tool for electronic devices. This simulation tool has been widely used in the research of radiation ***, calibration of TCAD models is time-consuming. In this study, we introduce a fast calibration approach for TCAD model calibration of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors(MOSFETs). This approach utilized a machine learning-based surrogate model that was several orders of magnitude faster than the original TCAD simulation. The desired calibration results were obtained within several seconds. In this study, a fundamental model containing 26 parameters is introduced to represent the typical structure of a MOSFET. Classifications were developed to improve the efficiency of the training sample generation. Feature selection techniques were employed to identify important parameters. A surrogate model consisting of a classifier and a regressor was built. A calibration procedure based on the surrogate model was proposed and tested with three calibration goals. Our work demonstrates the feasibility of machine learning-based fast model calibrations for MOSFET. In addition, this study shows that these machine learning techniques learn patterns and correlations from data instead of employing domain expertise. This indicates that machine learning could be an alternative research approach to complement classical physics-based research.

关键词： 半导体器件   可靠性   阈值电压   预偏置  

摘要： 受栅氧界面态影响,SiC MOSFET阈值电压不稳定,这种性质干扰了阈值电压的测试结果。本文总结了4种阈值电压提取方法和3种不同的测试电路,比较了不同方法的异同点和逻辑联系,讨论了栅极电压预偏置技术的原理、实施方式。最后总结了现有技术,基于工程应用给出了关于阈值电压测试的建议。

关键词： SiC MOSFET   辐射效应   单粒子效应   单粒子烧毁   单粒子栅穿   潜在损伤   辐照后栅应力  

摘要： 针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。

关键词： 碳化硅   漏电退化   单粒子效应   抗辐照  

摘要： SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)关键参数——结型场效应晶体管(JFET)区宽度一直被认为是SiC MOSFET单粒子效应的主要影响因素。针对这一影响因素,以同一结构不同JFET区宽度的1.2 kV SiC MOSFET器件为对象进行单粒子效应实验,探究JFET区宽度对器件单粒子烧毁阈值电压、漏电退化阈值电压以及负栅压条件下器件性能的影响。结果表明:随着JFET区宽度的减小,漏电退化阈值电压增大;减小器件JFET区宽度可有效改善器件的抗单粒子效应能力;在负栅压条件下对器件单粒子效应也会有此效果。采用Sentaurus TCAD进行模拟仿真,模拟结果证实,JFET区宽度以及负栅压的变化会影响氧化层下JFET区内空穴的积累,随之影响氧化层电场强度,从而影响器件单粒子漏电退化,与实验结果相符。以上结果为SiC MOSFET抗单粒子效应加固提供了理论基础。

关键词： 作业变式   思维进阶   实践研究  

摘要： 作业变式是基于思维进阶式发展的一种作业设计策略.基于“欧姆定律”的作业变式,以“生活·物理·社会”为理念,通过基础性、拔高性、挑战性、活动性作业的变式设计和学生对这些作业的完成,既可实现物理概念建构与思维进阶式发展的教学目标,也能有效落实物理观念、科学思维等学科素养的培养.