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关键词： SiC   MOSFET   电压过冲   驱动电路  

摘要： 以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体器件近年来受到越来越多的关注,将在更多的场合得到应用。SiC MOSFET本身较小的寄生参数带来了开关速度及开关损耗等优势,但是也会造成开关瞬态产生较大的电压过冲,增加电磁干扰甚至损坏器件。文章提出了一种新型的控制电路,可以有效减小SiC MOSFET的电压过冲,相比传统方法,可以缩短关断延时并降低开关损耗。

关键词： 量子效应   短沟道效应   围栅硅纳米线MOSFET   SILVACOTCAD仿真  

摘要： 随着大规模集成电路的发展,IC工艺特征尺寸逐渐进入了纳米量级,与此伴随而生了不可避免的短沟道效应(SCE)如:漏至势垒降低效应、阈值电压滚降效应、亚阈斜率退化等。围栅硅纳米线MOSFET(GAA-MOSFETS)器件具有优良的栅控能力和载流子输运特性,被视为可以将器件尺寸缩小到极限尺寸的理想器件结构。通过将量子运输效应应用到器件建模中,针对P型GAAMOSFET器件展开研究,探讨了GAA-MOSFET器件的能带结构、沟道直径等参数对阈值电压、亚阈值摆幅等参数的影响,并利用Silvaco TCAD软件的数值计算来对GAA-MOSFET器件结构与性能进行仿真验证。

关键词： 浮空岛   LDMOS   击穿电压   优值  

摘要： 为了解决薄外延横向功率器件的纵向耐压问题,提出了一种带有N型浮空岛的新型LDMOS。与传统LDMOS不同,该结构在漏端下方的衬底耗尽层内加入多个纵向排列的N型浮空岛,扩展了衬底的耗尽层,降低了漏端下方的高电场,在纵向引入新的峰值电场,优化了器件的横向和纵向电场分布,大幅提高了器件的击穿电压。利用Sentaurus TCAD软件对新结构进行了仿真。结果表明,漂移区长度均为80μm时,新结构的击穿电压为964V,比相同漂移区长度下的传统LDMOS提高了113.7%,优值为1.01 MW·cm^(-2),比传统LDMOS提高了211%。

关键词： NexperIa   业务部门   MOSFET   功率MOS管   分立元件   电子产品   逻辑元件   供应商  

摘要： Nexperja的横空出世必须提及其母公司N×P恩智浦。这家全球最大的汽车芯片供应商，其汽车芯片业务线占据公司业务64％的利润，NexperIa正是NXP恩智浦原来的标准产品业务部门。其所主打生产的分立元件、逻辑元件与MOSFET元件被广泛应用于各类电子产品领域，特别是功率MOS管（P0werMOSFET）。

关键词： 认知冲突   科学思维   探究过程   逻辑推理   生活实际  

摘要： 培养学生的科学思维能力是物理教学的重要目标之一,以"电源的电动势和内阻闭合电路欧姆定律"为例,提出了培养科学思维的策略,从引发认知冲突、经历探究过程、注重逻辑推理、联系生活实际四个方面做了具体论述。

关键词： MOSFET   功率密度   性能   系统   碳化硅   半导体元器件   亚太地区   产品设计  

摘要： 2018年4月10日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商…大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞；麦（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

关键词： 碳化硅MOSFET   电气应力   振荡频率   寄生参数   分析模型  

摘要： 为了评估回路及封装寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立包括所有寄生参数的开关暂态等效电路模型,详细分析器件开通和关断整个开关暂态过程。然后,在考虑实际器件的负压偏置及器件寄生电容的非线性变化的基础上,推导碳化硅MOSFET所承受电气应力(电压过冲、电流过冲)的简化解析式。其次,基于开通和关断过程的小信号等效电路讨论振荡频率与寄生参数之间的关系。最后,通过对比实验和计算结果,验证了该分析模型的合理性,且能够反映出寄生参数碳化硅MOSFET开关特性的影响规律。

关键词： 物理课堂   电动势   干电池   平抛运动   提问艺术   电流表   滑动变阻器   欧姆定律   电压表  

摘要： 在物理教学中,教师要认真研究教材,研究学生,巧用提问艺术,激发学生的学习兴趣,进而提高课堂效率.下面结合案例谈谈提问艺术在物理教学中的具体应用.案例1:在讲'测一节干电池的电动势和内阻电路设计'时,我提出如下问题:1.一节干电池的电动势多大?内阻大还是小?2.电流表应选什么量程?电压表应选什么量程?3.电流表选内接还是外接?为什么?

关键词： 霍尔迁移率   在片测试   碳化硅   金属氧化物半导体场效应晶体管  

摘要： 研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和测试系统的原因引入漂移电压,提高了测试精度。基于该方法完成测试平台搭建,并应用该测试平台完成了对SiC MOSFET样品霍尔迁移率的测试,得到了霍尔迁移率随栅极电压变化的关系。

关键词： SiC-MOSFET   米勒效应   桥臂串扰   有源钳位   过流检测  

摘要： 为适应SiC-MOSFET相比Si-IGBT具有更快的开关速度、更低的工作损耗,同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点,研究了与其匹配的驱动技术。主要对漏极电压有源钳位、电路桥臂串扰抑制、过流检测等若干SiC-MOSFET驱动技术进行研究,并基于三菱大功率SiC-MOSFET模块开发配套驱动进行测试。结果表明,该驱动所采用的镜像电流检测法能快速有效地对SiC-MOSFET模块进行过流检测与保护,同时漏极电压有源钳位能及时有效抑制大电流关断所产生的电压尖峰。