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关键词： 杂散电流   电流注入法   多列车运行   叠加定理  

摘要： 介绍了城市轨道交通杂散电流的形成原因、危害和研究现状。根据地铁供电系统的特点,利用离散模型、电流注入法和叠加定理对杂散电流在多列车运行情况下的分布进行理论分析和仿真验证并分析了轨道纵向电阻对钢轨电位和杂散电流分布的影响。

关键词： MOSFET   漏致势垒降低   应变硅   高k栅介质   SOI   肖特基  

摘要： 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

关键词： MOSFET   电机驱动   工业设备   白色家电   低功耗化  

摘要： ROHM的高速600V超级结MOSFET PrestoMOS产品群又新增“R60xxMNx系列”，非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。

关键词： 电池   欧姆定律   电动势   内阻   误差分析   消除  

摘要： ＂测定电池的电动势和内阻＂实验一般采用电流表外接法和电流表内接法,均存在一定的误差。而采用计算法、电路分析法和图象法这3种方法分析误差产生的原因,并以重新设计的创新实验消除误差,具有一定的新颖性。

关键词： MOSFET   Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2 Contacts and Dopant Segregation  

摘要： We present an experimental analysis of Schottky-barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors （SB- MOSFETs） fabricated on ultrathin body silicon-on-insulator substrates with a steep junction by the dopant implantation into the silicide process. The subthreshold swing of such SB-MOSFETs reaches 69mV/dec. Em- phasis is placed on the capacitance-voltage analysis of p-type SB-MOSFETs. According to the measurements of gate-to-source capacitance Cgs with respect to Vgs at various Vds, we find that a maximum occurs at the accumulation regime due to the most imbalanced charge distribution along the channel. At each Cgs peak, the difference between Vgs and Vds is equal to the Schottky barrier height （SBH） for NiSi2 on highly doped silicon, which indicates that the critical condition of channel pinching off is related with SBH for source/drain on chan- nel. The SBH for NiSi2 on highly doped silicon can affect the pinch-off voltage and the saturation current of SB-MOSFETs.

关键词： MOSFET   控制芯片   管理系   SSR   高压启动   电源   反激   内置  

摘要： SDH866XQ系列芯片合封了具有专有技术的功率EDMOS，并采用了具有专利技术的高压启动控制芯片，因此省略了传统芯片的启动电阻，使得芯片待机功耗低至40mW，具有快速启动，轻载高效等优点。由于芯片在启动过程中采用高压耗尽型MOSFET进行高压充电，启动后高压启动控制器控制该MOSFET关断，相比其他高压启动方式可靠性更高，更易通过雷击浪涌测试。

关键词： 物理老师   电压表   电流表   闭合电路欧姆定律   高中物理   教学设计  

摘要： 教学目标:第一,让学生掌握闭合电路欧姆定律并能够独立推导出其公式,并且还要知道内电路上的电势与外电路上电势降落之和等于电源的电动势。第二,让学生理解和掌握路端电压与负载之间的关系,并且知道如何用图线和公式表达这种关系,还要学会利用这些关系分析和计算有关问题。第三,指导学生认识电源短路与电源断路,并且学会区分两者的不同,对这两种情况下的电路特点进行掌握。

关键词： 降压稳压器   同步   MOSFET   输出电流   输入电压   产品组合   可靠性能   导通电阻  

摘要： ISL850xx同步降压稳压器支持3．8～18V输入电压和宽输出电流范围，为设计师提供了具有高效率和可靠性能的完整产品组合。这些引脚兼容的稳压器集成了导通电阻（RDSON）非常低的高边和低边MOSFET，可减少外部元件数量和功率损耗，进而延长产品寿命。

关键词： 散热效率   功率MOSFET   汽车   双面   封装技术   功率晶体管   电机控制   功率开关  

摘要： STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，采用先进的POwerFLAT 5×6双面散热（DSC）封装技术，可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0．8ram的PowerFLAT5×6DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极曝露在外面，以进一步提升散热效率，

关键词： 碳化硅MOSFET   脉冲   杂散参数   开关特性  

摘要： 在电力电子系统中,碳化硅(Si C)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性,并进一步影响系统效率和可靠性。针对Si C MOSFET,首先分析控制脉冲、驱动脉冲及电磁能量脉冲三者间形态属性的关系,提取影响Si C MOSFET开关瞬态过程的关键参数,即开关过程中的dv/dt和di/dt。基于Si C MOSFET的开关过程,分析驱动回路参数对dv/dt和di/dt的影响,并通过PSpice仿真及搭建Si C MOSFET双脉冲测试实验平台进行分析和比较。在此基础上,对基于驱动回路参数的瞬态控制方法进行对比分析,为实际应用中对Si C MOSFET的开关特性改善提供重要的理论基础。