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关键词： 信息技术   初中物理   演示实验   欧姆定律  

摘要： 随着信息技术的迅猛发展,其在教育领域的运用也逐渐成为教学创新的重要方向。以苏科版物理教材九年级上册第十四章第四课“欧姆定律的应用”为例,探讨信息技术在初中物理课堂演示实验中的有效运用,旨在深化学生对欧姆定律实际应用的理解,并激发学生的学习兴趣,培养其实验技能。

关键词： 晶圆厂   分立器件   晶圆代工   技术研发能力   氮化镓   收购   欧元   MOSFET  

摘要： 近日,SiC晶圆代工龙头X-FAB发布公告称,公司计划出资2250万欧元(折合人民币约1.76亿元)收购M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited(以下简称M-MOS)的全部股份。据介绍,M-MOS是一家专注于MOSFET技术开发的无晶圆厂(Fabless)公司。M-MOS销往工业、消费和汽车市场的MOSFET晶圆主要由X-FAB生产。2022年,M-MOS的营收为3200万美元(折合人民币约2.29亿元)。此外,根据M-MOS官网信息,其还具备硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率分立器件技术研发能力。

关键词： 新课改   初中物理   实验教学   实施路径  

摘要： 随着新课改的推进，初中物理实验教学被赋予了新的内涵。文章首先阐述新课改对初中物理实验教学的要求，然后探讨新课改背景下如何有效实施初中物理实验教学，最后以“欧姆定律”为例详细阐述初中物理实验教学的实施路径，以期为初中物理实验教学提供参考。

关键词： 拔尖创新人才   问题解决   深度备课   欧姆定律  

摘要： 在集体备课前，主备人根据教学经历或困惑设计几个核心问题，让组内教师事先思考准备；在集体备课时，通过讨论、实验等形式解决或理解这些核心问题，形成开放性的深度备课资源，提供多元化的个人自备思路，能切实提高集体备课的有效性，以适应培养拔尖创新人才开放性思维的需要。

关键词： Performance evaluation   Schottky diodes   Time-frequency analysis   Silicon carbide   Simulation   Schottky barriers   Low power electronics  

摘要： A silicon carbide（SiC） double trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor（DTMOS） with split gate（SG） and integrated Schottky barrier diode（SBD） is proposed for the first *** proposed device features two enhanced deep trenches in the surface,in which a source-connected SG with a thicker dielectric layer is located at the bottom of the deep gate trench and an integrated SBD is located at the sidewall of the deep source trench（DST）.Combined with shielding effect provided by the P+shield layer under the DST and integrated SBD,the proposed structure not only reduces the reverse transfer capacitance(Crss) and gate-drain charge(Qgd) but also restrains the saturation drain current(Id,sat) and improves the diode performance of the *** analysis results show that compared with the Con-DTMOS and Con-DTMOS with external SBD diode,the turn-on loss(Eon) and turn-off loss(Eoff) for the proposed device are reduced by 56.4%/70.4% and 56.6%/69.9%,***,the Id,satat the Vgsof 18 V for the proposed device is reduced by 74.4% and the short-circuit withstand time(tSC) is improved by about 7.5 *** a result,an ultra-low power loss and improved short-circuit capability is obtained for the proposed device.

关键词： 碳化硅   栅极   界面态密度  

摘要： 栅极可靠性一直是SiC MOSFET芯片所面临的重要问题,主要体现在高温栅偏所导致的阈值电压退化。如何提升SiC MOSFET芯片的阈值电压稳定性,需要展开系统而深入研究。从栅氧氮化和后道工艺出发,研究了氮化退火过程对栅氧界面态密度(Dit)、沟道电子迁移率（μ）与栅极负栅压可靠性的影响机理。通过μ与负偏压温度应力（NBTS）导致的转移特性漂移量(ΔUth)的折中关系,得出了最优栅氧氮化工艺条件。同时,探究了多种类型的层间介质（ILD）对栅源漏电,进而影响栅极可靠性的作用机制。结果表明USG介质由于具有较小的有效电荷含量,降低了对栅氧界面的影响,基于其制备的SiC MOSFET芯片具有较好的栅极可靠性。

关键词： 基尔霍夫电流定律   拓扑解耦   故障电流   运检故障定位  

摘要： 阐述基于拓扑解耦（TD）的配网运检故障定位算法，提出运用基尔霍夫电流定律（KCL）实现故障电流的准确判断，搭配判断矩阵（JM），提高运检故障的定位精度，从而取得预期的检测效果。

关键词： 宽禁带半导体   SiC   辐射效应   单粒子辐射   抗辐射电源  

摘要： 随着我国航天事业的蓬勃发展，以SiC等为代表的宽禁带导体的抗辐射能力成为当前国内外研究的热点。目前的大部分针对器件级单粒子烧毁、漏电流增加、阈值电压漂移等的研究和试验均在施加静态偏置条件下开展。本文首先针对SiC MOSFET开展器件级辐照效应研究，分析其单粒子辐照安全工作区间。在此基础上，本文进一步设计了抗辐射电源电路作为试验载体，验证SiC MOSFET在电源实际工况下的电、热、抗辐射性能。

摘要： 第1节串、并联电路的基本特征用一个电源、两个小灯泡、一个开关和一些导线组成电路,想要让两个小灯泡都发光,共有两种连接方式:一种是将两个小灯泡首尾依次相接——串联,另一种是将两个小灯泡首首相接,尾尾相连——并联.该考点常见的考查形式有两类:一是根据要求设计串、并联电路;二是电路的识别,根据已知电路判断串、并联情况.

摘要： 在解答电路问题时要经常运用欧姆定律,其内涵的抽象性、关系的复杂性等常使同学们在学习时理解不透,形成错误的认识.本文对欧姆定律进行了解读,希望能够帮助同学们更好地理解欧姆定律.一、解读欧姆定律的公式及其变形式欧姆定律的公式为I=U/R,变形式是U=IR和R=U/I.对I=U/R、U=IR和R=U/I这三个式子要能正确理解,切忌忽视公式的物理意义,从纯数学化的角度理解.