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关键词： single-event transient pulsed laser parasitic bipolar junction transistor partially depleted silicon on insulator  

摘要： In this study, we investigate the single-event transient（SET） characteristics of a partially depleted silicon-on-insulator（PDSOI） metal-oxide-semiconductor（MOS） device induced by a pulsed *** measure and analyze the drain transient current at the wafer level. The results indicate that the body-drain junction and its vicinity are more SET sensitive than the other regions in PD-SOI *** use ISE 3D simulation tools to analyze the SET response when different regions of the device are hit. Then, we discuss in detail the characteristics of transient currents and the electrostatic potential distribution change in devices after irradiation. Finally, we analyze the parasitic bipolar junction transistor（p-BJT） effect by performing both a laser test and simulations.

关键词： 换流器   碳化硅   金属-氧化物半导体场效应晶体管  

摘要： 三相四线制换流器能实现低压配电网三相不平衡等综合电能质量调节,在此结合碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)对四桥臂型两电平换流器展开深入研究。根据正弦脉宽调制(SPWM)下开关频率及电流波纹的大小来优化设计高频LC滤波器,通过效率分析和热等效电路来选取散热器。通过搭建并测试125 kVA三相四线制SiC MOSFET换流器实验装置来验证不同负载条件下设计合理性和SiC-MOSFET优越性。

关键词： MOSFET   www   宽电压输入   TOP 10 POWER   导通电阻   输出电容   隔离电压   电机驱动器   系统安全   功率级   宽输入电压范围   控制回路   电池寿命   控制器  

摘要： 专家评审组成员颜重光高工上海市传感技术学会理事路秋生教授中国电源学会常务理事邢岩教授南京航空航天大学TOP 10 RF无线充电发射端ICDA4100 DA4100RF发射集成电路极大地简化了WattUp无线电源传输系统的应用,使其变得尺寸更小且更经济有效。

关键词： 硅桥结构   MOSFET   磁传感器   ANSYS仿真  

摘要： 给出一种MOSFETs硅桥结构磁传感器,在方形硅膜上表面的不同位置设计4个p-MOSFETs,沟道电阻构成惠斯通电桥结构,并在方形硅膜上表面中央位置制作铁磁材料。通过采用ANSYS有限元软件建立磁传感器仿真模型,仿真结果表明,外加磁场作用下,铁磁材料受到磁场力,使硅膜发生弹性形变,产生桥路输出电压,实现对外加磁场的检测。基于仿真结果,采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作MOSFETs硅桥结构磁传感器,实验结果表明,当工作电压为1.0 V时,满量程输出为0.69 mV,灵敏度为1.54 mV/T,准确度为3.76%F.S.。

关键词： 固态断路器   实验装置   MOSFET   电气特性  

摘要： 开发了一套基于金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)并联的限流式固态断路器,并以此为基础设计了一套电力电子器件及固态断路器测试实验装置。该实验装置可实现MOSFET的稳态和动态均流特性测试、二极管反向击穿电压测试、MOSFET的关断能量损耗测试等实验,还可验证固态断路器在防止越级跳闸及降低电气火灾隐患等方面的功能。该实验装置有利于加深学生对MOSFET、二极管相关电气特性以及基于电力电子器件的固态断路器的理解,提高学生综合运用专业知识的能力。

关键词： 电流表   高中物理   多用电表   变阻器   欧姆定律   半偏法   电压表   电阻箱  

摘要： 文本探讨了关于高中物理电阻的测量问题,以供读者参考。一、高中物理电阻测量方法研究1.多用电表测量电阻常见的指针式多用电表如图1所示,电表表盘位于电表的上半部分,选择开关位于电表的下半部分,测量功能、量程分布在开关的周围。使用多用电表测量电阻的步骤:(1)机械调零,使用螺丝刀转动定位螺丝。(2)拨动选择按钮到欧姆挡,短接红黑表笔。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   低频功放   串扰抑制  

摘要： 针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在100 kHz低频(LF)功放应用中出现的串扰问题,考虑SiC MOSFET寄生参数分阶段研究串扰过程,分析关键参数对串扰电压尖峰的影响,从而提出降低串扰尖峰的若干思路。为抑制串扰现象,采用无源抑制方法进行驱动设计,该驱动设计简单可靠,具有较高工程应用价值。最后,进行驱动对比实验,采用所提驱动设计对串扰的抑制效果显著,正、负向串扰电压尖峰比基本驱动电路分别降低73%和70%。

关键词： iC器件   MOSFET   SiC   晶体管  

摘要： 在经过多年的疑虑和犹豫之后，SiC器件终于迎来了春天。

关键词： SiC   MOSFET   器件特性参数   差异度   并联   静动态均流   器件筛选  

摘要： 碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响。因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系。

关键词： MOSFET驱动器   参考设计   碳化硅   可扩展   Devices   ADI   速度   上市  

摘要： 美高森美公司（Microsemi）和Analog Devices公司（ADI）推出可扩展碳化硅（SIC）驱动器参考设计解决方案，其基础为美高森美的一系列碳化硅MOS—FET产品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。