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关键词： MOSFET   消费电子   移动设备   功率密度   N沟道   第四代   电源  

摘要： 日前,Vishay宣布发布新的30VN沟道Trench FET第四代功率MOSFET-SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。

关键词： MOSFET   微型封装   汽车  

摘要： 意法半导体推出了采用先进的Power FLATTM 5mm×6mm双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的Power FLATTM 5x6

关键词： 单区模型   双区模型   特征函数   边界条件   平均误差  

摘要： 定义一个平均误差,该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况。首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度,通过平均误差计算发现双区模型最大源漏偏差远小于0.06 V,而单区模型相应的源漏偏差大于0.1 V。当器件沟道长度为亚微米级时,利用电压掺杂转换模型的耗尽层厚度计算方法对两种模型做出校正,双区电势模型在校正后的源漏条件偏差有明显的减小,单区模型的源漏偏差却会增大,尤其在短沟道以及衬底高掺杂浓度时误差较大。结果表明,双区静电势模型更为精准。

关键词： 功率MOSFET器件   马达控制器   驱动器IC   BLDC   三相   马达驱动系统   高性价比   供电电压  

摘要： 可与外部N沟道功率MOSFET器件一同使用的全新三相无刷直流（BLDC）马达控制器AMT49413，它集成了高性价比三相马达驱动系统设计所需的大部分电路，具有高达50V的最大供电电压。

关键词： InGaAs   Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric   MOSFET   Al  

摘要： Positive bias temperature instability stress induced interface trap density in a buried InGaAs channel metaloxide-semiconductor field-effect transistor with a InCaP barrier layer and Al2O3 dielectric is investigated. Well behaved split C-V characteristics with small capacitance frequency dispersion are confirmed after the insertion of the InCaP barrier layer. The direct-current Id-Vg measurements show both degradations of positive gate voltage shift and sub-threshold swing in the sub-threshold region, and degradation of positive △Vg in the oncurrent region. The Id-Vg degradation during the positive bias temperature instability tests is mainly contributed by the generation of near interface acceptor traps under stress. Specifically, the stress induced aeceptor traps contain both permanent and recoverable traps. Compared with surface channel InCaAs devices, stress induced recoverable donor traps are negligible in the buried channel ones.

关键词： 调压器   MOSFET   高功率密度   应用   集成化   存储解决方案   高可靠性   陶瓷电容  

摘要： IR3883是一种简单易用的全集成型高效直流一直流调压器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该调压器搭载稳定性增强引擎，在简化设计的同时，只需要纯陶瓷电容就可以确保稳定性。

关键词： KCL定律   节点电压   自电导   互电导  

摘要： 电路分析的网络方程法有:2b方程法、支路电流法、节点电压法、网孔电流法和回路法。本文结合实例,利用基尔霍夫电流定律(KCL)和VCR导出节点电压方程的一般形式,介绍节点电压分析法的解题步骤。

关键词： 欧姆定律   问题   科学探究   核心素养  

摘要： 通过＂欧姆定律＂的教学实践和反思,突破教学难点,在问题和小制作的引领下,帮助学生厘清电流与电压、电阻的定性关系;以问题引导学生明确研究对象,设计实验方案;实验探究中引导学生不断纠错,培养学生的科学探究素养;以数形结合的方式进行数据处理,增强学生学习过程的成功体验,帮助学生形成探究过程中的科学态度和科学精神。

关键词： 辅助变流器   无源器件   驱动电路   损耗模型  

摘要： 辅助变流器是轨道交通车辆的重要部件,采用SiC MOSFET作为开关器件能整体提升变流器功率密度。将原有变流器系统完成以SiC MOSFET为开关器件的功率模块整体替代,对周边无源器件进行优化设计;根据SiC MOSFET器件特性设计一款驱动电路,并进行性能测试;针对辅助变流器主电路拓扑,建立各部分损耗模型,通过仿真进行验证,并对前后系统进行损耗对比。

关键词： 欧姆定律   电路   电流   电压  

摘要： 组装调光台灯的任务中遇到的问题是控制好电路中电流的大小,这其中最关键的是要搞清楚电流和电压、电流和电阻之间的相互关系,而这种关系的确立过程,便是得出欧姆定律这一重要物理规律的过程.在处理这一核心内容时,要强调探究过程的完整性以及得出结论的科学性,并在此探究过程中渗透控制变量这一研究方法,同时强化用图像的方法来描述新的物理规律.