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关键词： 调压器   MOSFET   集成化   存储解决方案   股份公司   高可靠性   陶瓷电容   稳定性  

摘要： 英飞凌科技股份公司新推出IR3883，它是一种简单易瑁的全集成型高效直流一直流调压器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该调压器搭载稳定性增强引擎，在简化设计的同时，只需要纯陶瓷电容就可以确保稳定性。

关键词： 初中   欧姆定律   教学  

摘要： 初中欧姆定律教学始终是初中物理教学的难点,诸多地区开展的公开课、名师帮扶课时常选择欧姆定律一节作为课题.教学过程中如果遵循教材拟定思维逻辑进行教学势必会导致学生认知冲突,课堂教学流程看似完成实则事倍功半,学后测评学生不能达到良好绩效,究其原因是因为教师长期教学被教材固化的教学思维与学生自我认知相互冲突,挖掘学生的前概念,独辟蹊径方可事半功倍.

关键词： 叠加定理   教学设计   信息化  

摘要： 本文主要介绍了"实用电路分析与测试"中的叠加定理的教学设计,依据学生的特点,采用"教学做一体化"的教学方式,加大了实际操作练习,引入云班课网络教学平台,利用信息化手段,实现学生多元化考核,调动学生的积极性。

关键词： 电源转换器   MOSFET   尺寸封装   设计人员   处理器   密集型   器件   堆叠  

摘要： TPS546C23电源转换器将高侧和低侧MOSFET集成于小尺寸封装中，该封装的密度明显高于竞争器件。设计人员可以并行堆叠两个转换器，为各类市场上空间受限和功率密集型应用的处理器提供高达70A的负载。

关键词： 死区时间   LLC变换器   最恶劣工况   MOSFET   关断瞬态   零电压开通  

摘要： 死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响,选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则,参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上,通过对MOSFET手册中数据的分析运用,精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值,最终给出LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS所需死区时间设定值的计算方法。该方法计算过程简单直观,实验结果亦验证了其正确性和有效性。

关键词： VDMOSFET   I–V   characteristics   Drain   current   Buck   converter   Electron   radiation  

摘要： Microelectronic power converters such as buck and boost converter are required to be tolerant to radiations including electron radiation. This paper examines electron radiation effects on the Ⅰ-Ⅴ characteristics of VDMOSFET and its corresponding effects in buck converter. Analysis of the electrical characteristics shows that after irradiation the threshold voltage and drain current for all VDMOSFETs degraded more than two orders of magnitude. The impact of this electrical degradation has been investigated in an application of typical buck converter circuit. The buck converter with n-channel switching transistor shows that after irradiation its output voltage increased with the drain current in the n-channel ZVN4424 A VDMOSFET, while the buck converter with p-channel switching transistor shows its output voltage decreased with the drain current in the p-channel ZVP4424 A VDMOSFET after irradiation.

关键词： 等效电路   射频小信号   噪声参数   参数提取  

摘要： 针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了射频小信号模型参数之后,基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论,使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件,从而分析推导出射频噪声参数模型,并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比,在相应的频段内显示出很好的正确性。

关键词： 半桥电路   MOSFET管   半桥驱动电路   驱动能力  

摘要： 半桥电路广泛应用于电子镇流器、PWM电机驱动及其它DC-AC逆变电路中,现有的半桥电路驱动技术中:三极管驱动电路驱动能力较弱、芯片驱动电路成本较高;针对以上不足,本文设计了一种MOSFET管半桥驱动电路,其结构紧凑,驱动能力大大提高,能够满足大功率半桥电路的驱动要求,安全可靠,可替代成本较高的芯片驱动电路,满足中小企业的生产需求。

关键词： 电流采样   无刷直流电机   MOSFET   导通电阻   温度   矢量控制  

摘要： 无刷直流电机矢量控制(FOC)对相电流的采样要求很高,文中利用MOSFET导通时自身的内阻代替传统的精密电阻以实现相电流的采样。在实际应用中,该技术可以节约成本,简化电路,特别在大功率场合,大电流流过精密电阻时会产生很大的额外功率损耗,这使得利用MOSFET导通电阻实现电流采样具有很高的实际应用价值。文章鉴于MOSFET导通电阻受温度、电流变化的影响,通过对温度、电流的实时检测,实现对阻值的补偿控制。最后通过实验验证了基于MOSFET导通电阻相电流采样的精确性,并能够很好地应用于无刷直流电机的矢量控制系统中。

关键词： SOI   MOSFET   总剂量效应   背栅晶体管   电流模型  

摘要： 基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能够给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期,具有实用意义。