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关键词： MOSFET   碳化硅   Littelfuse  

摘要： 中国,北京,2017年10月17日讯-Littelfuse,Inc.今日宣布推出了首个碳化硅(Si C)MOSFET产品系列,成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的新系列。Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.。

关键词： 欧姆定律   电动势   内阻  

摘要： 用电流表和电压表及伏安法测定电池的电动势和内阻的实验是高考中很重要的一个知识点,更是高考的热点、难点还是是易错点,本文将从实验原理和误差分析等方面来总结分析误差和消除。

关键词： 日本三菱   电子公司   MOSFET   碳化硅   半导体功率器件   结构   研发   导通  

摘要： 日本三菱电子公司研发出碳化硅（SiC）MOSFET新结构,在因短路而出现过流时,不再需要高速保护电路来阻断电压,更好满足高能效、小尺寸等领域应用需求。需求背景半导体功率器件是功率电子设备的重要组成部分,广泛用于家用电器、工业机械和轨道交通等众多领域。功率电子设备中的短路能够在半导体功率器件中引起非常大的过流,进而带来损害或引发器件失效。

关键词： 误合闸   涌流抑制器   电源   MOSFET  

摘要： 分析渤海油田某平台的电网中2电站的发电机组之间因非正常并列而产生波动,故障发生过程引用电力MOSFET管工作原理,得出涌流抑制器合闸出口接入交流电源后动作机理,从设计与施工调试等方面提出几点防范措施。

关键词： 欧姆定律   核心素养   物理学史  

摘要： 物理学史是物理教育的重要资源之一,课堂教学中合理利用物理学史知识,可以更好地培养学生的核心素养,促进学生发展。

关键词： 电子负载   STM32   MOSFET   恒流   锂电池  

摘要： 采用STM32F103VE为主控芯片,通过A/D及D/A转换和控制MOSFET的导通,实现电子负载功率模块的温度控制、0-5A的恒流放电及设置电源放电截止电压。通过测试,可实现0-5A恒流放电,可调精度为0.03A,并且实时显示放电电流、电源电压和放电时间。放电结束可显示放电容量,具有动态负载测试功能。测试结果表明,该电子负载容量测试误差在5%以内,结果精确,设计简易,方便使用。

关键词： 小信号等效电路分析法   输出电阻   诺顿定理   受控电源  

摘要： 通过对清华《模拟电子技术基础》教材的分析和研究,发现其中几个问题值得讨论和商榷。对教材中应用小信号等效电路分析法对输出电阻的求解方法进行了详细的分析,指出了存在的一些问题,并就如何处理这些问题提出了意见和建议。对教材中的例题也进行讨论,对问题的考虑不周提出了自己的看法。文章对教材的再版具有一定的指导作用。

关键词： 大功率IGBT   MOSFET   电池技术   充电模块   新能源汽车   功率开关器件   业内人士   发展趋势  

摘要： IGBT和MOSFET同为充电桩必不可少的功率开关器件,被称之为新能源汽车充电桩的＂心脏＂,但是两者的使用却存在着＂争议＂。近期,有业内人士向高工电动车网透露,随着动力电池技术的不断突破及新能源汽车续航里程的不断提高,大功率IGBT快充技术才是未来十年的发展趋势,而目前大部分充电桩企业纷纷选择使用另一充电模块——MOSFET模块。

关键词： MOSFET   电源选择   离线开关   RDS(on)   有源区   面积   平面   管芯  

摘要： 今天,硅MOSFET的选择可以分为两个主要部分：平面/沟槽MOSFET和超极结MOSFET。平面MOSFET的有源区域靠近裸片的表面（见图1a）。为了减少RDS（on）,需要额外的管芯面积,并且为了增加MOSFET的电压,必须使管芯更厚。相比之下,超极结MOSFET（见图1b）使用其芯片深度来增加通道面积,这明显降低了其给定裸片面积的RDS（on）。

关键词： 分离栅   MSO结构   特征导通电阻   特征栅漏电荷  

摘要： 把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构),并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构),之后介绍了MSO结构的器件结构和制备工艺,重点借助TCAD仿真软件对MSO结构的外延层掺杂浓度、顶部侧氧厚度与底部侧氧厚度进行优化,最终仿真得到击穿电压为126V,特征导通电阻为30.76mΩ·mm^2和特征栅漏电荷为0.351nC·mm^(-2)的MSO结构.在近似相等的击穿电压下,与传统SGT结构相比,MSO结构的特征导通电阻及特征栅漏电荷均有所降低,这两项参数综合反映器件的优值(FOM=Qgd,sp×RonA)降低了39.6%.