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关键词： 物理教学   “毛胚”思想   温度计   照相机   欧姆定律  

摘要： 本文通过三个教学案例,介绍了'毛胚'思想在物理教学中应用的具体做法、基本步骤和现实意义.教师若把'毛胚'思想深入到物理课堂教学中,物理课堂教学就会变得更具生机和活力.

关键词： 汽车应用   MOSFET   驱动器IC   半桥   电感性负载   空调系统   汽车系统   高功率  

摘要： A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可适用于直流泵（制动、油、水和燃料）、空调系统（HVAC）、螺线管和致动器等设计。这些器件特别适合于必须满足ASIL要求的汽车系统，

关键词： 缓冲保护   浪涌电压   MOSEFT   逆变电路  

摘要： 低电压大电流逆变电路的缓冲保护电路的设计非常重要。本设计是在传统的RCD放电阻止型吸收电路的基础上加以改进,提高传统RCD缓冲保护电路的过电压吸收能力,改进后的电路结构简单且有很高的通用性。本设计结合动力逆变电路具体情况,设计出高效、简单及可靠的过电压防护电路,通过实验验证改进型RCD缓冲电路大幅度减小浪涌电压符合设计需要。

关键词： 正弦式交流电   有效值   最大值  

摘要： 本文用代数方法通过热效应相等证明了正弦式交流电电流与电压的有效值为U=UM/／2,I-IM/／2.

关键词： 聚酰亚胺(PI)   湿度传感器   半导体平面工艺   扩展栅极结构   相对湿度  

摘要： 将聚酰亚胺(PI)薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可制成湿度传感器件,测试结果显示:该湿度传感器具有明显的湿度敏感特性。

关键词： 逆变器   半导体器件   磁集成开关电感   寄生电容  

摘要： 采用宽禁带半导体器件和软开关技术可显著改善逆变器效率和功率密度。提出采用碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的新型磁集成软开关逆变拓扑。重点研究SiC MOSFET零电压开关(ZVS)关断损耗,通过深入探讨SiC MOSFET寄生电容对ZVS实现的影响及等效寄生电容的提取方法,并构建开关电感磁集成动态损耗模型,优化SiC MOSFETZVS的条件,修正器件电压、电流应力公式,获得了更高效的电路设计参数。最后通过一台20 kW SiC MOSFET磁集成开关电感软开关逆变器实验样机证明了理论分析的正确性。

关键词： 逆变器   碳化硅   解耦控制  

摘要： 采用新型C3M0120090D型碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片,以三相H桥逆变器拓扑结构为基础,通过研究分析逆变器工作原理,从而研究了电压电流解耦控制。通过对C3M0120090D型SiC MOSFET芯片研究设计出新型SiC芯片驱动电路,通过搭建600 W三相H桥逆变实验平台,验证了SiC MOSFET芯片工作可行性与可靠性,且通过红外温度测量仪观测出带载工作时芯片温度与室温相近,验证了SiC MOSFET芯片工作的高效性。

关键词： 金属-氧化物半导体场效应晶体管   碳化硅   短路保护  

摘要： 碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在高频、高压、大功率场合的研究和应用越来越多,能够提升变流器的效率和功率密度,而短路保护技术是SiC MOSFET驱动电路的关键,对变流器的安全可靠工作尤为重要。首先分析总结了SiC MOSFET短路保护电路的特点,结果表明基于检测漏源极电压的短路保护方法更易于工程实现。在此基础上,针对两种漏源极电压保护电路方案,研究了其参数设计方法,分析了不同故障条件下的延迟时间,并进行实验验证。仿真与实验结果表明,漏源极电压检测方法能对SiC MOSFET进行有效保护,采用比较器和基准电压的漏源极电压保护电路更易于设计,在应用中可靠性和稳定性较高。

关键词： 电热混合仿真   电源设计   Sigrity   Power   DC   MOSFET  

摘要： 温度是影响产品寿命的重要指标。随着平台芯片性能的不断增强和产品体积的不断缩小,散热问题变得越来越严重,这给产品设计带来挑战。本文针对产品设计中同步开关电源电路MOSFET温度过高的问题,运用了Cadence公司Sigrity Power DC仿真软件中的Single-Board/Package E/T Co-Simulation模块对问题进行电热混合仿真,模拟问题现象。通过改进仿真设置中的电源负载结构,使得器件表面温度的仿真结果更贴近实际测试值。并将相同的电源负载结构、材料设置等应用于改善的设计中,验证了改善设计的有效性并比较准确的预测了改善设计中的结果,使器件温度最终达到设计标准。电热协同仿真能有效的预测器件的工作温度,对产品可靠性设计有重要参考价值,对节省开发成本有很大帮助。

关键词： Dynamic   model   SiC   MOSFET   verilog-A  

摘要： The paper presents a compact simulation program with integrated circuit emphasis(SPICE)model for a 1200V/19A Silicon Carbide power metallic oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET).Based on an equivalent circuit topology,the model completely describes the static and dynamic device characteristics which include the MOSFET channel current,the nonlinear junction capacitance and the switching *** the parasitic elements effect is also considered and studied during the modeling,testing and *** model parameters are extracted based on the experimental measurement *** convenience,the model is implemented by Verilog-A description language and embedded in the simulation software-Advanced Design System(ADS).The validity and accuracy of the model are validated by the double pulse test under inductor *** Verification result shows that the modeling job is correct and available for prediction of the switching performance under different conditions.