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关键词： DC/DC转换器   负载电流   消耗   Seamless   MOSFET   功率转换效率   纽扣电池   模拟技术  

摘要： “BD70522GUL”是旨在实现IoT领域的关键词“纽扣电池10年驱动”开发而成的超低功耗电源IC。BD70522GUL采用了凝聚“电路设计”、“布局”、“工艺”三大尖端模拟技术优势的NanoEnergy技术,实现了超小的消耗电流180nA。这使无负载时(应用待机时)的电池驱动时间比普通产品长1.4倍,有助于CR2025等纽扣电池驱动的电子设备更长时间运行。此外,该产品可在更宽的负载电流范围实现高效率,其内置低损耗MOSFET,负载模式搭载根据负载电流自动无缝切换的Seamless SwitchingModeControl(SSMC)功能,在消耗电流1μA以下的DC/DC转换器中,在业界最宽范围(10μA^500mA)可实现90%以上的功率转换效率。

关键词： 闭合电路欧姆定律   物理知识   路端电压   电源电动势  

摘要： 闭合电路欧姆定律是物理学中的重要定律之一,也是物理教学中的难点之一。学生学习闭合电路欧姆定律时的主要难点在于路端电压与电流、外电阻之间的关系,以及对于电动势的理解。闭合电路欧姆定律涉及的内容比较抽象,其与电压的概念较为相似,因此很容易混淆,可以说闭合电路欧姆定律是从一个更高的角度对电路进行研究分析。学生在学习闭合电路欧姆定律之前已经学习了部分电路欧姆定律,大部分学生并没有意识到电源也有内阻。

关键词： 欧姆定律   学习习惯   学习效率   知识点   物理知识   教学设计  

摘要： 【教学目标】1.让学生在合作学习的基础上,完成对本课知识的学习和理解,掌握住本课知识的各个知识点。2.通过合作学习的教学模式,充分调动学生课堂参与性,让学生认识到合作学习的重要作用。3.培养学生形成良好的合作学习习惯,在以后的知识学习中能做到自觉的运用合作学习的方法。【教学重难点】教学重点:引导学生将知识学习与同学合作相结合,并让学生在合作学习中掌握到具体物理知识,提高物理学科的学习效率。

关键词： 考试说明   凸面镜   能力立意   科学猜想   物理规律   反射定律   平面镜   物理学科   欧姆定律   凸透镜   探究题  

摘要： 2018年中考划重点一、《考试说明》无变化,稳中更要重应用2018年物理中考《考试说明》是对当年中考物理命题要求进行详尽说明的重要文件,是解释说明中考性质、中考考什么、中考怎么考、中考考试范围、中考的难易程度的一份文件。

关键词： 物理教学   闭合电路欧姆定律   教学设计   教学效果  

摘要： 为了巩固基础，明确教学目标，突破重点，解决难点，提高高中“闭合电路欧姆定律”的教学效果，使学生掌握基础知识和基本技能，文章对本节课教学做了如下设计，取得了很好的教学效果。

关键词： β-Ga2O3   金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)   HfO2介质层   Fe掺杂   漏源饱和电流   击穿电压  

摘要： 采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在（010）Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层。基于掺杂浓度为2.0×1018cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。器件展示出良好的电学特性,在栅偏压为8 V时,漏源饱和电流密度达到42 m A/mm,器件的峰值跨导约为3.8 m S/mm,漏源电流开关比达到108。此外,器件的三端关态击穿电压为113 V。采用场板结构并结合n型Ga2O3沟道层结构优化设计能进一步提升器件饱和电流和击穿电压等电学特性。

关键词： MOSFET   控制器   LED  

摘要： 德州仪器(TI)近日推出首款无内部MOSFET的三通道高侧线性汽车发光二极管(LED)控制器,为设计人员的照明设计工作提供了更大的灵活性。与传统的LED控制器相比,TPS92830-Q1的新型架构能够提供更高的功率和更佳的散热性能,特别适用于对性能及可靠性具有高要求的汽车LED照明应用。

关键词： SiCMOSFET   驱动电路   过流保护  

摘要： 相比于同等级的Si MOSFET,SiC MOSFET因具有更高速的开关特性和更小的导通损耗而具有极大地应用优势。但是,SiC MOSFET更小的门极电容和更小的门极耐压范也使得其在应用时提出了更大的挑战。本文在分别对SiC MOSFET的开通关断过程进行分析之后得出其安全可靠驱动的要求,研究适用于SiC MOSFET的驱动保护电路,进行LTspice仿真验证,分析了施加不同外部电容和不同驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响,同时对保护电路的功能进行了PSpice仿真验证。

关键词： SiC   MOSFET   正态分布   变异系数   3σ准则   电流分配  

摘要： SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）多芯片并联或分立器件并联器件已成为大电流应用的主流方案。为研究SiC MOSFET器件参数分散性对并联器件电流分配的影响,采用变异系数作为评估指标,对比了同批次器件不同参数的分散性,并探讨了不同结温下参数分散性的波动。基于假设检验方法,验证了器件参数近似服从正态分布。由拉依达（Pau-Ta）（3σ）准则得到了器件参数分布范围,然后推导了电流不均衡度和电流降额率与器件参数分散性之间的关系。统计分析结果表明：跨导系数分散性最小,但其对电流分配的影响最显著;SiC MOSFET并联的静动态降额率会随器件参数分散性和并联数量的增大而增大,但增长速度逐渐减缓。因此,在芯片并联前,应根据应用需求进行芯片筛选来降低器件参数的差异,同时合理选择并联数量。

关键词： planar power MOSFETs single-event burnout(SEB) parasitic bipolar transistor second breakdown voltage  

摘要： We present a single-event burnout（SEB） hardened planar power MOSFET with partially widened trench sources by three-dimensional（3 D） numerical simulation. The advantage of the proposed structure is that the work of the parasitic bipolar transistor inherited in the power MOSFET is suppressed effectively due to the elimination of the most sensitive region（P-well region below the N＋ source）. The simulation result shows that the proposed structure can enhance the SEB survivability significantly. The critical value of linear energy transfer（LET）,which indicates the maximum deposited energy on the device without SEB behavior, increases from 0.06 to0.7 p C/μm. The SEB threshold voltage increases to 120 V, which is 80% of the rated breakdown voltage. Meanwhile, the main parameter characteristics of the proposed structure remain similar with those of the conventional planar structure. Therefore, this structure offers a potential optimization path to planar power MOSFET with high SEB survivability for space and atmospheric applications.