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关键词： 漏极电流噪声   毫米波   弱反区   噪声模型  

摘要： 纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性。针对上述问题,基于纳米MOSFET器件的物理特性,并结合漂移扩散方程和有效栅极过载,建立统一表征强反区到弱反区的频率和偏置依赖性的漏极噪声模型,使之便于移植到先进设计系统(ADS)仿真设计。通过所建模型的仿真结果与实验测试结果进行比较,验证所建模型的准确性。同时比较所建模型对130nm和40nm MOSFET两种不同工艺器件的实用性,验证其对表征40nm MOSFET的毫米波噪声特性的优越性。

关键词： 功率晶体管   MOSFET   氮化镓   小型化   EPC   等效   AC/DC   马达驱动器  

摘要： 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管，包括无线充电、多级AC／DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。

关键词： SiC   MOSFET   原胞   三维仿真   栅氧电场  

摘要： 采用三维数值仿真的方法分别研究SiC MOSFET条形原胞、方形原胞以及六角原胞的电学特性与栅氧化层电场分布;提出SiC MOSFET方形原胞新并联方案,相比传统的方形原胞阵列,新方案可有效降低器件栅氧电场峰值,达到与六角原胞接近的效果。新方案在版图实现上并未增加技术难度,是SiC MOSFET版图设计中一种可行的方案。

关键词： 欧姆定律   教材习题   中考试题   习题教学  

摘要： 笔者根据课程标准要求,分析教材中＂欧姆定律＂的习题和中考涉及欧姆定律的试题特点,并从教学理念、教学行为等方面提出初中物理习题教学的建议。

关键词： SiC   MOSFET   短路特性   短路测试   实验研究  

摘要： 短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSFET非破坏性短路测试实验平台,从短路脉冲宽度、栅源极电压UGS、栅极电阻RG、漏源极电压UDS、杂散电感LS、壳温度TCASE等方面对1 200 V/36 A SiC MOSFET的短路特性进行全参数实验,综合评估和分析SiC MOSFET器件在不同参数下发生短路的开关瞬态特性。

关键词： RDS(on)   场效应晶体管   安全工作区   线性模式   MOSFET   功率场效应管   低导通电阻   股份公司  

摘要： 英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS（on））与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS（on）与线性模式功能之间的平衡问题。

关键词： 戴维南定理   教学心得   电路分析   晦涩难懂   等效电阻   电气类   支路电流法   基本分析方法   解题步骤   开路电压  

摘要： 在电路分析中,戴维南定理是一个非常重要、非常实用的定理,也是《电工与电子技术》课程中的重点内容。由于戴维南定理内容比较晦涩难懂,也使得它成为《电工与电子技术》的难点内容。笔者结合自己一线教学经验,从调动学生探究科学规律的积极性、动手实践和总结科学规律、定理讲解和化解难点、强调注意事项四个方面谈谈相应的教学方法和体会。

关键词： 驱动IC   单通道   Link技术   门极   Driver   MOSFET   通信技术   Power  

摘要： 1700 V SCALE-i Driver IC可用来驱动IGBT和MOSFET,它将Power Integrations首创的Flux Link磁感双向通信技术与其SCALE功率器件驱动器技术完美结合。Flux Link技术可省去可靠性相对较低的光电器件和相关补偿电路,从而增强系统运行的可靠性,同时降低系统的复杂度;

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   碳化硅   静态特性  

摘要： 以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律,接着基于所得到的温度特性实验结果,建立了SiC MOSFET静态等效电路模型,最后对该模型进行了验证。结果表明,温度对SiC MOSFET静态特性及参数的影响较为明显,所建立的等效电路模型能正确反映SiC MOSFET的静态特性。

关键词： InAs nanowires   Si substrate   interdigital structure   MOSFET  

摘要： High-density horizontal InAs nanowire transistors are fabricated on the interdigital silicon-on-insulator *** InAs nanowires are uniformly grown between face-to-face（111） vertical sidewalls of neighboring Si fingers by metal–organic chemical vapor deposition. The density of InAs nanowires is high up to 32 per group of silicon fingers,namely an average of 4 nanowires per micrometer. The electrical characteristics with a higher on/off current ratio of 2×10~5are obtained at room temperature. The silicon-based horizontal InAs nanowire transistors are very promising for future high-performance circuits.