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关键词： 功率MOSFET   额定电压   测量条件   数据表   工程师  

摘要： 前言 功率MOSFET的数据表中通常标出了耐压BVDSS的值，然而很多工程师并没有注意到数据表中BVDSS所对应的测量条件，当测量条件不同的时候，测量的结果会有很多的不同。本文将讨论BVDSS的测量条件所隐藏的一些的细节，来理解这个参数所设定的合义。

关键词： 测试方法   开关特性   高速SiC   MOSFET   寄生参数  

摘要： 为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。

关键词： 电源转换器   SiC   MOSFET   逆变器  

摘要： SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的V_(GS)=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiC^(TM)MOSFET可满足这些要求。

关键词： 集成电路制造   屏蔽栅沟槽型MOSFET   IDSS   DHF   工艺优化  

摘要： 屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率MOSFET。相比于传统U-MOSFET功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。对于SGTMOSFET功率器件,沟槽底部的形貌对器件性能都有非常重要的影响。当SGT-MOSFET功率器件沟槽底部氧化膜出现空洞时,器件IDSS(漏源短路电流)将增大。SGT-MOSFET功率器件相比传统U-MOSFET功率器件的沟槽深度大大加深了,以往的沟槽清洗干燥工艺,沟槽底部易有水渍残留。水渍会导致底部氧化膜生长异常,产生空洞。调整沟槽清洗干燥工艺,晶圆在清洗干燥过程中,将晶圆脱离去离子水水面的速度降低,即可实现晶圆的充分干燥,摆脱水渍残留。

关键词： 知识   电源短路   欧姆定律   窗  

摘要： 在电路中，电流不流经用电器，直接连接电源两极，则电源短路（Shoacircuit）。根据欧姆定律I=U／R知道，

关键词： 集成电路制造   SGT   中间氧化层   HDP  

摘要： 屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率MOSFET。相比于传统U-MOSFET功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。SGTMOSFET功率器件的中间氧化膜起到了对栅电极和屏蔽电极的隔离作用,若中间氧化膜厚度不足或出现空洞,将对器件IGSS(栅源短路电流)产生不良影响。为了保证足够的氧化膜厚度,并且避免空洞的出现,采用HDPCVD(高密度等离子体化学气相淀积)的方法来生长中间氧化膜。但是,由于HDPCVD采用的是淀积和溅射相结合的方法,工艺参数调整不当,会对沟槽顶部拐角形貌造成破坏。通过优化工艺参数,使淀积溅射比控制在合理范围,可以实现中间氧化膜膜质良好,又不会对沟槽形貌产生破坏。

关键词： SJ-MOSFET非对称   漂移区   横向电场  

摘要： 为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾,引入了超级结(SJ)器件,通过引入横向电场来提高击穿电压.针对工艺中非对称pillar的设计需求,建立了非对称的研究分析模型,通过引入影响设计的非对称因子k,分析了k的物理意义和修正了不同pillar比例下的k值来设计相关参数,推导出超结的设计解析表达式.为了验证设计的准确性,以沟槽栅SJ-MOSFET为器件,进行了仿真验证和比较,理论与仿真结果符合良好,可以用于超结MOSFET的设计指导.

关键词： 电路故障   欧姆定律   物理实验   能力  

摘要： 初中电路故障分析一直是困扰学生的难题,也是各地中考的考点知识.结合平时我们初中物理实验的教学,笔者提出通过初中物理实验的方法来巧解电路故障,在实验中去发现问题并解决问题,让学生在实验探究中能够举一反三.学生通过实验探究去解决问题,既培养了学生的动手能力,又激发学生的学习的兴趣.

关键词： 创新性教学   受控源   “电阻性”   “电源性”   叠加定理  

摘要： 通过分析受控源的"电源性"和"电阻性",论述验证受控源"双重性"的意义和新的思路。并以叠加定理在含受控源电路中的应用为平台,提出了一种新的解题方法,该方法可以降低相关电路分析与计算的难度,并很好地验证受控源的"电源性"。通过利用电路仿真软件进行实例检验,证实该方法确实可行,同时较好地将思辨的创新性教学方式引入电路分析课程的教改。

关键词： 欧姆定律   串联   并联   电阻   电压   电流  

摘要： 欧姆定律是初中物理的重要内容,即中考物理的必考知识点,当然也是中学生在初中物理的知识盲点.欧姆定律涉及到电路的串并联,以及电流、电压与电阻之间的关系,所考察的题型灵活多样,包括：选择题,填空题,计算解答题以及实验设计题等等.所以可以利用欧姆定律来求解初中物理的很多物理量.本文主要阐述了欧姆定律在初中物理典型题型的一些求解分析,希望能对广大师生的教学与学习带来一定的帮助.