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关键词： MOSFET   A Qi compatible wireless power receiver with integrated full-wave synchronous rectifier   AC  

摘要： Dear editor,Wireless power transfer (WPT) is widely used in recent years [1]. Many applications, such as biomedical implants, battery chargers of portable electronic devices and electric vehicles already adopt [2–4] or will adopt [5] this approach. Industry consortia, such as the wireless power consortium (WPC), have been established to regulate

关键词： SiC MOSFET   短路特性   温度依赖性   热网络模型  

摘要： SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,具有重要的应用前景。但是,一旦负荷侧或直流侧发生短路,以及串扰引起的误导通,都会导致上下桥臂直通。因此,评估SiC MOSFET器件的短路耐受能力,研究直流母线电压和环境温度对短路耐受时间、临界短路能量的影响规律,可给SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先详细阐述SiC MOSFET硬开关短路过程的机理,随后搭建相应的测试平台,并选取两种额定电压、电流相近的商业化SiC MOSFET器件,在不同直流母线电压和环境温度条件下,评估短路电流的特性。实验结果表明,随着直流母线电压的增加或环境温度的升高,短路耐受时间降低;临界短路能量随着温度的升高而降低,但受直流母线电压的影响较小。基于器件的物理结构和Spice模型,建立不同尺度的热网络模型,根据实验数据计算短路过程的损耗,并输入到具体的热网络中,得到短路过程芯片的层间温度分布,热仿真结果表明芯片在结温800℃左右发生热击穿,这一失效温度对应的短路耐受时间和实验结果基本吻合。

关键词： 瑞萨电子   IP   电感式   MOSFET   LTC   输出电压  

摘要： 60V、双路、两相升压控制器能够级联输出以调节超过200 V电压ADI近日宣布推出Power by Linear? LTC7840,这是一款两相异步升压控制器,可驱动两级外部N沟道功率MOSFET。该器件可以配置为单路或双路输出升压稳压器,或者如需提供较高的电压,则第一个通道的输出可以馈入第二个通道的输入,从而产生一个超过几百伏的输出电压。LTC7840的一种典型应用是利用第一个通道将12V输入电压提升到48V,第二个通道将48V升

关键词： 四步法   动态电路分析   串并联电路   欧姆定律  

摘要： 初中物理电学中的动态电路分析,对学生的综合分析能力要求较高,在对题目分析过程中,进行有效引导,归纳出科学简便的分析方法,激发学生的实践意识,提高课堂效率.

关键词： 欧姆定律   串联电路   同时性  

摘要： 初学"欧姆定律",面对变化的电路中出现的多个电阻、电流和电压值,许多同学往往不知所措,不知如何根据题目给定的已知条件应用欧姆定律来求解未知量.其实同学们只要抓住"同一性""同时性""统一性",就

关键词： 物理教学   激发学生   求知欲望   课堂提问   物理学科   导学策略   学生主动参与   欧姆定律  

摘要： "学起于思,思源于疑。"教学的成功之处在于教会学生学会思考,而课堂提问是课堂活动中师生互动的重要环节,也是评价一节课是否成功的手段,所以,能否将师生的思维活动联系在一起,能否将学生的思维充分地展开是形成一个活跃高效的课堂的关键。巴尔扎克曾说:"打开一切科学的钥匙都毫无疑义地是问题,我们大部

关键词： 欧姆定律   听课   建议  

摘要： 听课是教师专业发展提升的重要途径,学习借鉴优秀同行的先进理念,先进做法,为自己的教学服务。粤教沪科版版九年级上册《14.2探究欧姆定律》一课,重点内容多,实验设计难,实验操作花时间,整节课驾驭能力要求很高,对老师的综合能力要求更高。听了一位优秀老师的公开课,受益匪浅,与同行交流讨论后,经过认真思考,撰写出来,希望与同行共同提高。

关键词： MOSFET   碳化硅   Semiconductor   超高速   Monolith   功率半导体   切换   半导体行业  

摘要： Littelfuse,Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,近日宣布推出了首个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列,成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.,向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻（80mW）,是双方联手推出的首款由内部设计、

关键词： MOSFET   低应力   SOA   LTC   分级起动   低导通电阻   电子系统   电流限制   电路断路器   栅极电压   电流通路  

摘要： 在如今的汽车中,为了提高舒适度和行车体验而设计了座椅加热、空调、导航、信息娱乐、行车安全等系统,从这些系统很容易理解在车中为各种功能供电的电子系统的好处。现在我们很难想像仅仅100多年以前的景象,那时,在汽油动力汽车中,一个电子组件都没有。在世纪交替时期的汽车开始有了手摇曲柄,前灯开始用乙炔气照明,也可以用铃声向行人发出提示信息了。

关键词： ATLAS-3D   cylindrical gate all around   dual metal gate   insulated shallow extension   Schottky barrier  

摘要： In this paper TCAD-based simulation of a novel insulated shallow extension （ISE） cylindrical gate all around （CGAA） Schottky barrier （SB） MOSFET has been reported, to eliminate the suicidal ambipolar behavior （bias-dependent OFF state leakage current） of conventional SB-CGAA MOSFET by blocking the metal-induced gap states as well as unwanted charge sharing between source/channel and drain/channel regions. This novel structure offers low barrier height at the source and offers high ON-state current. The IoN/Iovr： of ISE-CGAA-SB-MOS- FET increases by 1177 times and offers steeper subthreshold slope （-60 mV/decade）. However a little reduction in peak cut off frequency is observed and to further improve the cut-off frequency dual metal gate architecture has been employed and a comparative assessment of single metal gate, dual metal gate, single metal gate with ISE, and dual metal gate with ISE has been presented. The improved performance of Schottky barrier CGAA MOSFET by the incorporation of ISE makes it an attractive candidate for CMOS digital circuit design. The numerical simulation is performed using the ATLAS-3D device simulator.