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关键词： N沟道MOSFET   MOSFET驱动器   高压侧   Devices   电源电压   接通时间   半导体   充电泵  

摘要： 9月初,亚德诺半导体（Analog Devices,Inc.,简称ADI）旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004,该器件用高达60V的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。

关键词： 碳化硅MOSFET   温度特性   界面陷阱  

摘要： 为了更好地评估碳化硅(Silicon carbide,SiC)MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提出了一种基于先进迁移率模型的SiC MOSFET模型。利用Matlab/Simulink强大的数学处理能力和丰富的模块功能,该模型考虑了实际SiC/SiO_2界面特性的影响。利用SiC MOSFET的产品手册中的实测曲线和所搭建的实验电路的测试结果验证了所建立模型的准确性。基于所建立的模型,研究了SiC/SiO_2非常重要的界面参数——界面陷阱电荷对SiC MOSFET温度特性的影响;从模型和实验上对比了SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电路中瞬态温度的变化,结果显示碳化硅功率器件具有非常优秀的温度特性。

关键词： 凌力尔特   LTC7001   N沟道MOSFET   高频开关   栅极驱动   传播延迟   电源电压   德诺   电泵   转换时间  

摘要： 近日,亚德诺半导体旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。

关键词： 功率MOSFET   功率密度   N沟道   电源效率   导通电阻   SO-8封装   栅极电荷   优值系数  

摘要： Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm×5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,

关键词： APEX   主板   MOSFET   供电设计   供电电路   松   处理器   一体式  

摘要： MAXIMUS X APEX是ROG新一代主打超频的主板，其处理器供电部分采用了8＋2~R供电设计。每相供电电路搭配一颗英飞；麦的OptiMosBSG0812ND一体式MOSFET，其最大可承载电流达到50A。同时供电电路还搭配了效率更高的MICROFINE合金电感，以及日系10K固态电容等高性能元器件。

关键词： 批量生产   碳化硅   模块   MOSFET   功率密度   股份公司   晶体管   硅技术  

摘要： 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。近日，英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200V CoolSiC TM MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。

关键词： 14 nm   double gate MOSFET   look-up table   VerilogA  

摘要： In this paper, we explore the possibility of mapping devices designed in TCAD environment to its modeled version developed in cadence virtuoso environment using a look-up table （LUT） approach. Circuit simu- lation of newly designed devices in TCAD environment is a very slow and tedious process involving complex scripting. Hence, the LUT based modeling approach has been proposed as a faster and easier alternative in ca- dence environment. The LUTs are prepared by extracting data from the device characteristics obtained from device simulation in TCAD. A comparative study is shown between the TCAD simulation and the LUT-based alternative to showcase the accuracy of modeled devices. Finally the look-up table approach is used to evaluate the perform- ance of circuits implemented using 14 nm nMOSFET.

关键词： 电动自行车   锂离子电池   温度   单体电池   MOSFET  

摘要： 温度是影响锂离子电池组使用的重要因素。以电动自行车用18650型镍钴锰酸锂离子电池组为试验对象,研究分析了不同电流、不同温度下充放电试验过程中特征单体电池表面、保护装置核心元件MOSFET的温度变化情况。试验结果表明电动自行车用锂离子电池组在正常工作电流条件下使用时,电池组内部特征单体电池和电池保护装置的温差较小,但在最大工作电流下使用时,电池保护装置的温升较高,且超过电池的正常工作温度。因此,电池组内部宜加入辅助散热装置,增强使用安全性。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管   电磁脉冲   热损伤效应   注入法   阶跃脉冲   偏压上升时间   偏压幅值   器件温升  

摘要： 针对金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)在电磁脉冲作用下的热损伤问题,提出了一种新的热分析方法,通过仿真漏极注入阶跃脉冲下器件内部的温度响应研究了其损伤机理和规律。基于热效应半导体基本方程和热流方程,建立了用于仿真的器件模型和数值模型。采用注入法,以阶跃脉冲信号为输入,仿真研究了不同偏压上升时间和幅值下的器件损伤。结果发现:阶跃脉冲电压幅值一定时,MOSFET器件内部的温升过程及最后达到的最大温度与脉冲上升时间无关,器件在经过雪崩击穿、电流模式二次击穿后,温度迅速上升直至器件烧毁,烧毁所用时间与脉冲上升时间满足线性关系;脉冲上升时间一定时,器件温升随电压幅值增加而明显加快,器件能达到的最高温度也随之增加,器件烧毁所需时间与电压幅值的大小满足幂函数关系。研究对MOSFET的电磁脉冲毁伤机理认识和加固防护设计有一定的参考价值。

关键词： SiC   MOSFET   高频   感应加热  

摘要： 目前,感应加热电源技术主要朝着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展。然而,随着逆变开关频率的提高,功率器件的开关损耗随之增加。具有高临界雪崩击穿电场强度、高热导率、小介电常数等突出优点的宽禁带半导体材料SiC MOSFET的应用为这一问题的解决提供了理想的方案。本文详细研究了感应加热电源逆变器的设计、SiC MOSFET器件的驱动电路以及电源的功率扩展等问题;开发出了频率超过800 kHz,单逆变桥功率超过50k W的新型感应加热电源;通过并桥处理,电源单机容量可达200 kW,在一定程度上填补了将新型SiC MOSFET器件应用于感应加热领域的空白。