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关键词： DLP   EVM   一级供应商   汽车制造商   MOSFET   德州仪器   芯片组  

摘要： 德州仪器(TI)近日发布用于车载抬头显示(HUD)系统的DLP?新一代技术。全新的DLP3030-Q1芯片组以及配套的评估模块(EVM),可帮助汽车制造商和一级供应商将高亮度的动态增强现实(AR)内容显示到挡风玻璃上,从而将关键信息呈现于驾驶员的视线范围内。

关键词： 金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)   大功率   快速   响应时间   整体测试  

摘要： 目前变电站二次设备测试时主要采取分体测试,整体通流的方法。无法实现整体测试的原因主要受限于大功率电流放大器技术,一方面是因为放大器体积庞大,笨重,电源功率要求较高,变电站现场安装移动困难;另一方面是大电流输出幅值、负载、电流精度、电流响应速度不能满足要求。基于MOSFET的大功率快速放大器技术能够实现电流放大器2000A的电流输出,同时电流输出响应速度小于500us,体积小,重量轻,移动方便,使二次设备现场整体测试成为现实,对变电站调试检修具有重大的意义。

关键词： 驱动电路   峰值电流   磁耦合  

摘要： 研究了一种基于磁耦合的场效应管驱动电路,该电路能够在占空比大范围变化和工作频率较高的情况下保证驱动波形符合要求。该电路提供了完全的电气隔离,毋需辅助电源。该驱动电路对驱动变压器漏感不敏感,不需要栅极电阻来阻尼震荡,从而可提高驱动的峰值电流,同时驱动变压器设计更灵活,有助于提高原副边隔离电压和电磁兼容性。

关键词： 小信号   S参数   射频功率放大器   MOSFET  

摘要： 介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 d B。实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值。

关键词： 电阻   测量   滑动变阻器   欧姆定律   电路图   电压表   实验室   电流表  

摘要： 学习了欧姆定律后,老师布置了一个任务,让同学们自己动手测量一个导体的电阻。 小明、小亮和小伟他们三个人来到了实验室,各自选择了待测电阻。然后,他们按照如图1所示的电路图连接好电路,并进行测量。移动滑动变阻器滑片,读出三次电压表和电流表的示数,并由此计算出每次的电阻和电阻的平均值。小亮说：＂我不用电压表也能测出电阻。＂

关键词： 切换速度   电子应用   MOSFET   碳化硅   超高速   电力   低导通电阻   功率晶体管  

摘要： LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻（80mΩ）。该装置针对高频切换应用进行了优化,兼具超低切换损耗与超高切换速度,令传统功率晶体管望尘莫及。

关键词： 集成电路制造   时间相关介质击穿   栅氧   场效应管   应力   退火  

摘要： TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)时间相关介质击穿,表征与时间相关的介质电击穿。在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层可靠性的关键参数。PEM(process evaluation module)可靠性测试片上发现,多晶叉齿结构更易造成TDDB失效。交叉实验研究表明氮化硅上顶层金属在热过程下的形变是TDDB在PEM结构上失效的主要原因。可以通过降低退火温度和氮化硅压应力的补偿来改善,可有效解决TDDB失效。同时发现介质层ILD的膜质组成也会对TDDB失效有一定影响。

关键词： SOI   MOSFET   Influence of Total Ionizing Dose Irradiation on Low-Frequency Noise Responses in Partially Depleted SOI nMOSFETs  

摘要： Total ionizing dose effect induced low frequency degradations in 130nm partially depleted silicon-on-insulator （SOI） technology are studied by ^60Co γ -ray irradiation. The experimental results show that the flicker noise at the front gate is not affected by the radiation since the radiation induced trapped charge in the thin gate oxide can be ignored. However, both the Lorenz spectrum noise, which is related to the linear kink effect （LKE） at the front gate, and the flicker noise at the back gate are sensitive to radiation. The radiation induced trapped charge in shallow trench isolation and the buried oxide can deplete the nearby body region and can activate the traps which reside in the depletion region. These traps act as a GR center and accelerate the consumption of the accumulated holes in the floating body. It results in the attenuation of the LKE and the increase of the Lorenz spectrum noise. Simultaneously, the radiation induced trapped charge in the buried oxide can directly lead to an enhanced flicker noise at the back gate. The trapped charge density in the buried oxide is extracted to increase from 2.21×10^18 eV^-1 cm^-3 to 3.59×10^18？eV^-1 cm^-3 after irradiation.

关键词： DC/DC转换器   同步降压   MOSFET   SWIFT   尺寸封装   运行效率   设计人员   热效率  

摘要： TPS543C20 SWIFT转换器将最新一代的低电阻高侧和低侧MOSFET集成至热效率更高的小尺寸封装中,进一步提高了转换器的运行效率。设计人员可以并排堆叠两个转换器,

关键词： 功率MOSFET   选型方法   N沟道MOSFET   P沟道MOSFET   法则   成本低   在系统   型号  

摘要： 1.功率MOSFET选型第一步：P管,还是N管 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少,成本高。