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关键词： 反激式   准谐振   品系   MOSFET   笔记本电脑   股份公司   性能改进   平板电脑  

摘要： 近期，英飞凌科技股份公司针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势，开发出全新的700V CoolMOSTM P7产品系列。较之目前使用的超级结工艺，这些全新MOSFET实现了前所未有的性能改进。诸如智能手机和平板电脑充电器以及笔记本电脑适配器等软开关拓扑均能受益于此优势。

关键词： 微控制器   SoC   单芯片   集成   外形   低压差线性稳压器   MOSFET   直流电机控制  

摘要： MC9S08SUx微控制器（MCU）系列是一款超小的单芯片SoC解决方案，外形仅有4mm×4mm×0．65mm，该超高压解决方案集成了18～5V低压差线性稳压器（LD0）和MOSFET前置驱动器，适合无人机、机器人、电动工具、直流风扇、健康保健，以及其他低端无刷直流电机控制（BLDC）应用。

关键词： 高中物理   欧姆定律   解题应用   探析  

摘要： 本文对欧姆定律在电路动态分析、路端电压分析及U-I、U-R图像应用、电源输出功率及效率、含容直流电路的分析与计算等四个方面进行了探讨,以期在物理教学或学习中能有借鉴作用。

关键词： 交变电流   有效值   平均值   正弦   应用   恒定电流   电流变化   热量  

摘要： 在交变电流变化的一个周期内，交变电流在电阻R上产生的热量相当于一恒定电流在同样时间内在该电阻上所产生的热量，此恒定电流的数值就是该交变电流的有效值。

关键词： RDS(ON)   功率   智能   温度补偿   MOSFET   热敏电阻   导通电阻   外部电路  

摘要： 使用电感器DCR检测来监控功耗，需要使用类似热敏电阻这样的外部元器件来进行温度补偿。与前面这种方案不同的是，SiC64551SiC645A利用低边MOSFET的导通电阻RDS（ON）进行检测，分别用5mV／A和8mV／C信号准确地报出电流（IMON）和温度（TMON）。这种检流方法在很宽的负载范围内都是准确的，而且在内部进行温度补偿，省掉了外部电路，从而简化设计。

关键词： 电力电子   SiC   MOSFET   SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)   SiC   DC/DC变换器   逆变器  

摘要： 进入21世纪,宽禁带半导体材料的发展对电力电子学产生了革命性的影响,SiC新一代电力电子学应运而生。从高频高效率开关应用、高功率密度、高压变换、高温工作、热管理和可靠性研究等方面介绍了近几年SiC电力电子学的应用创新。应用创新的内容包含:电路拓扑结构设计、优化设计方法、SiC功率器件和先进高频无源元件的采用、寄生参量的抑制、驱动电路设计、高温粘结与封装工艺、新冷却方法和极端工作条件的可靠性试验方法等。对SiC电力电子学的应用创新进行了综合评价。

关键词： 功率MOSFET   导通电阻   栅极电荷   优值系数   功率转换   Inc   第四代   电阻比  

摘要： 日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。VishaySiliconixN沟道Si—HP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOM即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。

关键词： 功率MOSFET   低导通电阻   东芝公司   高速开关   N沟道   电子元器件   单位面积   电源  

摘要： 东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOSIV系列”的八款新MOSFE丁利用超结结构，与东芝之前的“π—MOS—VIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻（RONXA）降低近79％。

关键词： 驱动器IC   汽车系统   MOSFET   三相   隔离器   第二代   安全完整性等级   Power  

摘要： A6862电机驱动器IC适用于需要满足汽车安全完整性等级（ASIL）要求的汽车系统，这款新器件设计用于电动助力转（Electronic Power Steering，EPS）、电动制动、以及三相继电器驱动器等应用，并且可提供详细的安全认证文件。

关键词： 功率MOSFET   纳秒级前沿   半导体固态开关   全固态   Marx发生器  

摘要： 采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1Hz^1kHz、充电电压4kV、负载阻抗为1kΩ条件下,可实现输出幅度大于20kV、前沿小于10ns且脉宽大于100ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。