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关键词： 碳化硅   温度传感器   肖特基势垒二极管(SBD)   金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)   高温  

摘要： 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明,两种传感器的最高工作温度均超过400℃,其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明,SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。

关键词： LDMOS high-K dielectric highly doped N+-layer high voltage specific on-resistance  

摘要： A novel voltage-withstand substrate with high-K（HK, k 〉 3.9, k is the relative permittivity） dielectric and low specific on-resistance（Ron,sp） bulk-silicon, high-voltage LDMOS（HKLR LDMOS）is proposed in this paper. The high-K dielectric and highly doped interface N＋-layer are made in bulk silicon to reduce the surface field drift region. The high-K dielectric can fully assist in depleting the drift region to increase the drift doping concentration（Nd） and reshape the electric field distribution. The highly doped N＋-layer under the high-K dielectric acts as a low resistance path to reduce the Ron,sp. The new device with the high breakdown voltage（BV）, the low Ron,sp, and the excellent figure of merit（FOM = BV^2/Ron,sp） is obtained. The BV of HKLR LDMOS is 534 V, Ron,sp is 70.6 m？·cm^2, and FOM is 4.039 MW·cm^（-2）.

关键词： MOSFET   低导通电阻   负载开关   移动设备   耗散功率   尺寸封装   东芝公司   新系  

摘要： 东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布推出采用新开发的高耗散功率、小尺寸“TSOP6F＂封装的新产品，扩大其面向智能手机和平板电脑等移动设备的充电电路负载开关的小型低导通电阻MOSFET产品阵容。该新系列的第一款产品～20VP型沟道单通道MOSFET“SSM6J801R”样品出货于近日启动。批量生产计划于12月底启动。

关键词： Nexperia   MOSFET   分立器件   逻辑器件   势力   市场   资产管理   专业知识  

摘要： 前身为恩智浦（NXP）标准产品业务的Nexperia近日宣布，该公司已正式成为一家独立公司。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，在北京建广资产管理有限公司以及WiseRoadCapitalLTD（简称：智路资本）联合投资下，拥有前恩智浦部门所累积的专业知识、制造资源和主要员工，并致力于开拓产品新重点的承诺，成为独立的世界级分立器件（Discrete）、逻辑器件（Logic）和MOSFET领导者。

关键词： RACING   游戏玩家   主板   MOSFET   供电设计   ATX板型   游戏PC   做工  

摘要： 近期映泰针对主流游戏玩家推出了一款型号为RACING Z270GT4的主板，其小巧的MiCro-ATX板型设计让它非常适合用于组建小型游戏PC。做工方面，这款主板采用了7相供电设计，搭配钰邦5K小时固态电容、大中Sinopower SM4377、SM4364A低内阻MOSFET。

关键词： SiC   MOSFET   阻断特性   导通电阻   阈值电压   结构参数  

摘要： 介绍了SiC MOSFET器件应用所具有的技术优势,并从理想耐压与导通电阻理论入手,确定了漂移层耐压结构的优化设计;综合考量阈值电压、氧化层电场集中和导通电阻特性,确定了芯片元胞各关键区域的优化设计;最后,从导通电阻优化、更高电压等级芯片研制和单片集成续流二极管3方面,阐述了SiC MOSFET芯片未来的技术发展趋势。

关键词： 闭合电路   欧姆定律   理解   应用  

摘要： 欧姆定律是德国物理学家乔治·西蒙·欧姆提出的,阐述了相同电路中,通过某一段导体的电流与该导体两端成正比,与该导体电阻成反比的观点,随着电路的广泛应用,人们对闭合电路欧姆定律的重要性认识越来越深刻,闭合电路欧姆定律能够适用于金属导电以及电解液导电、纯电阻电路等,加强对闭合电路欧姆定律的理解能够有效的应用欧姆定律解决电路中的大部分问题。

关键词： 欧姆定律   控制变量法   定值电阻  

摘要： 控制变量法是物理研究中经常采用的一种方法,通过在'欧姆定律'这部分内容中的应用,希望学生能够掌握一种思维方式。教师通过教学,让学生拓展思想,掌握这一常用的解决物理问题的方法。授人以鱼,不如授人以渔,学生在学习'欧姆定律'的过程中去领悟这个方法,在以后学习其他新知识的时候能够事半功倍。一、导入穿插,小试牛刀学生在此前没有接触过有关控制变量的内容,在正式讲解用控制变量法探究'欧姆定律'之前。

关键词： LED驱动器   MOSFET   可编程   调光   便携式媒体播放器   便携式设备   集成   GPS接收器  

摘要： AL3050电流模式升压型LED驱动器，为便携式设备的LED背光提供可编程亮度功能。这款产品具有先进的调光特点、小尺寸、低BOM成本和高效率的优点，非常适合带有小型LCD面板的单节锂离子电池设备，例如多功能／智能手机、便携式媒体播放器、GPS接收器以及其他超移动设备。

关键词： SMA   驱动放大器   边带   混合函数信号   放大失真   MOSFET   传输特性   锁相环路  

摘要： DVOR-51D全向信标设备,是澳大利亚AWA公司的导航产品,在我地区已经连续使用超过20年,设备性能已经下降,维护工作比较频繁.本文通过对一次故障的描述,介绍故障现象和分析方法,找出故障点,并和THALES4000设备做了工作原理上的比较,为VRB-51D型设备和VRB-52D型设备及THALES4000设备的日后维护维修工作提供了一些方法参考和故障排除经验.