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关键词： 产品组合   SiC   MOSFET   汽车市场   SBD   肖特基势垒二极管   工业   瞄准  

摘要： 美高森美公司（Microsemi）宣布提供下一代1200V碳化硅（sic）MOSFET系列的首款产品40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 VSiC肖特基势垒二极管（SBD），进一步扩大旗下日益增长的SiC分立器件和模块产品组合。

关键词： 初中物理   实验技能   苏科版  

摘要： 物理实验是初中物理学习的基础,也是教学中的重点。学生通过动手操作,亲身体验,达到加深对物理知识的理解的目的。因此实验技能的提升可以直接影响到物理的课堂教学效率。本文将以苏科版初中物理为例,阐述初中物理实验教学的重要性以及着手点,结合案例探究通过加强实验技能提升初中物理课堂教学效率,总结了初中物理实验教学的教学建议。

关键词： 碳化硅MOSFET   开通电流过冲   关断电压过冲   杂散参数优化  

摘要： 为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势。首先,简单分析了开通电流过冲和关断电压过冲产生机理,并在LTSPICE仿真软件中建立了双脉冲测试回路等效电路模型。仿真结果表明:开通电流过冲和关断电压过冲分别主要取决于上桥臂总杂散电容和回路杂散电感。此外,分析了负载电感的杂散电容与绕制层数的关系。通过Q3D仿真,对比研究了不同直流母排结构以及电容布局方式下的杂散电感。最后基于阻抗分析仪测量,采用谐振频率法计算出负载电感的杂散电容和直流母排的杂散电感。仿真和实验结果均表明:单层负载电感杂散电容最小,环形叠层结构直流母排的杂散电感最小。因此在相同开关速度下,采用优化后的测试平台,器件开关瞬态特性明显得到了改善。

关键词： 功率密度   MOSFET   性能   系统   碳化硅   MOS-FET   产品设计   电源转换  

摘要： 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOS-FET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

关键词： LDD MOSFET   drain engineering   device simulations.  

摘要： In this paper,we present the effect of process parameters variations on Ⅰ-Ⅴ characteristics of LDD MOSFETs through a simulation study,applying also to any submicron *** particular,we examine the effect of variation of ionic implantation for different channel doping involved in MOSFET *** last,we examine a linear Ⅰ-Ⅴ model to simulate more adequately the effects of variation of the process parameters as correction to the base model.

关键词： 电子实习   Multisim仿真   实践教学   叠加定理   戴维南定理  

摘要： 在电子实习中应用计算机仿真软件Multisim有助于学生更透彻地理解理论知识。根据叠加定理仿真教学中的课堂反馈,提出在电压电流的基础上增加功率计算。依照叠加定理的仿真验证过程,进而提出学生自主完成戴维南定理仿真验证的实验要求。学生需选取合适的元器件并完成电路设计,通过Multisim平台搭建电路,将仿真结果与理论计算值进行比对,使戴维南定理得以验证。经过教学试讲,引入Multisim取得了较理想的教学效果,由此证明Multisim仿真软件在电子实习教学中的可行性。

关键词： 场效应管   JFET   MOSFET   开关管   功放管  

摘要： 本文介绍了场效应管的特点、分类及用途。针对其在仪器辅助设备中的实际应用,结合电路原理图,通过分析信号流程,详细介绍了场效应管的作用、工作原理及使用注意事项。希望通过分析实际电路,达到了解和熟悉场效应管的目的,并对从事电子设备维修的技术人员有所帮助。

关键词： 高压直流输电   金属回线转换开关   并联振荡装置   基尔霍夫电流定律  

摘要： 针对特高压直流输电系统接线方式从单极大地回线转为金属回线时,MRTB并联震荡装置是否出现故障,提出了一种基于电流分析的MRTB并联震荡装置的在线故障诊断方法。该方法首先通过在MRTB过零震荡装置进线侧和出线侧划定计算电流的闭合面,并在闭合面上运用基尔霍夫电流定律(KCL),设计出一种计算MRTB并联震荡装置回路电流的方法,然后根据计算所得的MRTB并联震荡装置两侧电流特征,对并联谐振装置是否故障与故障类型进行诊断。最后,在±800 kV楚穗特高压直流极Ⅱ大地回线转为金属回线的2个实例中进行验证,验证结果证明文中所提方法的正确性和有效性。

关键词： 低功耗器件   In组分   InGaAs   MOSFET  

摘要： 为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析。实验结果表明:8μm栅长的增强型InGaAs沟道MOSFET器件的关态电流小于1×10^(-8) mA/mm,器件的开关比达到9个量级,说明了降低InGaAs沟道的In组分和提高InAlAs掺杂层中的P型掺杂浓度能够降低器件的关态电流,增大器件电流开关比,从而实现了低功耗的器件性能。

关键词： 叠加定理   替代定理   戴维南定理   诺顿定理   最大功率传输定理   特勒根定理   互易定理  

摘要： 在电路分析的解题过程中,对于某些问题如果我们不对它们进行处理而是直接采用基尔霍夫定律进行求解,会十分的烦琐。采用网络定理对电路进行相应简化,就可以减少计算量,避免出错。本文将对网络定理在解题中的应用进行一些探究。