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关键词： TCAD仿真   深亚微米MOS器件   总剂量辐射效应   辐射陷阱电荷  

摘要： 利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分析了器件浅槽隔离层(shallow trench isolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响。仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段。

关键词： 光伏发电   微逆变器   电流型双管正激变换器   最大占空比   电流应力  

摘要： 为克服现有光伏微逆变器电压应力高、结构较复杂的缺点,提出了一种中间电流型双管正激微逆变器。该变换器中所有开关都可实现软开关,并消除了变压器副边整流二极管的反向恢复损耗。分析了所提微逆变器的工作原理,并得到了微逆变器的最大占空比、占空比的预置值、开关管的电流应力以及无源元件参数。建立了所提微逆变器的实验样机,实验结果验证了所提微逆变器具有优良的性能。

关键词： 功率MOSFET   功率密度   N沟道   电源效率   导通电阻   栅极电荷   Inc  

摘要： 日前，Wishay Intertechnology,Inc．宣布，推出新的25VN沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET-SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0．58mn。Vishay Siliconix SiRA20DP具有最低的栅极电荷。

关键词： 认证测试   长期可靠性   栅极   额定电压   数据表   参考值   功率   器件   源极   百分比  

摘要： MOSFET产品数据表提供两种电压额定值：VDS和VGS,并分别规定其绝对最大值电压和额定电压。这两个数字通常是相同的,但制造商使用它们的语境和目的有所不同。按照定义,绝对最大值电压是与长期可靠性和/或存续（survival）有关的限值,而额定电压用于描述器件的特性和作为其他测量的参考值。大多数认证测试都是在额定电压或其一定百分比条件下进行。

关键词： 碳化硅MOSFET   直流断路器   直流电路模型   操作过电压   过电压保护电路  

摘要： 碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数。在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析。并设计两种过电压保护电路使Si C-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性。

关键词： MOSFET的漏/源电阻   半经验公式   微元电阻   数值模拟  

摘要： 本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10^(15)~1×10^(16)cm^(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n MOSFET和n LDD-MOSFET的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5%.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、叠栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于MOSFET的特性分析又可以用于电路模拟器.

关键词： 碳化硅MOSFET   软开关   三相逆变器   高效率   高功率密度  

摘要： 相比硅IGBT,碳化硅MOSFET拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。碳化硅MOSFET应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。为进一步提升碳化硅MOSFET逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术的碳化硅MOSFET逆变器。比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积,讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。随着开关频率从数十kHz逐渐提升至数百kHz,软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效率,还能取得更高的功率密度。最后,在1台9 kW软开关三相逆变器和1台9 kW硬开关逆变器上进行了实验验证。

关键词： 单相全桥逆变器   宽禁带   增强型GaN   MOSFET   开关损耗   栅极驱动损耗  

摘要： 为分析宽禁带半导体器件GaN MOSFET与Si MOSFET栅极驱动损耗、开关损耗的成因及关联参数,利用单相全桥逆变拓扑结构搭建功率开关器件应用测试平台,对GaN MOSFET和Si MOSFET在不同开关频率及器件工作温度下的效率进行测试比较。实验结果显示,开关频率为50 k Hz和120 k Hz时,基于增强型Ga N MOSFET的逆变器比基于Si MOSFET的效率分别高1.47%和1.6%;40℃,50℃,60℃,70℃温度对比实验时,基于增强型GaN MOSFET的逆变器效率比基于Si MOSFET的分别高1.8%,1.9%,2.0%和2.1%,表明开关频率递增或工作温度越高的工况下,增强型GaN MOSFET高效性能越明显。

关键词： 电源   沟道   高频开关   栅极驱动   驱动器   传播延迟   电泵   转换时间   导通   稳压器  

摘要： 高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7003可采用高达60V的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和35ns传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。

关键词： MOSFET   驱动电路   IR2130   设计  

摘要： 介绍了MOSFET的工作原理,分析了MOSFET的驱动电路形式,设计了一种采用IR2130控制的MOSFET高速驱动电路。实验结果证明了该驱动电路设计的可行性,测试数据和波形证明了该MOSFET驱动电路具有电气隔离性能优良、驱动能力强、抗干扰能力强等优点。目前,该电路已成功应用于一台逆变器实验样机中,其运行稳定。