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关键词： 功率MOSFET   测量位置   尖峰电压   干扰信号   输出纹波   开关电源   空间耦合   示波器  

摘要： 测量开关电源输出纹波的时候,通常要去除示波器探头的探头帽,直接将探头的信号尖端和地线接触输出端。同样的,在测量功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候,也要去除示波器探头的探头帽,直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端,减小地线的环路,从而减小空间耦合的干扰信号,如图1所示。

关键词： 智能功率模块   驱动电路设计   马达驱动器   MOSFET   Module   意法半导体   Power   设备效能  

摘要： 600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能,采用分别的发射极开路输出设计,并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线。意法半导体（STMicroelectronics,ST）新推出的SLLIMM-nano智能功率模块（Intelligent Power Module,IPM）导入新封装类型,并整合更多组件,加快300W以下低功率马达驱动器研发,简化组装过程。3A和5A模块内建最先进的600V超接面MOSFET.

关键词： 半导体技术   小信号模型   模型参数提取   趋肤效应   多胞模型  

摘要： 对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12μm(栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.

关键词： 同步整流器   MOSFET   极低导通电阻   导通电压  

摘要： 分析了大电流整流电路因整流器引起的散热困难问题和正向电压引起的效率下降问题。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作在整流状态下需要低导通电阻、大电流承受能力和低热阻的特点和目前商用低压MOSFET最新水平。分析了工作在整流器状态的MOSFET导通电阻对导通电压的影响,提出采用极低导通电阻作为100 A级整流器的MOSFET所需要满足的主要参数。最后,通过实验验证了本文提出的方法及理论。

关键词： MOSFET   r型   反向恢复时间   白色家电   低功耗化   电机驱动   工业设备   开关损耗  

摘要： R60xx MNX系列是罗姆高速trr（反向恢复时间）型600V超级结MOSFET PrestoMOS产品群的新成员，非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS拥有超快trr性能和超小的开关损耗，可帮助搭载变频器的白色家电的功耗更低。

关键词： SiC   电力电子器件   宽禁带半导体器件   SiC   IGBT   欧姆接触   SiC   MOSFET  

摘要： 由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展。概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望。

关键词： 4H-SiC   MOSFET   Spice模型   迁移率   开关损耗  

摘要： 提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级(Level-1)模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移率模型来代替.产品数据手册验证了该模型静态特性的准确性,DC/DC Boost变换器实验也验证了该模型动态特性的准确性.利用该模型讨论了4H-SiC/SiO2的界面态密度和表面粗糙度对4H-SiC MOSFET开关特性的影响.结果表明,随着界面态密度的增加,4H-SiC MOSFET的开通延迟时间随之增加,而关断提前的时间也增加,同时器件的开关损耗也增加,但是表面粗糙度对开关特性的影响非常小.所取得的结果对4H-SiC MOSFET的应用和器件工艺都有一定的指导作用.

关键词： Strain Engineering for Germanium-on-Insulator Mobility Enhancement with Phase Change Liner Stressors   PCM   MOSFET  

摘要： We investigate the strain in various Ge-on-insulator （GeOI） micro-structures induced by three phase-change maferials （PCMs） （Ge2Sb2Te5, Sb2Te3, GeTe） deposited. The PCMs could change the phase from amorphous state to polycrystalline state with a low temperature thermal annealing, resulting in an intrinsic contraction in the PCM films. Raman spectroscopy analysis is performed to compare the strain induced in the GeOI micro- structures by various PCMs. By comparison, Sb2 Tea could induce the largest amount of tensile strain in the GeOI micro-structures after the low temperature annealing. Based on the strain calculated from the Raman peak shifts, finite element numerical simulation is performed to calculate the strain-induced electron mobility enhancement for Ge n-MOSFETs with PCM liner stressors. With the adoption of Sb2 Te3 liner stressor, 22% electron mobility enhancement at Xinv=1×10^13cm^-2 could be achieved, suggesting that PCM especially Sb2 Te3 liner stressor is a promising technique for the performance enhancement of Ge MOSFETs.

关键词： 复习课   欧姆定律   教学目标  

摘要： 以'闭合电路欧姆定律应用'教学为例,分析了学生的学情,从如何设置复习课的教学目标,怎样优化教学流程,找出解决问题的策略、方法,怎样对课堂教学及学生的学习进行科学评价,以及抓住实验在复习课中的作用等方面,阐述了如何提高复习课的效率。

关键词： 欧姆定律   高中物理   滑动变阻器  

摘要： 欧姆定律是高中物理中的重要知识点之一,也是电学中的基本定律。教师在教学中需要通过严谨的公式引导和实际的实验操作来帮助高中生深刻理解欧姆定律。一、应用欧姆定律公式时需要注意的问题欧姆定律公式,反映的是三个量之间的相互关系,也是对同一个电路而言的。教师在引导学生应用公式时必须让学生掌握公式的精髓。闭合回路中,一段电路的电流只能由这段电路两端的电压大小和这段电路的电阻决定。